Патенты автора Буянкин Андрей Викторович (RU)

Заявленное изобретение относится к конструкции СВЧ коммутационной платы из высокоомного кремния на металлическом основании. Техническим результатом заявленного изобретения является уменьшение омических потерь при распространении энергии СВЧ, обеспечение возможности варьировать в более широких пределах комбинированную относительную диэлектрическую проницаемость микрополосковой линии передачи, устранение перегрева СВЧ кристаллов и линий передач, сформированных на плате, обеспечение сохранения конструкционной прочности пластины из кремния и возможности изготовления коммутационной платы групповым методом. Упомянутый технический результат достигается тем, что на лицевой стороне кремниевой платы выполнено не менее двух полостей-колодцев разной глубины, на лицевой стороне сформированы полоски микрополосковых линий передачи из металла с малым электросопротивлением разной толщины, с обратной стороны кремниевой платы сформированы воздушные пазы разной глубины, идущие параллельно полоскам. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к устройствам защиты СВЧ модулей от внешнего и внутреннего паразитного электромагнитного излучения (ЭМИ) и может быть использовано для экранирования узлов СВЧ модуля от любого ЭМИ. Техническим результатом является обеспечение реализации разночастотных СВЧ каналов для проведения сигналов одновременно без воздействия узлов разных частот друг на друга и упрощение конструкции в целом. Устройство экранирования электронных узлов многослойной СВЧ платы от ЭМИ представляет собой многослойную плату с N-проводящими слоями и переходными отверстиями, в которой формируются колодцы, на дно которых установлены активные (кристаллы) и пассивные элементы, подлежащие экранированию, при этом по периметру колодцев многослойной платы выполнены углубления, в виде замкнутой канавки, заполненные металлом, образуя барьерный экран, представляющий собой вертикальную металлизированную стенку, связанную с проводником потенциала «Земля». В вертикальной металлизированной стенке для высокочастотных дорожек в i-м проводящем слое выполнены экранирующие переходы – «рукава», которые представляют собой земляные полигоны, находящиеся в проводящих слоях под (i+1) и над (i-1) дорожкой и соединенные по всей длине высокочастотной дорожки барьерными экранами, расположенными на расстоянии, равном зазору копланарной линии передач от высокочастотной дорожки, при этом барьерный экран и земляные полигоны выполнены из одного металла или сплава металлов. 3 ил.

Изобретение относится к изготовлению композиционного материала для пресс-форм и может быть использовано для литья термопластичных пластмасс, легкоплавких металлов и композиционных материалов на их основе. Способ изготовления пресс-формы включает приготовление композиционного материала, содержащего 35% карбида кремния крупностью МКР 5, 17% карбида кремния крупностью МКР 2,5, 10% карбида кремния крупностью МКР 1,25, 8% карбида кремния крупностью МКР 0,63, 6% карбида кремния крупностью МКР 0,125, 8% микрокремнезема, 12% эпоксидной смолы MP Advanced Poxy-Systems, 4% отвердителя MP Poxy-Systems, 0,15% смачивателя для эпоксидных составов BYK-P1045, 0,01% пеногасителя Troysol 307 Troy, композиционный материал готовят перемешиванием твердых компонентов в емкости с эпоксидной смолой и емкости с отвердителем, при этом твердые компоненты добавляют в емкости пропорционально соотношению эпоксидной смолы и отвердителя, перемешивание осуществляют со скоростью 100-120 об/мин в течение 10-15 минут, затем состав из меньшей емкости переливают в большую и производят перемешивание полученного состава в том же режиме, на столешнице вибрационного стола монтируют конструкцию для заливки композиции с формообразующей полостью, ограниченной поверхностями модели конечного изделия по линии разъема создаваемой пресс-формы и арматурой плиты пресс-формы, в которую монтируют предварительно изготовленную систему охлаждения/нагрева, полученный композиционный состав заливают в формообразующую полость при одновременной вибрации, после чего снимают столешницу с конструкцией с вибрационного стола и выдерживают 1 час в печи при температуре 150°С, затем вынимают столешницу с конструкцией из печи и выдерживают при комнатной температуре в течение 24 часов, после чего отделяют конструкцию от столешницы и отправляют на сборку пресс-формы. Техническим результатом изобретения является повышение жесткости и точности изготовления пресс-формы по сравнению, повышение ее термической и коррозионной стойкости, а также теплопроводности. 2 ил.

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано для решения задачи экранирования узлов модуля от помех и побочных излучений. Технический результат - полное экранирование узлов электронного модуля на многослойной печатной плате от внешних паразитных излучений в диапазоне частот от единиц герц до десятков гигагерц. Достигается тем, что в многослойной печатной плате готовят углубление, на дно которого устанавливают активные (кристаллы) и пассивные элементы (конденсаторы, индуктивности, резисторы), подлежащие экранированию. По периметру углубления создают переходные отверстия под вертикальные напыленные проводники, отстоящие друг от друга на расстояния намного меньшие длин волн паразитных излучений, вертикальными проводниками соединяют необходимые проводники в слоях печатных проводников с проводящим слоем на диэлектрической подложке либо с проводящей подложкой. Проводящий слой или проводящую подложку заземляют, с проводящим слоем или проводящей подложкой соединяют элементы в углублении, требующие заземления. В углублении соединяют активные и пассивные элементы с проводниками с помощью микросварки, наконец, проводники с помощью токопроводящего клея соединяют с крышкой из токопроводящей резины. 2 ил.

Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности к технологии производства многослойных печатных плат. Технический результат - улучшение отвода тепла от кристаллов многослойных печатных плат. Достигается тем, что в способе изготовления многослойных печатных плат на теплоотводящей подложке на исходную заготовку, подложку теплоотводящую из алюмокарбидакремния (AlSiC), наносят диэлектрический слой толщиной от 2 до 10 мкм, производят гальваническое наращивание и вакуумно-плазменное напыление металла проводящего слоя общей толщиной от 10 до 100 мкм и затем выполняют известные операции для изготовления многослойной печатной платы по способу последовательного изготовления слоев. 10 ил., 1 табл.

 


Наверх