Способ управления и стабилизации скорости последиффузионного (диффузия мышьяка) охлаждения низковольтных (~6в) кремниевых планарных структур прецизионных стабилитронов и устройство для его осуществления

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, в частности к технологии изготовления р-n-переходов в кремнии методом "закрытой трубы" - методом откачанной запаянной кварцевой ампулы. При управлении и стабилизации скорости последиффузионного охлаждения низковольтных кремниевых р-n-структур ампулы с пластинами структур после высокотемпературного диффузионного отжига принудительно охлаждают потоком определенного количества воды, находящейся при определенной температуре. В этом случае достигается воспроизводимость количества легирующей примеси в диффузионном слое, находящейся в активном состоянии, что, в свою очередь, обеспечивает воспроизводимость значений напряжения пробоя низковольтных р-n-переходов и, соответственно, существенное увеличение выхода годных приборов. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 6 ил.

 

Настоящее изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, в частности к технологии изготовления p-n-переходов в кремнии методом "закрытой трубы" - методом откачанной запаянной кварцевой ампулы.

Преимущественно данное изобретение может использоваться при изготовлении методом высококонцентрационной диффузии мышьяка в эвакуированной ампуле p-n-переходов в кремнии для стабилитронов и ограничителей напряжения с напряжением стабилизации (пробоя) менее 7 В.

Известен способ диффузии методом закрытой трубы и устройство для его проведения [1-4], по которому пластины кремния 1 и источник диффузии 2 загружают в кварцевую колбу 3 (фиг.1), колбу 3 закрывают шлиф-пробкой 4, заваривают кислородно-водородной горелкой по месту 5 соединения колбы 3 с шлиф-пробкой 4, с помощью штенгеля 6 подсоединяют к вакуумному посту, вакуумируют, отпаивают по штенгелю 6 от вакуумного поста и помещают в кварцевую трубу 7 диффузионной печи 8 (фиг.2) для диффузионного высокотемпературного отжига в заданном режиме, выдерживают в диффузионной печи 8 в течение заданного времени при заданной температуре, с помощью кварцевой лодочки 9 ампулу извлекают из печи 8 на подставку 10 в боксе 11, примыкающем к диффузионной печи 8, охлаждают в условиях окружающей среды, извлекают из бокса 11 через дверцу 12, ампулу вскрывают (разрушают), извлекают кремниевые пластины с p-n-структурами 1 и проводят контрольные измерения электрических параметров полученных таким образом диффузионных p-n-структур.

В настоящее время ампульный способ диффузии легирующих примесей в кремний применяют преимущественно при формировании низковольтных (менее ~7 В) p-n-структур, используемых в производстве кремниевых стабилитронов и ограничителей напряжения, диффузией мышьяка в сильнолегированный кремний.

Недостаток известного способа диффузии легирующих примесей в кремний в герметизированной кварцевой ампуле - большой разброс (дисперсия) электрических параметров p-n-структур, в частности напряжения пробоя, от процесса к процессу. Особенно велик этот отрицательный эффект для кремниевых p-n-структур с напряжением пробоя менее 7 В.

При изготовлении некоторых типов полупроводниковых приборов, таких, например, как стабилитроны и ограничители напряжения, к разбросу (дисперсии) их основных классификационных параметров - напряжению стабилизации (Uст), напряжению пробоя (Uпроб) предъявляются жесткие требования: соответственно ΔUст≤(1÷5) %, ΔUпроб≤5%. Таким образом, для обеспечения этих требований необходима корректировка известного способа диффузии легирующих примесей в кремний в герметизированной кварцевой ампуле, направленная на уменьшение технологического разброса указанных параметров от процесса к процессу.

Основная причина указанного недостатка известного способа диффузии легирующих примесей в кремний в герметизированной кварцевой ампуле - отсутствие управляемого охлаждения ампул с пластинами после извлечения их из диффузионной печи. Физический механизм влияния скорости охлаждения ампул (и соответственно кремниевых пластин с p-n-структурами) и воспроизводимости ее от процесса к процессу на электрические параметры диффузионных p-n-структур и их дисперсию от процесса к процессу можно пояснить следующим образом.

Известно [5,6], что электрические параметры, в частности напряжение пробоя (Uпроб), p-n-переходов в кремнии в области Uпроб менее 7 В, т.е. с туннельным и смешанным механизмами пробоя, определяются не только электрофизическими параметрами подложки - кремния, т.е. концентрацией основной легирующей примеси в базе, в котором они формируются диффузией примеси противоположного с кремнием типа проводимости, и режимом высокотемпературной диффузии (температура, время), но также и тем, в каких условиях, с какой скоростью проводится охлаждение таких p-n-структур после завершения диффузионного процесса и извлечения их из диффузионной печи.

Наблюдаемый эффект объясняется наличием в диффузионном слое низковольтной p-n-структуры легирующей примеси в электрически активной и пассивной (так называемые кластеры) формах [7,8]. Причем эта примесь может переходить из одной формы в другую в зависимости от условий охлаждения при переходе от высокой температуры диффузии к низким температурам окружающей среды.

Действительно, так как величина концентрации основной (акцепторной) легирующей примеси в кремниевых подложках (Na), на основе которых получают p-n-переходы с Uпроб менее 7 В (кремний р-типа проводимости, марка КДБ), приближается к величине концентрации донорной легирующей примеси в диффузионном слое (Nd), величина Uпроб p-n-перехода определяется и тем (Na) и другим (Nd) значениями концентрации легирующих примесей. "Работает", так сказать, эффективная концентрация примесей (Ni) в p-n-переходе [9]:

~

При неконтролируемых условиях последиффузионного охлаждения p-n-структуры процесс перехода донорной легирующей примеси (мышьяка As) из одного состояния в другое (пассивное - сегрегация, активное - электрическая активация) - нестабилен [7,8].

Соответственно для одних и тех же стабильных условий высокотемпературной диффузии (температура, время) в условиях нестабильного процесса последиффузионного охлаждения ампул с кремниевыми p-n-структурами проявляется эффект невоспроизводимости значений Uпроб p-n-переходов от процесса к процессу: дисперсия значений Uпроб p-n-переходов, как правило, превышает 10-20%.

Особенно важно обеспечение воспроизводимости от процесса к процессу параметров диффузионных низковольтных p-n-структур в технологии изготовления прецизионных термокомпенсированных стабилитронов с напряжением пробоя основного p-n-перехода ~5.6 В, формируемого ампульной диффузией As в кремний р-типа проводимости [10], обеспечение температурной компенсации напряжения стабилизации которых осуществляется для заданного тока стабилизации в чрезвычайно узком диапазоне напряжений стабилизации: ΔUпроб~±0.05 В - в так называемой области компенсации, фиг.3.

Целью изобретения является снижение разброса (дисперсии) основного электрического параметра (напряжение пробоя) p-n-переходов в кремнии от процесса к процессу, изготавливаемых методом высококонцентрационной диффузии мышьяка в сильнолегированный кремний р-типа проводимости в эвакуированной ампуле, путем управления и стабилизации условий охлаждения кварцевой ампулы с кремниевыми планарными p-n-структурами непосредственно после высокотемпературного диффузионного процесса.

Указанная цель обеспечивается способом, по которому пластины полупроводника 1 и источник диффузии 2 загружают в кварцевую ампулу 3, закрывают вход ампулы кварцевой шлиф-пробкой 4, заваривают круговым швом 5 по месту соединения ампулы 3 с шлиф-пробкой 4, ампулу вакуумируют, подсоединяя ее с помощью штенгеля 6 к вакуумному посту, отпаивают по штенгелю (фиг.1), помещают в кварцевую трубу 7 диффузионной печи 8 (фиг.4), выдерживают ампулу 3 в диффузионной печи 8 в течение заданного времени при заданной температуре, извлекают из печи 8 с помощью кварцевой лодочки 9 на металлическую подставку 10, ампулу вскрывают (разрушают) после охлаждения в условиях окружающей среды до комнатной температуры, извлекают из нее кремниевые пластины 1 и проводят измерение электрических параметров полученных таким образом диффузионных p-n-структур, в котором согласно изобретению извлеченную из диффузионной печи 8 после высокотемпературного диффузионного отжига ампулу 3 без промедления принудительно охлаждают потоком холодной воды, управляемым по скорости и температуре.

При охлаждении раскаленной ампулы холодной водой герметичность ампулы сохраняется, так как кварц отличается чрезвычайно низким коэффициентом температурного расширения.

Цель изобретения обеспечивается также тем, что предложено устройство 13, фиг.4, содержащее емкость 14 с определенным количеством воды, термостат 15, трубопровод 16 с вентилем 17 для подачи воды в другую емкость с отверстиями (душ) 18, представляющую собой металлическую коробку 19 с отверстиями 20, фиг.5, непосредственно под которой помещается ампула 3 после извлечения ее из кварцевой трубы 7. В предпочтительной форме выполнения устройства 13 изготовление душа 18 предусмотрено в виде прямоугольной металлической коробки 19 с отверстиями 20, фиг.5, длина и ширина которой соответствуют габаритам охлаждаемой ампулы 3. Количество и величина отверстий в душе 18 определяют скорость подачи воды.

На фиг.6 представлены зависимость и дисперсия напряжения пробоя диффузионных p-n-структур, полученных в условиях естественного и принудительного последиффузионного охлаждения ампул с кремниевыми пластинами, от удельного сопротивления кремния (режим диффузии 1150°C, 60 мин).

Сущность изобретения поясняется чертежами.

На фиг.1 изображена откачанная до низкого давления вакуумированная кварцевая ампула с кремниевыми пластинами и источником диффузии:

1- кремниевые пластины; 2 - источник диффузии; 3 - кварцевая ампула; 4 - кварцевая шлиф-пробка; 5 - место спая ампулы 3 с шлиф-пробкой 4; 6 - штенгель.

На фиг.2 изображена схема типового устройства для диффузии легирующих примесей в кремний в замкнутом объеме:

1 - кремниевые пластины; 2 - источник диффузии; 3 - ампула; 4 - кварцевая шлиф-пробка; 5 - место спая колбы 3 с шлиф-пробкой 4; 6 - штенгель; 7 - кварцевая труба; 8 - диффузионная печь; 9 - кварцевая лодочка; 10 - металлическая подставка; 11 - бокс; 12 -дверца бокса.

На фиг.3 изображена область компенсации прецизионного термокомпенсированного стабилитрона с напряжением стабилизации 6.3 В.

На фиг.4 изображена диффузионная печь 8 с устройством 13 для стабилизированного (воспроизводимого) процесса диффузии легирующих примесей в кремний в замкнутом объеме с управляемым охлаждением кварцевой ампулы 3 с кремниевыми пластинами 1 после высокотемпературного диффузионного отжига:

1 - кремниевые пластины; 2 - источник диффузии; 3 - кварцевая ампула; 4 - кварцевая шлиф-пробка; 5 - место спая ампулы 3 с шлиф-пробкой 4; 6 - штенгель; 7 - кварцевая труба; 8 - диффузионная печь; 9 - кварцевая лодочка; 10 - металлическая подставка; 11 - бокс; 12 - дверца бокса; 13 - устройство для стабилизированного (воспроизводимого) процесса диффузии легирующих примесей в кремний в замкнутом объеме с управляемым охлаждением кварцевой ампулы 3 с кремниевыми пластинами 1 после высокотемпературного диффузионного отжига; 14 - термостатированная емкость с водой; 15 - термостат; 16 - трубопровод; 17 - вентиль; 18 - металлический душ.

На фиг.5 изображена металлическая емкость с отверстиями (душ 18), в которую подается определенный объем воды из термостатированной емкости 14 (фиг.4):

16 - трубопровод; 18 - металлический душ; 19 - металлическая коробка; 20 - отверстия в металлической коробке.

На фиг.6 изображена зависимость и дисперсия напряжения пробоя диффузионных p-n-структур, полученных в условиях естественного и принудительного последиффузионного охлаждения ампул с кремниевыми пластинами, от удельного сопротивления кремния (режим диффузии 1150°C, 60 мин):

• - принудительное охлаждение холодной водой; ° - охлаждение в естественных условиях окружающей среды.

Пример осуществления предлагаемого изобретения.

В полированных кремниевых пластинах р-типа проводимости (марка - КДБ) с низким удельным сопротивлением ρv (0.001÷0.06) Ом·см диффузией мышьяка в эвакуированной кварцевой ампуле в режиме 1150°C, 60 мин формировали планарные p-n-структуры с различными напряжениями пробоя.

Для этого в кварцевую ампулу 3 (см. фиг.1) загружали кремниевые пластины 1 и источник диффузии 2 - кристаллы мышьяка. Ампулу 3 закрывали шлиф-пробкой 4 и заваривали с помощью кислородно-водородной горелки по месту ее соединения 5 с шлиф-пробкой 4. Затем ампулу 3 подсоединяли к типовому откачному посту с помощью штенгеля 6, откачивали до давления ~10-4 мм рт.ст. и отпаивали по штенгелю 6.

Вакуумированную ампулу 3, загруженную кремниевыми пластинами 1 и источником диффузии 2, помещали с помощью специальной кварцевой лодочки 9 (см. фиг.4) в диффузионную печь 8 и проводили диффузионный отжиг в режиме 1150°C, 60 мин. Затем ампулу 3 на кварцевой лодочке 9 извлекали из высокотемпературной рабочей зоны диффузионной печи 8 в примыкающий к диффузионной печи 8 бокс 11 на специальную металлическую подставку 10 так, чтобы ампула 3 находилась непосредственно под металлическим душем 18 для подачи воды. Далее без промедления закрывали дверцу 12 бокса 11 и открывали водяной вентиль 17 на трубопроводе 16, соединяющем емкость с водой 14 и душ 18, для подачи определенного количества воды (2 л и 4 л), термостатированной в емкости 14 при температуре 30±3°C, с расходом воды 400 мл/мин.

Охлажденную таким образом ампулу 3 извлекали из бокса 11, помещали в типовой технологический скафандр, разбивали по месту спая 5 с шлиф-пробкой 4, выгружали из ампулы кремниевые пластины 1 и проводили измерение напряжения пробоя p-n-структур, сформированных в кремниевых пластинах в процессе диффузионного отжига. Таким образом проведено по 3 процесса с расходом воды соответственно 2 и 4 л.

Также для сравнения проведено 3 процесса с естественным охлаждением ампул 3, оставленных на металлической подставке 10 в изменяющихся условиях окружающей среды. Колебания температуры окружающей среды при проведении этих процессов составили ~7°С.

Результаты измерения напряжения пробоя полученных таким образом диффузионных p-n-структур приведены в табл.1 и на фиг.6. Видно, что по способу диффузии As с контролируемыми стабилизированными условиями последиффузионного охлаждения ампул (кремниевых пластин с p-n-структурами) дисперсия напряжения пробоя p-n-структур (ΔUпроб) на ~50% ниже по сравнению с дисперсией Uпроб p-n-структур, полученных в условиях естественного последиффузионного охлаждения ампул, что свидетельствует об эффективности предлагаемого способа управления электрическими характеристиками низковольтных p-n-структур, в частности, используемых в конструкции термокомпенсированного низковольтного стабилитрона, диффузией легирующих примесей по методу закрытой трубы.

Значимое различие результатов, полученных для разных стабилизированных условий охлаждения ампул с кремниевыми пластинами (2 и 4 литра воды) свидетельствует также о возможности управления электрическими параметрами низковольтных (менее 7 В) p-n-структур, получаемых методом закрытой трубы, не только за счет температуры и времени процесса диффузии, но также и скорости последиффузионного охлаждения кварцевых ампул с кремниевыми p-n-структурами.

Таблица 1
Разброс (дисперсия) напряжений пробоя p-n-структур, изготовленных диффузией мышьяка в режиме 1150°C, 60 мин в кремний марки КДБ 0.005 методом закрытой трубы с "естественным" и принудительным последиффузионным охлаждением кварцевых ампул
Условия охлаждения ампул Среднее значение Uпроб, В Значения ΔUпроб (отклонение от среднего значения Uпроб), В, p-n-структур в зависимости от условий охлаждения ампул
1 процесс 2 процесс 3 процесс
Естественное охлаждение 5.4 0.41 0.54 0.59
Охлаждение водой 2 литра 5.1 0.12 0.16 0.14
4 литра 4.9 0.09 0.05 0.06

Литература

1. Sittig M., Doping & Semiconductor Jen. Formation, Electronics Materials Review, No.4, 1970, pp.153-158, 187-189, 191-193, 206-210.

2. Красников Г.Я. Технология изготовления микросхем субмикронных размеров. М.: Техносфера, 2010, ч.1, стр.134-192.

3. Зи С.М. Технология СБИС. М.: Мир, 1986, кн.1, стр.224-290.

4. Chung V.V. и др. Диффузия примеси в кремнии. Вьетнам, Proc. Natl. Conf., 2012, v.35, стр.73-79, Ханойский университет.

5. В.К. Аладинский. Пробой в узких кремниевых р-n-переходах. - Радиотехника и электроника, 1965. Т.10, №1, с.104-111.

6. В.К. Аладинский. Пробой в узких германиевых р-n-переходах. - Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы, 1967. №5, с.87-97.

7. Schwenker R., Pane S., Leverr F. Arsenic clustering in Silicon. - J. Appl. Phys., 1971, v.42, №8, pp.3195-3200.

8. Александров О.В. Диффузия, сегрегация и электрическая активация легирующих примесей в диффузионных и имплантационных слоях кремния. Диссертация к.т.н. г.Минск, 2003.

9. В.К. Аладинский. Теоретическое и экспериментальное исследование электронных процессов при пробое р-n-переходов и некоторые аспекты их практического применения. Диссертация д.ф.-м.н., М., 1974.

10. Скорняков С.П. Патент на изобретение №2162622. Низковольтный термокомпенсированный стабилитрон и способ его изготовления. Опубл. 27.01.2001.

1. Способ управления и стабилизации скорости последиффузионного охлаждения низковольтных кремниевых р-n-структур, включающий вакуумирование и герметизацию кварцевых ампул с кремниевыми пластинами и источником диффузии, проведение высокотемпературного диффузионного отжига ампулы с пластинами и источником диффузии, извлечение ампулы из диффузионной печи, вскрытие ампулы, извлечение кремниевых пластин из ампулы и измерение электрических параметров кремниевых р-n-структур, отличающийся тем, что, с целью обеспечения воспроизводимости и управления электрическими параметрами р-n-структур с напряжением пробоя менее 7 В, ампулы после высокотемпературного диффузионного отжига принудительно охлаждают потоком холодной воды, управляемым по скорости и температуре.

2. Устройство для осуществления способа по п.1, содержащее диффузионную печь с кварцевой трубой, кварцевую лодочку для извлечения кварцевой ампулы с кремниевыми пластинами и источником диффузии в примыкающий к диффузионной печи бокс на подставку для охлаждения ампулы, отличающееся тем, что предлагаемое устройство содержит термостатированную емкость с определенным количеством воды, трубопровод с вентилем для подачи воды в емкость с отверстиями (душ), непосредственно под которой помещается ампула после извлечения ее из диффузионной печи.

3. Устройство по п.2, отличающееся тем, что в предпочтительной форме выполнения устройства предусмотрено изготовление душа в виде прямоугольной металлической коробки с отверстиями, длина и ширина которой соответствуют габаритам охлаждаемой ампулы.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к технологии проведения диффузии галлия для формирования р-области при изготовлении полупроводниковых приборов. Изобретение обеспечивает уменьшение разброса значений поверхностной концентрации и получение равномерного легирования по всей поверхности подложек.
Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых мощных транзисторов, в частности может быть использовано для формирования активной ρ-области. Техническим результатом изобретения является уменьшение разброса значений поверхностных концентраций и получение равномерного легирования по длине лодочек.
Изобретение относится к технологии получения мощных кремниевых транзисторов, в частности к способам получения фосфоросиликатного стекла для формирования p-n-переходов.

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, в частности к технологии изготовления р-п-переходов в кремнии методом "закрытой трубы" - методом откачанной запаянной кварцевой ампулы.
Изобретение относится к технологии создания полупроводниковых приборов, в частности к области конструирования и производства мощных биполярных кремниевых СВЧ-транзисторов.

Изобретение относится к технологии изготовления оптоэлектронных приборов, в частности солнечных фотоэлектрических элементов (СФЭ). .
Изобретение относится к устройствам, предназначенным для удержания полупроводниковых пластин во время диффузионной обработки. .
Изобретение относится к устройствам, предназначенным для удержания полупроводниковых пластин во время диффузионной термообработки при изготовлении полупроводниковых приборов.
Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов и полупроводниковых приборов, в частности к способам обработки карбид-кремниевой трубы, применяемой для проведения высокотемпературных процессов в диффузионных печах.
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС), в частности к способам диффузии фосфора. .

Изобретение относится к области синтеза тонких пленок на поверхности полупроводников AIIIBV и может быть применено в технологии создания твердотельных элементов газовых сенсоров. Технический результат изобретения заключается в создании на поверхности арсенида галлия тонкой оксидной пленки, содержащей прецизионно регулируемое количество легирующей примеси, с использованием простого оборудования экспрессным методом. В способе прецизионного легирования тонких пленок на поверхности арсенида галлия, включающем обработку поверхности пластины арсенида галлия концентрированной плавиковой кислотой в течение 10 минут, промывку пластины дистиллированной водой, сушку на воздухе, окисление пластины в присутствии активного хемостимулятора - оксида свинца (II) - при температуре 530°C, скорости потока кислорода 30 л/ч в течение сорока минут, согласно изобретению окисление проводится в присутствии оксида иттрия (III), причем его количественное содержание варьируется от 0 до 100 мол.% от оксида свинца (II). 1 ил.
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и, в частности, может быть использовано для глубокой диффузии фосфора при формировании диффузионных кремниевых структур. Способ диффузии фосфора из твердого планарного источника включает формирование диффузионных кремниевых структур с использованием твердого планарного источника фосфора. Процесс проводят при температуре 900°C на этапе загонки при следующем соотношении компонентов: O2=40±0,5 л/ч; N2=750 л/ч; H2=8 л/ч, и времени, равном 40 минут, на этапе разгонки процесс проводят при температуре 1000°C при следующем расходе газов: O2=40±0,5 л/ч; N2=750 л/ч, и времени разгонки, равном 75 часов. Техническим результатом изобретения является уменьшение температуры и времени проведения процесса, обеспечение точного регулирования глубины диффузионного слоя, получение глубины 180±10 мкм и повышение процента выхода годных изделий.

Изобретение относится к технологии наноэлектронных устройств на основе графена. Электронное устройство на основе графена включает в себя слой графена, имеющий первую работу выхода, и пленку оксида металла, расположенную на слое графена, причем пленка оксида металла имеет вторую работу выхода, превышающую первую работу выхода. Электроны переносятся из слоя графена к пленке оксида металла, образуя слой накопления дырок в слое графена. Изобретение исключает повреждение графеновой решетки и возникновение дефектов, ухудшающих рабочие характеристики устройства. 4 н. и 29 з.п. ф-лы, 16 ил.
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и мощных кремниевых транзисторов, в частности к способу формирования истоковой области силового транзистора. Техническим результатом изобретения является оптимизация процесса формирования истоковой области кремниевой транзисторной структуры, уменьшение температуры и времени проведения процесса, обеспечение точного регулирования глубины легируемого слоя и повышение процента выхода годных изделий. В способе формирования истоковой области силового транзистора диффузию проводят с использованием твердого планарного источника фосфора на этапе загонки фосфора при температуре T 1125°C и времени 40 мин при следующем соотношении компонентов: O2 40±0,5 л/ч, N2 750 л/ч, H2 8 л/ч, и на этапе разгонки фосфора при температуре 1250°C при расходах кислорода O2 40±0,5 л/ч и азота N2 750 л/ч и времени 72 ч.

Изобретение относится к печи для использования при термической обработке полупроводниковых подложек. Печь термической обработки полупроводниковых подложек включает цилиндрическую трубчатую оболочку, оба конца которой имеют проемы такого размера, чтобы обеспечить возможность введения и извлечения полупроводниковых подложек, нагреватель, крышки, каждая из которых разъемно установлена на трубчатой оболочке, тонкий газовпускной патрубок, расположенный у центра трубчатой оболочки в продольном измерении и тонкий газовпускной патрубок, проходящий сквозь одну из крышек. При непрерывной термической обработке, которая включает перемещение лодочек с полупроводниковыми подложками, перемещение первой лодочки с термообработанными полупроводниковыми подложками из одного из проемов трубчатой оболочки и перемещение второй лодочки в другой из проемов трубчатой оболочки выполняются в то же время, когда газ высокой степени чистоты вводится из тонкого газовпускного патрубка, расположенного у центра трубчатой оболочки в продольном измерении. Это снижает время ожидания между партиями в процессе последовательной термической обработки полупроводников, увеличивая тем самым производительность. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 10 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления биполярных транзисторов с пониженными токами утечек. Изобретение обеспечивает снижение значений токов утечек, повышение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение надежности и увеличение процента выхода годных. В способе изготовления полупроводникового прибора базовую область создают путем диффузии бора из анодных оксидных пленок в кремнии при температуре 1473 К в течение 90 мин в потоке азота 1,2·10-2 л/с. 1 табл.
Наверх