Патенты автора Зайцев Роман Владимирович (RU)
Изобретение относится к области прецизионной наноэлектроники. Способ контролируемого роста квантовых точек (КТ) из коллоидного золота в системе совмещенного АСМ/СТМ заключается в выращивании КТ при отрицательном приложенном напряжении между иглой кантилевера совмещенного АСМ/СТМ и проводящей подложкой, причем в процессе роста КТ периодически переключают полярность внешнего напряжения с отрицательной на положительную и фиксируют единичный пик на туннельной ВАХ при определенном значении приложенного напряжения из диапазона значений от 1 до 5 В. Рост КТ завершается, когда единичный пик наблюдается при том же значении приложенного напряжения, что и для контрольной КТ заданного размера. Технический результат - обеспечение прецизионного контроля размеров КТ. 3 ил.
Изобретение относится к области дозирования с внешним управлением для повторяющегося отмеривания и выдачи заданных объемов сыпучих тел из резервуара независимо от веса тел и способа их подачи. Изобретение направлено на повышение точности и надежности дозирования, а также на снижение затрат электроэнергии на перемещение материала, что обеспечивается за счет того, что дозируемый материал свободно поступает по напорной шахте из загрузочного бункера в смесительную камеру, смешивается в ней с газом и подается на выход под действием давления этого газа в объект управления, причем расход материала пропорционален давлению газа, при этом, согласно изобретению, заданный объем материала предварительно отмеривается в смесительной камере, причем в течение времени заполнения камеры газ в нее не подается, а в процессе подачи сыпучего материала на выход давление газа поддерживается постоянным и большим, чем давление столба материала в напорной шахте, при этом расход газа при выдаче материала соответствует удвоенной скорости витания частиц материала. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 4 ил.
