Патенты автора Перов Геннадий Васильевич (RU)
Изобретение относится к консольному устройству для горизонтальной бесконтактной загрузки полупроводниковых пластин в диффузионную печь. Устройство содержит трубчатую консоль для загрузки кассет с полупроводниковыми пластинами и подвижный в горизонтальном направлении механизм перемещения консоли, закрепленной с одной его стороны, при этом механизм перемещения консоли выполнен в виде платформы, закрепленной с возможностью перемещения по горизонтальным направляющим, выполненным в виде цилиндрических труб, которые закреплены траверсой с одной стороны к вертикальным стойкам, а с другой стороны - к основанию диффузионной печи, и снабжен шаговым двигателем, толкателем с отдельной направляющей для его перемещения и крючком для зацепления с консолью через выполненное в ней отверстие, при этом консоль закреплена в подвешенном состоянии с возможностью управления положением консоли в вертикальной плоскости посредством неподвижной опоры с одной стороны, подвижной опоры с другой стороны, ручки и расположенных на заданном расстоянии друг от друга составных колец, которыми укомплектованы упомянутые опоры, и в трубчатой консоли со стороны загрузки выполнен горизонтальный вырез на 1/4-1/3 диаметра трубы консоли, размер которого соответствует длине кассеты с полупроводниковыми пластинами. Обеспечивается повышение надежности бесконтактной загрузки полупроводниковых пластин в горизонтальную печь для термической обработки пластин и выравнивание давлении потока газов вдоль рабочей зоны за счет съемной заглушки и отверстий в нерабочей части консоли. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, в частности к технологии изготовления р-n-переходов в кремнии методом "закрытой трубы" - методом откачанной запаянной кварцевой ампулы. При управлении и стабилизации скорости последиффузионного охлаждения низковольтных кремниевых р-n-структур ампулы с пластинами структур после высокотемпературного диффузионного отжига принудительно охлаждают потоком определенного количества воды, находящейся при определенной температуре. В этом случае достигается воспроизводимость количества легирующей примеси в диффузионном слое, находящейся в активном состоянии, что, в свою очередь, обеспечивает воспроизводимость значений напряжения пробоя низковольтных р-n-переходов и, соответственно, существенное увеличение выхода годных приборов. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 6 ил.
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, в частности к технологии изготовления р-п-переходов в кремнии методом "закрытой трубы" - методом откачанной запаянной кварцевой ампулы. Кварцевая ампула для диффузии легирующих примесей в кремний методом закрытой трубы состоит из кварцевой колбы 3, в которую загружаются кремниевые пластины 1 и источник диффузии 2, кварцевой шлиф-пробки 4, служащей для герметизации ампулы со стороны загрузки ее кремниевыми пластинами 1 и источником диффузии 2, и кварцевого штенгеля 6, через который происходит вакуумирование ампулы с последующей отпайкой ампулы от вакуумной системы. Шлиф-пробка 4 выполнена в виде открытой полости 13, что позволяет извлеченную из диффузионной печи 8 после высокотемпературного диффузионного отжига кварцевую ампулу принудительно охлаждать определенным объемом холодной воды, заливая ее в полость 13 с помощью специального устройства 14, находящегося над ампулой. Изобретение обеспечивает управление и стабилизацию режима охлаждения кварцевой ампулы с кремниевыми планарными р-п-структурами непосредственно после высокотемпературного отжига. 6 ил., 1 табл.
