Патенты автора Гурин Сергей Александрович (RU)
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ КАТАЛИТИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ // 2749729
Изобретение относится к способу получения многослойных металлических наноструктурированных покрытий на поверхностях полимерных ионообменных мембран, включающему создание каталитического слоя на мембране из металлов платиновой группы, при этом каталитический слой формируют в виде пористой двухслойной наноструктуры, причем первый нанометровый пористый каталитический слой получают путем вакуумного испарения металла платиновой группы при низких температурах в вакууме при разрежении от 5⋅10-7 до 5⋅10-5 мм рт. ст., при этом вакуумное напыление первого каталитического слоя производят с помощью испарителя, на который подают ток величиной от 300 до 600 А, и регулируют величину тока до значений, обеспечивающих равномерное кипение металла без перегрева расплава, при этом первый слой создает основу для последующей пористой структуры катализатора на ионообменной мембране, а второй слой получают химическим осаждением металла платиновой группы, например платины из водного раствора с концентрацией H2PtCl6 от 0,8 до 4 г/л, N2H4 от 0,8 до 1,2 г/л, NH4OH (концентрированный) – до 200 мл/л, путем погружения в него ионообменной мембраны с нанесенным первым каталитическим слоем на 15-45 минут при температуре 20-22°С, причем мембрану предварительно выдерживают в дистиллированной воде в течение 6-12 часов при температуре 20-22°С, при этом он выполняет контактную функцию катализатора, развивает пористую структуру первого слоя и обеспечивает упрочнение покрытия. Технический результат заключается в повышении производительности работы и увеличении срока службы мембран за счет увеличения механической прочности и долговечности каталитического слоя, создании катализатора с поверхностью, обладающей высокой активной удельной площадью. 2 з.п. ф-лы, 6 ил., 3 пр.
Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано при изготовлении микромеханических датчиков, таких как акселерометры, датчики угловой скорости, чувствительные элементы которых выполнены из диэлектрического материала. Способ получения рельефа в диэлектрической подложке заключается в том, что наносят на подложку защитную маску в виде многослойной системы двух материалов с различной толщиной слоев, формируют конфигурацию защитной маски, осуществляют травление подложки и удаляют защитную маску. Первый и второй защитные слои, образующие защитную маску, имеют разную конфигурацию, травление диэлектрической подложки проводят в два этапа, включающих первое травление диэлектрической подложки на определенную глубину и травление первого защитного слоя защитной маски, второе травление диэлектрической подложки на заданную глубину и удаление защитной маски полностью. Технический результат заключается в повышении прочности микромеханических датчиков за счет исключения концентраторов механических напряжений в местах переходов «исходная подложка - травленая поверхность». 5 ил.
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов микроэлектромеханических систем, в частности интегральных микромеханических реле и устройств на их основе. Технический результат: повышение надежности и временной стабильности интегрального микромеханического реле. Сущность: способ изготовления интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем (7), осуществляется на поверхности кремниевых пластин в едином технологическом цикле при технологии изготовления, совместимой с технологией производства интегральных схем. Для этого формируют на поверхности кремниевой подложки (1) диэлектрический слой (2) из пленки SiO2 методом термического окисления; напыляют токопроводящий слой TiN (3) и формируют неподвижный электрод методом ионно-лучевого напыления и травления с использованием проекционной лазерной фотолитографии. Осаждают слой Si3N4 методом CVD с подготовкой его в качестве жертвенного слоя с последующим плазменным травлением. Напыляют первый токопроводящий слой TiN (4), осаждают диэлектрический слой SiC (5) с высокими упругими свойствами методом магнетронного напыления Напыляют второй токопроводящий слой TiN (6). Осаждают пьезоэлектрический слой ЦТС (7). Напыляют третий токопроводящий слой TiN (8). Затем проводят плазмохимическое травление слоев: третьего токопроводящего слоя TiN (8), пьезоэлектрического слоя ЦТС (7), второго токопроводящего слоя TiN (6), диэлектрического слоя SiC (5) с высокими упругими свойствами, первого токопроводящего слоя TiN (4) с формированием подвижного многослойного электрода и вскрытием жертвенного слоя Si3N4. Травление жертвенного слоя Si3N4 проводят с образованием воздушного зазора между неподвижным и подвижным электродами. 1 ил.
Изобретение относится к области электронной техники, а именно к средствам измерения, в конструкции которых применен тензорезистивный элемент на металлической подложке, изготовленный с использованием тонкопленочной технологии. Способ изготовления тонкопленочных резисторов включает последовательное напыление на диэлектрическую подложку резистивной и проводящей пленок, формирование микрорисунка резисторов методом фотолитографии с последующей термообработкой инфракрасным излучением при температуре рекристаллизации резистивной пленки. Термообработку осуществляют кратковременно в вакууме в течение 15-30 минут и после чего проводят термостабилизацию на воздухе при температуре 220±30°C в течение 15-35 минут. Термообработку в вакууме осуществляют при давлении P=(1·10-5-5·10-6) мм рт.ст. Технический результат заключается в повышении стабильности резистивного элемента, расширении рабочих температур датчиков при эксплуатации и обеспечении высокой точности измерения давления в течение длительного времени их работы. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.
Изобретение относится к области электронной техники, в частности технологии изготовления датчиков, преимущественно тензометрических датчиков давления. Способ стабилизации упругого элемента датчика давления с тензорезисторами заключается в термостабилизации упругого элемента с циклическим разогревом тензорезисторов до температур. Высокотемпературный отжиг проводят в вакууме в три цикла до температуры 350±10°C, с выдержкой по ее достижению в течение 30 минут с последующим понижением температуры до 100±10°C после каждого цикла, после чего проводят термостабилизацию на воздухе при температуре 250±10°C с последующим контролем изменения (ухода) номиналов сопротивлений тензорезисторов для отбраковки потенциально негодных элементов. Термостабилизацию в вакууме и на воздухе проводят на стадии формирования схемы чувствительного элемента с воздействием на всю структуру упругого элемента датчика давления. Техническим результатом изобретения является повышение стабильности и надежности упругого элемента датчика давления, обеспечение высокой точности измерения давления в течение длительного времени их работы. 1 ил., 1 табл.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ // 2555190
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к преобразователям малых давлений высокотемпературных сред, и может быть использовано в разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых преобразователей давления, работоспособных при повышенных температурах. Полупроводниковый преобразователь давления содержит мембрану с утолщенным периферийным основанием. Мембрана имеет толщину, равную толщине тензорезисторов, сформированных на закрепленном на мембране слое диэлектрика. Тензорезисторы объединены с помощью проводников, имеющих соединенные с ними металлизированные контактные площадки, в мостовую измерительную схему. Мембрана содержит профиль с концентраторами механических напряжений в местах расположения тензорезисторов, который представляет собой сочетание утонченных участков и жестких центров. Кроме того, преобразователь содержит дополнительно сформированный слой диэлектрика, закрепленный с противоположной относительно сформированных тензорезисторов стороны мембраны и равный по толщине и свойствам слою диэлектрика, закрепленному на мембране со стороны тензорезисторов. Техническим результатом изобретения является повышение надежности преобразователя, повышение прочности мембраны и повышение стабильности параметров при повышенных температурах. 1 ил.
