Патенты автора СНИГИРЕВА Ираида Ивановна (FR)
Изобретение относится к области нанотехнологии, описывает способ электрохимического структурирования поверхности материалов и может быть использовано при изготовлении элементов микроэлектроники, однослойных и многослойных печатных плат, оптических элементов, а также других тонкопленочных структур. Сущность изобретения заключается в проведении гальванической обработки материала при одновременном облучении поверхности рабочего электрода рентгеновским излучением. Технический результат - возможность локального (с точностью до 10 нм) ускорения/замедления процессов, протекающих на интерфейсе электрод/электролит. 8 з.п. ф-лы, 5 ил.
