Патенты автора Фоминский Михаил Юрьевич (RU)
Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении тонкопленочных сверхпроводниковых структур. Способ изготовления тонкопленочных туннельных переходов методом раздельной литографии включает формирование первой литографией первого слоя из алюминия, нанесение резиста под вторую литографию второго слоя металла, экспозицию в литографе, проявление резиста, формирование туннельного барьера и напыление второго слоя металла. Перед формированием туннельного барьера проводят удаление естественного окисла и очистку поверхности первого слоя из алюминия путем ионного или плазменного травления, а туннельный барьер формируют на подвергнутой указанному травлению поверхности. Технический результат - упрощение технологии изготовления, не требующей химического травления, и снижение требований на выбор материалов для слоев из нормального металла, а также формирование высококачественного туннельного барьера произвольной контролируемой прозрачности. 5 з.п. ф-лы, 8 ил.
Изобретение относится к детекторам излучения, полевым транзисторам, туннельным усилителям с потоком горячих электронов, МДМДМ туннельным структурам для приема излучения миллиметровых и субмиллиметровых волн. Металл-Диэлектрик-Металл-Диэлектрик-Металл детектор, содержащий металлический проводник поглотителя излучения, контакты к этому проводнику, выполненные размещением контактного материала через прослойку изолятора, отличающийся тем, что металлический проводник поглотителя выполнен в виде пленки металла толщиной 10-30 нм и шириной 0.1-0.5 мкм и отделен от металлического контактного материала внешних тонкопленочных электродов туннельным барьером. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности, снижение шумов, расширение динамического диапазона, расширение диапазона рабочих температур, повышение воспроизводимости и технологичности изготовления такого устройства. 4 з.п. ф-лы, 4 ил.
Способ изготовления устройств с тонкопленочными сверхпроводниковыми переходами включает нанесение двух слоев резиста разной чувствительности, экспозицию в электронном литографе, проявление этих слоев резиста, напыление первого слоя нормального металла или сверхпроводника под углом к подложке, окисление для формирования туннельного барьера, напыление второго слоя пленки сверхпроводника или нормального металла под таким же углом к нормали, удаление (взрывание) резиста, напыление нижней (первой) пленки производится в первую канавку в резисте под углом к нормали, а верхняя (вторая) пленка напыляется во вторую канавку с ортогонального направления после поворота подложки на 90 градусов под таким же углом к нормали, а угол наклона выбирается в зависимости от ширины канавки и толщины верхнего резиста. Изобретение обеспечивает достижение возможности изготовления туннельных переходов с площадью меньше 0,1 мкм2 и точности размеров, повышение надежности и воспроизводимости, улучшение электропроводности и теплопроводности подводящих проводников, расширение диапазона дозы экспозиции электронным литографом с 20% до 50% путем исключения из технологической цепочки формирования висячего мостика из резиста и формирования глубоких канавок в двухслойном резисте для реализации независимого напыления с разных направлений. 2 з.п. ф-лы, 8 ил.
Использование: для приема и генерации излучения в диапазоне частот 100 ГГц - 1 ТГц. Сущность изобретения заключается в том, что криогенный перестраиваемый генератор гетеродина субтерагерцового диапазона для интегральных приемных систем на основе РДП, изготовленный на подложке из кристаллического изолирующего материала, обратная сторона которой выполнена шероховатой с размерами неоднородностей, соизмеримыми с длиной звуковой волны субтерагерцового диапазона в кристаллической подложке, согласно изобретению введены поглощающие резисторы, изготовленные из материала с удельным сопротивлением в диапазоне 2-50 мкОм⋅см, расположенные в микрополосковой линии вокруг генератора, позволяющие увеличить параметр затухания α в РДП, что обеспечивает дополнительное поглощение и тем самым подавление ступеней Фиске в резонансном режиме работы. Технический результат: обеспечение возможности плавной перестройки генератора и сохранения оптимальной ширины линии генерации во всем диапазоне частот для реализации системы ФАПЧ. 5 з.п. ф-лы, 8 ил.
Использование: для изготовления сверхпроводниковых туннельных переходов, джозефсоновских переходов. Сущность изобретения заключается в том, что наносят без разрыва вакуума трехслойную структуру сверхпроводник - изолятор - нормальный металл (СИН контакт); наносят резист, проводят экспозицию, проявление; селективное химическое или ионное травление трехслойной структуры, после стравливания трехслойной структуры проводят планаризацию поверхности напылением через маску диэлектрика толщиной, равной толщине трехслойной структуры, после чего удаляют диэлектрик вне области туннельных переходов и наносят тонкую пленку перемычки (абсорбера) из нормального металла или другого сверхпроводника, при этом этот слой перемычки наносится на планаризованную поверхность и может быть существенно тоньше предыдущих слоев, менее 10 нм. Технический результат: обеспечение возможности повышения воспроизводимости многоэлементных интегральных сверхпроводниковых схем, снятия ограничения на форму площади переходов, толщину верхнего электрода, устранения паразитных закороток. 4 н.п. ф-лы, 1 ил.
