Патенты автора Петухов Иван Николаевич (RU)
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НИКЕЛЕВЫХ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ КОНТАКТОВ НА ПОВЕРХНОСТИ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ // 2777305
Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению и может быть использовано для изготовления контактов в производстве термоэлементов. Способ включает механическую обработку, химическую обработку поверхности ТЭМ и химическое осаждение никеля из электролита. Химическую обработку поверхности ТЭМ проводят в хромовой смеси, содержащей 0,59-0,63 моль/л K2Cr2O7 и 4-5 моль/л H2SO4. Химическое осаждение никеля проводят в борогидридном электролите, содержащем NiSO4⋅7H2O 0,089-0,107 моль/л; KNaC4H4O6⋅4H2O 0,25-0,28 моль/л; NaOH 1,5-2 моль/л; C2H5NO2 0,67-0,80 моль/л; NaBH4 0,03-0,04 моль/л с добавлением K2Cr2O7 1,5-1,8⋅10-5 моль/л; при рН=10-13 и температуре 85-90°С. Предложенный способ изготовления никелевых контактов обеспечивает повышение однородности и равномерности пленки никелевого контакта, высокую чистоту осажденного никеля и низкое удельное сопротивление, высокую адгезию и низкое контактное сопротивление в структуре ТЭМ - никелевый контакт. Для реализации химического осаждения никеля, перед химическим осаждением никеля, на поверхности ТЭМ ионно-плазменным напылением формируется подслой никеля при температуре 180-200°С, перед напылением поверхность ТЭМ подвергается вакуум-термическому отжигу и ионной бомбардировке. 1 з.п. ф-лы, 5 ил., 2 табл.
Изобретение относится к области микроэлектронной техники и может быть использовано при высокоплотном монтаже полупроводниковых кристаллов на различные платы с большим количеством контактных межсоединений, а также при 3-D монтаже кристалла на кристалл. Изобретение обеспечивает снижение трудоемкости изготовления вертикальных контактных структур, повышение их качества и повышение количества получаемых структур на единицу площади. В способе изготовления вертикальных контактных структур на полупроводниковых пластинах или печатных платах при электрохимическом осаждении материала вертикальной контактной структуры в постоянном магнитном поле силовые линии постоянного магнитного поля направлены перпендикулярно поверхности осаждения, при этом уже осажденный магнитный материал, являющийся основанием вертикальной контактной структуры, выступает как концентратор магнитного поля, а изменение боковой поверхности контактной структуры, формируемой выше толщины фоторезиста, может изменяться при создании градиента постоянного магнитного поля. 4 з.п. ф-лы, 12 ил.
Изобретение относится к области нанотехнологии и наноэлектроники. Способ формирования наноразмерной пленки карбида вольфрама включает нанесение на полупроводниковую или диэлектрическую подложку в процессе импульсно-плазменного осаждения на двуканальной установке импульсного осаждения электроэрозионной дуговой плазмы двухслойной структуры покрытия суммарной толщиной 5 нм, состоящей из пленки вольфрама и пленки углерода, и карботермический синтез в вакууме при давлении не выше 5·10-4 Па и температуре не более 450°C не более 10 мин со скоростью нагрева и охлаждения не менее 25 град/мин при соотношении толщин пленок вольфрама и углерода 5:1 и 3,5:1. Изобретение обеспечивает возможность формирования пленок карбида вольфрама в технологии кремниевых интегральных схем в качестве диффузионных барьеров и сверхтвердых покрытий. 2 з.п. ф-лы, 7 ил.
