Патенты автора Хамдохов Эльдар Залимович (RU)
Изобретение относится к области электротехники, приборам вакуумной электроники, а именно к способу изготовления автоэмиссионных катодов на основе сборки из двух (шеврон) или трех (Z-сборка) микроканальных пластин (МКП). Способ изготовления катода на основе микроканальных пластин включает формирование катодной структуры нанесением углеродного слоя на поверхность первой МКП сборки, содержащей большое число микроструктур с каналами. Методом аэрозольного распыления раствора с углеродными наноматериалами внутри каналов формируются автоэмиссионные среды, эффективно эмитирующие электроны за счет низкой работы выхода электронов. В других МКП сборки происходит дополнительное усиление электронного потока, образованного в первой МКП. Повышение максимального тока, надежности и улучшение электрофизических параметров устройства является техническим результатом изобретения. 3 ил.
Изобретение относится к приборам вакуумной электроники для СВЧ-приборов, плоских дисплеев, портативных источников рентгеновского излучения и прочее, а также к способу изготовления катода на основе массива автоэмиссионных эмиттеров. Способ изготовления катода на основе массива автоэмиссионных эмиттеров включает формирование катодной структуры нанесением каталитического, углеродного и контактного слоев на поверхность диэлектрической опорной структуры, содержащей сквозные отверстия, нанесение анодного слоя на противоположной стороне опорной структуры с отверстиями, совмещенными с катодной структурой. В качестве опорной структуры используется заготовка в виде стеклянной пластины, объединяющей большое число микроструктур с каналами (МКП), внутри которых электродуговым способом на поверхности каталитического слоя формируются регулярно расположенные эмиттеры на основе графитоподобных наночастиц, эффективно эмитирующие электроны за счет низкой работы выхода электронов. Изобретение позволяет повысить надежность и улучшить электрофизические параметры устройства. 2 ил.
Изобретение относится к области технологии осаждения субмикронных пленок нитрида титана на металлические, полупроводниковые, диэлектрические и может быть использована в микроэлектронной промышленности, авиационно-космической отрасли, атомного машиностроения, инструментального производства, в медицине, стоматологии. Осуществляют предварительную очистку подложки ионной бомбардировкой в тлеющем разряде в атмосфере аргона при температуре 45-50°C в течение 10-15 минут. Формируют субмикронную пленку из двух компонентов: TiN и Ti в вакууме путем электродугового распыления титановой мишени в атмосфере реакционного газа-азота. Полученную субмикронную пленку подвергают бомбардировке ионами азота при смещении на подложке до - 600 В температуре 50-60°C в течение 15-20 мин. Изобретение позволяет изменять содержание титана по отношению к нитриду титана в пленке не в процессе, а после напыления, в результате достигается формирование покрытия на основе нитрида титана стехиометрического состава и повышение физико-механических свойств изделий. 2 ил.
