Патенты автора Осин Юрий Николаевич (RU)
Изобретение относится к оптике, а именно к способам изготовления устройств, служащих для анализа химических веществ при использовании эффекта поверхностно-усиленного комбинационного рассеяния света молекулами, находящимися вблизи наноструктур из серебра, проявляющих плазмонный резонанс электронов проводимости, колебания которых создает локальное электромагнитное поле. Данные устройства предназначены для определения малых концентраций органического вещества при возбуждении его лучом лазера в видимом диапазоне и выполнены на основе подложек из пористого кремния с поверхностными наноструктурами из серебра. Способ изготовления чувствительных к гигантскому комбинационному рассеянию света подложек с поверхностью из пористого кремния заключается в формировании заданной структуры на поверхности исходной пластины монокристаллического кремния, путем имплантации ионами серебра с энергией 4-120 кэВ, дозой облучения, обеспечивающей концентрацию вводимых атомов металла в облучаемом слое кремния 1.0⋅1019-6.5⋅1023 атомов/см3, и плотностью тока ионного пучка 2⋅1012-1⋅1014 ион/см2с. Техническим результатом изобретения является обеспечение возможности изготовления чувствительных к гигантскому комбинационному рассеянию света подложек с поверхностью из пористого кремния, содержащего наночастицы серебра не химическим способом и за один технологический цикл в вакууме. 10 ил.
Изобретение относится к оптоэлектронике, а именно к способам изготовления периодических микроструктур на основе материалов с фазовой памятью - халькогенидных стеклообразных полупроводников, выполненных на поверхности оптически прозрачных материалов. Изобретение обеспечивает возможность изготовления фазовых периодических микроструктур на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников за один технологический цикл в вакууме. В способе изготовления фазовых периодических микроструктур на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников, заключающемся в формировании на поверхности исходной подложки элементов заданной микроструктуры, формирование периодической микроструктуры осуществляют с помощью имплантации ионами серебра с энергией 4-100 кэВ, дозой облучения 1.0⋅1015 - 6.5⋅1020 ион/см2 и плотностью тока ионного пучка 2-50 мкА/см2 через поверхностную маску. 3 ил.
АЛМАЗНАЯ ДИФРАКЦИОННАЯ РЕШЕТКА // 2661520
Изобретение относится к области оптического приборостроения и касается алмазной дифракционной решетки для видимого диапазона. Дифракционная решетка содержит алмазную подложку с внедренной в ее поверхность дифракционной периодической микроструктурой. Элементами дифракционной периодической микроструктуры являются графитизированные области на поверхности монокристаллического алмаза, подвергнутые ионному облучению ионами бора и характеризуемые другой диэлектрической проницаемостью относительно материала подложки. Технический результат заключается в обеспечении возможности создания дифракционной решетки на монокристаллическом алмазе с возможностью ее использования, как для отраженного, так и для проходящего света. 10 ил.
Способ включает в себя формирование заданной периодической микроструктуры на поверхности полированного алмаза с помощью имплантации ионами бора с энергией 10-100 кэВ, дозой облучения 1⋅1015-1.0⋅1020 ион/см2 через поверхностную маску. Технический результат заключается в обеспечении возможности изготовления алмазных дифракционных решеток при помощи непрерывной имплантации ионами бора. 10 ил.
Изобретение относится к устройствам дифракционных периодических микроструктур для видимого диапазона, выполненным на основе пористого кремния. Техническим результатом изобретения является создание дифракционной периодической микроструктуры на основе пористого кремния с различными металлосодержащими наночастицами. В дифракционной периодической микроструктуре на основе пористого кремния, содержащей подложку, выполненную из монокристаллического кремния с дифракционной периодической микроструктурой, сформированная дифракционная периодическая микроструктура на основе пористого кремния содержит ионно-синтезированные металлосодержащие наночастицы, диспергированные в приповерхностной области подложки на толщине слоя от 10 до 200 нм при концентрации металла 2.5·1020-6.5·1023 атомов/см3. 20 ил.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИФРАКЦИОННОЙ ПЕРИОДИЧЕСКОЙ МИКРОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ // 2593912
Способ изготовления дифракционной периодической микроструктуры на основе пористого кремния включает в себя формирование заданной дифракционной периодической микроструктуры с помощью имплантации ионами благородных или переходных металлов через поверхностную маску, с энергией 5-100 кэВ. При этом доза облучения обеспечивает концентрацию вводимых атомов металла в облучаемой подложке кремния 2.5·1020-6.5·1023 атомов/см3. Плотностью тока ионного пучка 2·1012-1·1014 ион/(см2·с) при температуре подложки во время облучения 15-450°C. Технический результат заключается в обеспечении возможности изготовления дифракционных периодических микроструктур на основе пористого кремния с наночастицами различных металлов в вакууме. 20 ил.
Изобретение относится к способу изготовления дифракционных решеток для видимого диапазона, выполненных на основе полимерных материалов. Способ включает в себя формирование заданной дифракционной периодической микроструктуры на полимерной подложке за счёт имплантации ионов металла с энергией 4-1200 кэВ, дозой облучения, которая обеспечивает концентрацию вводимых атомов металла 2.5·1020 - 6.5·1022 атомов/см3 в облучаемой подложке. В качестве подложки используют несветочувствительный полимер плотностью тока ионного пучка 1.5·1012 - 3.5·1013 ион/см2·с через поверхностную маску. Технический результат заключается в обеспечении возможности изготовления дифракционных решеток для видимого диапазона на основе несветочувствительных типов полимеров с наночастицами различных металлов. 10 ил.
ДИФРАКЦИОННАЯ РЕШЕТКА НА ПОЛИМЕРНОЙ ОСНОВЕ // 2561197
Изобретение относится к дифракционной решетке для видимого диапазона, выполненной на основе полимерных материалов. Дифракционная решетка содержит подложку, выполненную из полимерного материала с дифракционной периодической микроструктурой. В качестве полимерного материала подложки использован несветочувствительный полимер, а сформированная дифракционная периодическая микроструктура содержит ионно-синтезированные металлические наночастицы, диспергированные в приповерхностной области подложки на толщине слоя от 20 до 500 нм при концентрации металла 2.5·1020 - 6.5·1022 атомов/см3. Технический результат заключается в обеспечении возможности дифракционных решёток на основе несветочувствительных типов полимеров с наночастицами различных металлов. 10 ил.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ // 2547515
Изобретение относится к технологии изготовления слоев пористого кремния, выполненных на поверхности монокристаллического кремния, которые могут быть использованы в оптике и оптоэлектронике. Способ заключается в формировании на поверхности исходной подложки монокристаллического кремния слоя пористого кремния путем ионной имплантации ионами металлов серебра или кобальта с энергией 10-50 кэВ, дозой облучения, обеспечивающей концентрацию вводимых атомов металла в облучаемой подложке 3·1020-6·1023 атомов/см3, плотностью тока ионного пучка 2·1012-1·1014 ион/см2 с и при температуре подложки во время облучения 20-400°C. Изобретение обеспечивает возможность изготовления слоев пористого кремния непосредственно на поверхности монокристаллического кремния методом ионной имплантации с исключением из технологической цепочки операции высокотемпературного отжига получаемых изделий. 9 ил., 3 пр.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИФРАКЦИОННОЙ РЕШЕТКИ // 2544873
Изобретение относится к оптике. Способ изготовления дифракционной решетки заключается в формировании на поверхности исходной подложки элементов заданной структуры дифракционной решетки путем ионной имплантации через поверхностную маску, при этом имплантацию осуществляют ионами металла с энергией 5-1100 кэВ, дозой облучения, обеспечивающей концентрацию вводимых атомов металла в облучаемой подложке 3·1020-6·1022 атомов/см3, плотностью тока ионного пучка 2·1012-1·1014 ион/см2с в оптически прозрачную диэлектрическую или полупроводниковую подложку. Изобретение обеспечивает возможность изготовления дифракционных решеток на поверхности оптически прозрачных диэлектрических или полупроводниковых материалов, характеризуемых повышенным контрастом в коэффициентах отражения между отдельными элементами решетки, что позволит улучшить их дифракционную эффективность и даст возможность использования как для отраженного, так и для проходящего света. 8 ил., 3 пр.
ДИФРАКЦИОННАЯ РЕШЕТКА // 2541495
Изобретение может быть использовано, в том числе, для введения в тонкопленочные волноводы лазерного излучения или фильтрации в волноводе оптического сигнала, для исследования и контроля напряжений деформаций тонкого слоя на поверхности твердого тела методом муаровых картин, как тонкопленочный температурный сенсор при постоянном или импульсном режиме нагрева материалов в агрессивных средах. Дифракционная решетка для видимого диапазона содержит подложку с внедренной в ее поверхность дифракционнной периодической микроструктуой, элементами которой являются области, подвергнутые ионному облучению и характеризуемые другой диэлектрической проницаемостью относительно материала подложки. Подложка выполнена из оптически прозрачного диэлектрического или полупроводникового материала. Дифракционная периодическая микроструктура содержит ионно-синтезированные металлические наночастицы, диспергированные в приповерхностной области подложки на толщине слоя от 20 до 100 нм при концентрации металла 3·1020-6·1022 атомов/см3. Технический результат - улучшение контраста и возможность использования как для отраженного, так и для проходящего света. 8 ил.
