Патенты автора Бочегов Василий Иванович (RU)
ОХЛАЖДАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО // 2576414
Изобретение относится к твердотельной криогенике, а именно к холодильникам на эффекте Пельтье с применением магнитного поля (продольный гальвано-термомагнитный эффект), и может быть использовано при охлаждении малых объектов. В охлаждающем устройстве, содержащем термоэлемент с n-ветвью 10 из сплава Bi-Sb и пассивной p-ветвью 9 из металла, размещенный в магнитном поле, n-ветвь выполнена с монотонно увеличивающейся по ее длине от горячего спая к холодному концентрацией сурьмы в сплаве, которая вычисляется по формуле
∇C=∇T·(Eg/Tг·
δ
),
где ∇C - градиент концентрации сурьмы в сплаве, ат%·см-1, Eg - среднее значение ширины зазора между валентной зоной и зоной проводимости n-ветви, мэВ, Тг - температура горячего спая термоэлемента, К, ∇Т - градиент температуры по n-ветви, К/см, δ - быстрота нарастания ширины зазора между валентной зоной и зоной проводимости в сплаве с увеличением содержания сурьмы, мэВ/ат%. Повышение термоэлектрической эффективности достигается компенсацией продольного изменения (градиента) напряженности электрического поля поперечных гальвано- и термомагнитных эффектов, вызванного перепадом температуры по длине ветви, изменением концентрации сурьмы в сплаве вдоль ветви. 1 ил.
Изобретение относится к производству полупроводниковых материалов, в частности к получению термоэлектрических бинарных сплавов типа висмут-сурьма, применяемых для изготовления варизонных полупроводников для термоэлектрических элементов малогабаритных холодильников Пельтье, работающих в интервале температур 100-200 К. Способ получения длинномерного слитка постоянного сечения из термоэлектрических бинарных сплавов типа висмут-сурьма включает плавление и кристаллизацию слитка, причем проводят направленную кристаллизации со скоростью 20-30 мм/ч, а затем проводят однократную зонную плавку в обратном направлении со скоростью 0,2-0,5 мм/ч при ширине зоны, равной 0,15-0,30 длины слитка. Техническим результатом изобретения является повышение термоэлектрической добротности сплавов в магнитном поле и без него путем создания близкого к линейному распределения концентрации компонентов сплава по длине полученного слитка. 1 ил., 1 пр.
Изобретение относится к устройствам, используемым при выращивании кристаллов путем направленной кристаллизации из расплава в вакуумированной ампуле для отвода тепла от затравки, выделяемого в процессе кристаллизации. Радиатор выполнен в виде трубчатой оплетки 7 из медной проволоки диаметром 0,1-0,3 мм, надетой на наружную поверхность ампулы 1 в месте размещения затравки 3 таким образом, что меньшая часть затравки 3 остается не перекрытой, а часть оплетки 7 свисает с ампулы 1. Радиатор обеспечивает надежный тепловой отток от фронта кристаллизации, увеличивает вероятность прорастания моноблочного кристалла высокого качества, при этом он прост по конструкции, в изготовлении и эксплуатации. 1 ил.
Изобретение относится к методам крепления затравки при получении монокристаллов полупроводниковых и металлических материалов из расплава. Для крепления затравки в горизонтальном стеклянном вакуумированном контейнере проводят расплавление большей части затравки со стороны, противоположной месту затравливания, и расплав кристаллизуют в контакте со стенками контейнера. За счет повышения надежности механического крепления затравки и улучшения ее теплового контакта со стенками контейнера увеличивается выход моноориентированного кристалла высокого качества. 1 пр.
