Патенты автора Брюхно Николай Александрович (RU)
СПОСОБ СОЗДАНИЯ МОП-СТРУКТУР // 2789188
Областью применения предлагаемого изобретения является производство полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, а именно производство радиационно-стойких МОП-структур. Техническим результатом предлагаемого изобретения является повышение радиационной стойкости МОП-структур при воздействии гамма-излучения. Указанный технический результат достигается тем, что в отличие от способа создания МОП-структур, включающих формирование подзатворного оксида кремния и поликремниевого затвора на подложке первого типа проводимости, стока и истока второго типа проводимости и маскирующего их оксида кремния, в предлагаемом способе дополнительно формируется экранирующий слой оксида кремния в местах формирования поликремневых затворов, на который наносят слой маскирующего нитрида кремния, затем формируют стоки и истоки транзистора и маскирующий их оксид кремния, далее удаляют слой нитрида кремния и экранирующий слой оксида кремния и формируют подзатворный оксид кремния и поликремниевый затвор, при этом ширина поликремниевого затвора должна быть больше, чем ширина маскирующего нитрида кремния на величину точности совмещения слоя маскирующего нитрида кремния и поликремниевого затвора. 6 ил.
Областью применения предлагаемого изобретения является производство интегральных микросхем и полупроводниковых приборов, изготавливаемых методом литографии. Техническим результатом предлагаемого изобретения является повышение достоверности визуального контроля и производительности труда. Указанный технический результат достигается тем, что в отличие от известных способов визуального контроля кристаллов интегральных микросхем, заключающихся в ориентации кристаллов рабочей поверхностью вверх, осмотре под металлургическим стереомикроскопом в светлом и темном поле внешнего вида кристаллов по критериям внешнего вида, отбраковке кристаллов, не соответствующих критериям внешнего вида, в предлагаемом способе кристаллы предварительно ориентируют таким образом, чтобы длинная ось кристалла была параллельна линии, соединяющей центры окуляров металлургического стереомикроскопа, а изображения области кристалла с наименьшими размерами и наибольшей плотностью элементов находились справа внизу от оператора. 5 ил.
Областью применения изобретения является производство полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, а именно производство кремниевых структур с диэлектрической изоляцией (КСДИ). Техническим результатом предлагаемого изобретения является понижение трудоемкости и повышение плотности упаковки. Указанный технический результат достигается тем, что в предлагаемом способе травление канавок проводят перед окислением рабочей пластины, затем проводят окисление поверхности пластины с канавками и заполнение канавок слоем поликремния, а затем рабочую пластину соединяют с пластиной-подложкой фриттой на основе кварцевого стекла, а утонение рабочей пластины проводят до появления разделительных канавок, окисла и поликремния в канавках. Кроме того, в предлагаемом способе угол наклона стенок разделительных канавок симметричный и лежит в пределах 83-87° относительно рабочей плоскости. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.
Изобретение относится к электронной технике, а более конкретно к способам изготовления полупроводниковых приборов и микросхем, предназначенных для сборки в корпус с использованием эвтектической пайки и может быть использована для широкого круга изделий электронной техники. Техническим результатом изобретения является расширение области использования при покрытии посадочного места серебром, повышение производительности труда при сборке и повышение качества пайки. Способ изготовления полупроводникового прибора заключается изготовлении рабочих структур на кремниевой подложке, покрытии золотом обратной стороны подложки, противоположной стороне с рабочими структурами, термообработки золотого покрытия, разделении кремниевой подложки на кристаллы с рабочими структурами, эвтектической пайке кристаллов в корпуса с посадочным местом под кристалл, покрытым серебром, согласно изобретению после термообработки золотого покрытия проводят обработку обратной стороны кремниевой подложки плазмой гексафторида серы в режимах 4-8 мин и подводимой мощностью 0,7-1,3 кВт. 1 табл.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ ШОТТКИ // 2703931
Заявленный способ изготовления кремниевых диодов Шоттки относится к области микроэлектроники и может быть использован при изготовлении кремниевых диодов Шоттки на основе барьера платина-никель. Сущность: способ изготовления кремниевых диодов Шоттки включает нанесение в окна окисла на поверхности кремниевых полупроводниковых пластин слоя платины, слоя никеля, термообработку полученной структуры для образования силицидов платины и никеля, удаление остатков слоя платины и никеля, не прореагировавших с кремнием, нанесение барьерного слоя, нанесение слоя металлизации на рабочую сторону пластин и формирование топологии металлизации на рабочей стороне пластин и нанесение металлизации на обратную сторону пластин, отличающийся тем, что термообработку проводят путем облучения фотонами света перпендикулярно рабочей поверхности пластин в вакууме с давлением не более 1300 Па при температуре 470±5°С в течение 5-15 минут. Технический результат заключается в повышении диапазона регулирования высоты барьера контакта Шоттки. 3 ил., 1 табл.
Использование: для изготовления карбид кремниевых приборов, а именно высоковольтных диодов Шоттки. Сущность изобретения заключается в том, что способ содержит окисление поверхности эпитаксиальной структуры, формирование в оксиде кремния контактных окон методом фотолитографии, формирование контакта Шоттки методом напыления металла и взрывной фотолитографии, термообработки контакта Шоттки, формирование контактной металлизации, проверки электрических параметров, дополнительно определяют высоту барьера и коэффициент неидеальности ВАХ диода Шоттки после взрывной фотолитографии, причем высота барьера должна быть не менее чем 75%, а коэффициент неидеальности не более 130% от значений годного диода Шоттки. Технический результат: обеспечение возможности повышения выхода годных диодов Шоттки. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Способ формирования острия лезвия микроинструмента включает получение исходной плоскопараллельной монокристаллической пластины с рабочей поверхностью ориентации в кристаллографической плоскости (100) и толщиной, равной конечной толщине лезвия, нанесение на обе поверхности пластины защитного слоя, травление окон в защитном слое в направлении линии выхода на рабочую поверхность плоскости (111) для формирования лезвия на рабочей поверхности пластины, сквозного анизотропного травления кремния с рабочей стороны пластины для формирования лезвия в окнах защитного покрытия и удаления защитного покрытия. Анизотропное травление кремния проводят в два этапа, причем первый этап проводят до утонения пластины до толщины, равной разнице конечной толщины лезвия и толщины участка лезвия с более тупым углом заточки, а перед вторым этапом с рабочей стороны пластины полностью удаляют защитное покрытие, оставляя его на обратной стороне и травление проходит до момента появления защитного покрытия, нанесенного на обратную сторону пластины. При этом толщину исходной пластины выбирают по приведенной формуле. Достигается исключение боя пластины в процессе формирования лезвий, формирование наилучшего угла заточки на ориентации 100 или 110 и исключения облома острия лезвий. 1 табл., 4 ил.
