Патенты автора СУЗА Рикардо (FR)
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении пониженного тока поля. Способ для записи в ячейку оперативной памяти (MRAM) с использованием термической операции записи, содержащую магнитный туннельный переход, образованный из слоя запоминания, обладающего намагниченностью запоминания; опорного слоя, обладающего опорной намагниченностью, и туннельного барьерного слоя, расположенного между слоями считывания и запоминания; и линию тока, электрически соединенную с упомянутым магнитным туннельным переходом; причем способ содержит пропускание тока нагрева по магнитному туннельному переходу для нагрева магнитного туннельного перехода; пропускание тока поля для переключения намагниченности запоминания в записанном направлении в соответствии с полярностью тока поля, причем величина тока нагрева является такой, что он действует как спин-поляризованный ток и вызывает регулировку переноса спина по намагниченности запоминания; и полярность тока нагрева является такой, что она вызывает регулировку переноса спина по намагниченности запоминания в упомянутом записанном направлении. 5 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении высокого туннельного магнитосопротивления, равного или большего 150%. Способ для изготовления магнитного туннельного перехода, записываемого спин-поляризованным током, и содержащего туннельный барьерный слой между первым ферромагнитным слоем, имеющим первую намагниченность с фиксированной ориентацией, и вторым ферромагнитным слоем, имеющим вторую свободно ориентируемую намагниченность, и поляризующий слой, имеющий поляризующую намагниченность; содержащий: осаждение первого и второго ферромагнитных слоев и туннельного барьерного слоя; отжиг осажденных ферромагнитных слоев при первой температуре отжига 300°C или выше так, чтобы туннельное магнитосопротивление магнитного туннельного перехода было равно или больше чем 150%; осаждение слоя поляризатора; и отжиг осажденного слоя поляризатора при второй температуре отжига, находящейся в интервале между 150°C и 250°C так, чтобы ориентировать поляризующую намагниченность перпендикулярно первой и второй намагниченности, причем упомянутый отжиг осажденных ферромагнитных слоев при первой температуре отжига выполняется до осаждения слоя поляризатора. 3 н. и 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
