Способ создания моп-структур

Авторы патента:

H01L21/82 - для получения приборов, например интегральных схем, каждый из которых состоит из нескольких компонентов

Владельцы патента RU 2789188:

Акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" (RU)

Областью применения предлагаемого изобретения является производство полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, а именно производство радиационно-стойких МОП-структур. Техническим результатом предлагаемого изобретения является повышение радиационной стойкости МОП-структур при воздействии гамма-излучения. Указанный технический результат достигается тем, что в отличие от способа создания МОП-структур, включающих формирование подзатворного оксида кремния и поликремниевого затвора на подложке первого типа проводимости, стока и истока второго типа проводимости и маскирующего их оксида кремния, в предлагаемом способе дополнительно формируется экранирующий слой оксида кремния в местах формирования поликремневых затворов, на который наносят слой маскирующего нитрида кремния, затем формируют стоки и истоки транзистора и маскирующий их оксид кремния, далее удаляют слой нитрида кремния и экранирующий слой оксида кремния и формируют подзатворный оксид кремния и поликремниевый затвор, при этом ширина поликремниевого затвора должна быть больше, чем ширина маскирующего нитрида кремния на величину точности совмещения слоя маскирующего нитрида кремния и поликремниевого затвора. 6 ил.

Известны способы создания МОП-структур, включающих формирование подзатворного оксида кремния и поликремниевого затвора на подложке первого типа проводимости, стока и истока второго типа проводимости и маскирующего их оксида кремния (см., например, книгу Интегральные схемы на МДП-приборах / пер. с анг. под ред. А.Н. Кармазинского. - Москва: Мир, 1975. - с. 210-211, или книгу Бочаров, Л.Н. Полевые транзисторы / Л.Н. Бочаров. - Москва: Радио и связь, 1984, с изменениями. - с. 63-64).

При изготовлении МОП-транзистора с поликремниевым затвором области стока и истока формируют после изготовления подзатворного оксида кремния и поликремниевого затвора. Далее области стока и истока отжигают для активации примесей при температуре Т=1050°С и маскируют оксидом кремния для предотвращения замыкания подзатворного оксида кремния и поликремниевого затвора с данными областями. Однако, радиационная стойкость к воздействию гамма-лучей таких МОП-транзисторов невелика и составляет 30-40 килорад.

Наиболее близким к предлагаемому изобретению является способ создания МОП-структур, включающих формирование подзатворного оксида кремния и поликремниевого затвора на подложке первого типа проводимости, стока и истока второго типа проводимости и маскирующего их оксида кремния (см. книгу Widmann D. Technology of Integrated Circuits / D. Widmann, H. Mader, H. Friedrich. - Berlin: Springer, 1995. - p. 286-295). Однако, как и в предыдущих аналогах, стойкость таких МОП-структур к воздействию гамма-лучей невелика.

Создание подзатворного оксида кремния обычно проводится методом высокотемпературного окисления кремния при температурах 850-900°С. Выбор такой температуры обусловлен необходимостью получения заданной толщины оксида кремния. Для уменьшения влияния гамма-излучения толщину самого подзатворного оксида кремния делают минимально возможной для заданных величин напряжения питания микросхем (1-2 нм/В). Получение подзатворного оксида кремния при упомянутых выше температурах позволяет получить минимальную толщину переходной области оксид кремния - кремний.

После создания тонкого слоя подзатворного оксида кремния под поликремниевым затвором проводятся высокотемпературные операции активации примесей при формировании областей стока и истока, а также маскирования этих областей высокотемпературным оксидом кремния. Активация примесей и маскирование оксидом кремния обычно проводится при температурах 1000-1100°С. В переходной области оксид кремния - кремний атомы кислорода и кремния находятся в нестехиометрическом состоянии и захватывают дырки, что снижает радиационную стойкость МОП-структур из-за ухода пороговых напряжений от номинальных величин.

Поскольку после создания тонкого слоя оксида кремния производятся высокотемпературные операции диффузии примесей для формирования областей стока и истока, толщина переходной нестехиометрической области оксид кремния - кремний под затвором увеличивается, что ухудшает радиационную стойкость МОП-структур при воздействии гамма-излучения.

Техническим результатом предлагаемого изобретения является повышение радиационной стойкости МОП-структур при воздействии гамма-излучения.

Указанный технический результат достигается тем, что в отличие от способа создания МОП-структур, включающих формирование подзатворного оксида кремния и поликремниевого затвора на подложке первого типа проводимости, стока и истока второго типа проводимости и маскирующего их оксида кремния, в предлагаемом способе дополнительно формируется экранирующий слой оксида кремния в местах формирования поликремневых затворов, на который наносят слой маскирующего нитрида кремния, затем формируют стоки и истоки транзистора и маскирующий их оксид кремния, далее удаляют слой нитрида кремния и экранирующий слой оксида кремния и формируют подзатворный оксид кремния и поликремниевый затвор, при этом ширина поликремниевого затвора должна быть больше, чем ширина маскирующего нитрида кремния на величину точности совмещения слоя маскирующего нитрида кремния и поликремниевого затвора.

Формирование дополнительного экранирующего слоя оксида кремния в месте формирования затвора, на который наносят слой маскирующего нитрида кремния, позволяет сформировать стоки и истоки транзистора и маскирующий их оксид кремния перед формированием подзатворного оксида кремния и поликремниевого затвора. Так как ширина поликремниевого затвора больше ширины маскирующего нитрида кремния на величину точности совмещения слоя маскирующего нитрида кремния и поликремниевого затвора, то поликремниевый затвор будет надежно управлять работой транзистора.

В предлагаемом способе подзатворный оксид кремния формируется в конце технологического маршрута и после его формирования не проводятся более высокотемпературные операции, толщина переходной нестехиометрической области минимальна, что обеспечивает большую стойкость к воздействию гамма-излучения.

Сущность предлагаемого изобретения поясняется фигурами.

На фигурах 1-6 представлен пример реализации предлагаемого изобретения для микросхем, изготовленных по МОП технологии.

Фигура 1: создание кармана N-типа проводимости для формирования Р-канальных МОП-транзисторов, нанесение основного и экранирующего слоев оксида кремния, а также слоя маскирующего нитрида кремния.

Фигура 2: формирование противоканального слоя N-типа проводимости, истока и стока Р-канального транзистора, противоканального слоя Р-типа проводимости, истока и стока N-канального транзистора, охранного слоя N-типа проводимости и охранного слоя Р-типа проводимости.

Фигура 3: формирование оксида кремния, маскирующего сток, исток и противоканальные слои.

Фигура 4: удаление слоя маскирующего нитрида кремния.

Фигура 5: формирование поликремниевого затвора.

Фигура 6: нанесение изолирующего затвор слоя фосфоросиликатного стекла (ФСС) и формирование алюминиевой металлизации.

Обозначение позиций:

1 - кремниевая пластина Р-типа проводимости ориентации (100) марки КДБ12;

2 - карман N-типа проводимости для формирования Р-канальных МОП-транзисторов;

3 - основной оксид кремния;

4 - экранирующий слой оксида кремния;

5 - слой маскирующего нитрида кремния;

6 - противоканальный слой N-типа проводимости, исток и сток Р-канального транзистора;

7 - противоканальный слой Р-типа проводимости, исток и сток N-канального транзистора;

8 - охранный слой N-типа проводимости;

9 - охранный слой Р-типа проводимости;

10 - оксид кремния, маскирующий сток, исток и противоканальные слои;

11 - подзатворный оксид кремния;

12 - поликремниевый затвор;

13 - изолирующий затвор слой фосфоросиликатного стекла (ФСС);

14 - алюминиевая металлизация;

LPch, LNch - длина Р-каналов и N-каналов МОП-транзисторов;

Δ - точность совмещения слоя маскирующего нитрида кремния и поликремниевого затвора;

LGp, LGn - ширина поликремниевых затворов Р-канальных и N-канальных МОП-транзисторов.

Предлагаемое изобретение было использовано для изготовления микросхем по КМОП технологии. На кремниевых исходных пластинах 1 (см. Фиг. 1) монокристаллического кремния Р-типа проводимости с удельным сопротивлением 12 Ом*см, диаметром 100 мм, ориентации (100), толщиной 460 мкм был создан карман N-типа проводимости для формирования Р-канальных МОП-транзисторов 2 путем ионного легирования фосфором с дозой облучения D=0,6-0,8 мкКл/см² и энергией ионов Е=70 кэВ и разгонки фосфора при температуре Т=1200°С в течение времени t=(10±3) часов в атмосфере азота. На пластину нанесли слой основного оксида кремния 3 толщиной d_SiO2=0,36-0,44 мкм, экранирующий слой оксида кремния 4 толщиной d_SiO2=360±20 Å и слой маскирующего нитрида кремния 5 толщиной d_Si3N4=0,1-0,125 мкм. Из слоя маскирующего нитрида кремния методом фотолитографии были сформированы области, повторяющие конфигурацию канальных областей КМОП-транзисторов. Длина Р-каналов МОП-транзисторов LPch и длина и N- каналов МОП-транзисторов LNch составила 1,8 мкм.

На Фиг. 2 показан процесс формирования следующих слоев:

- охранного слоя N-типа проводимости 8 путем ионного легирования фосфором с дозой облучения D=4±1 мкК/см² и энергией ионов Е=60 кэВ и разгонки фосфора при температуре Т=1150°С в течение времени t=(60±10) минут в атмосфере азота;

- охранного слоя Р-типа проводимости 9 путем ионного легирования бором с дозой облучения D=10±2 мкКл/см² и энергией ионов Е=40 кэВ и разгонки бора при температуре Т=1100°С в течение времени t=(3±1) часов в атмосфере азота;

- противоканального слоя N-типа проводимости, истока и стока Р-канального транзистора 6 путем ионного легирования фосфором с дозой облучения D=1000±50 мкКл/см² и энергией ионов Е=40 кэВ и разгонки фосфора при температуре Т=1060°С в течение времени t=20-40 минут в атмосфере азота;

- противоканального слоя Р-типа проводимости, истока и стока N-канального транзистора 7 путем ионного легирования бором с дозой облучения D=300 мкКл/см² и энергией ионов Е=20 кэВ и разгонки фосфора при температуре Т=1060°С в течение времени t=(50±30) минут в атмосфере азота.

Далее на пластине был сформирован оксид кремния, маскирующий сток, исток и противоканальные слои 10, толщиной d_SiO2=0,1-0,2 мкм при температуре Т=850°С (см. Фиг. 3). Затем удалили слой маскирующего нитрида кремния 5 и экранирующий слой оксида кремния 4 (см. Фиг. 4). После этого на пластину наносят подзатворный оксид кремния 11 толщиной d_SiO2=360±30 Å при температуре Т=850°С и формировали поликремниевый затвор 12 толщиной d_poly-Si=0,38-0,46 мкм при температуре Т=650°С (см. Фиг. 5). Ширина поликремниевых затворов с учетом точности совмещения слоя маскирующего нитрида кремния и поликремниевого затвора Δ=0,3 мкм составила LGp=LGn=LPch+Δ=LNch+Δ=2,1 мкм.

После формирования изолирующего затвор слоя фосфоросиликатного стекла (ФСС) 13 при температуре Т=850°С в нем вскрывали отверстия для создания контактов к областям стоков, истоков и противоканальных слоев. Затем на пластине формировали алюминиевую металлизацию 14 путем напыления пленки Al-Si толщиной d_Al=1,0-1,2 мкм (см. Фиг. 6). Термообработку сформированного слоя алюминиевой металлизации проводят при температуре Т=475°С.

На готовых микросхемах были проведены испытания на устойчивость к воздействию γ-излучения от кобальтового источника на Со 60. Микросхемы, изготовленные по прототипу, имели устойчивость до накопленной дозы 30-40 килорад, а микросхемы, изготовленные по предлагаемому способу - более 300 килорад.

Способ создания радиационно-стойких МОП-структур, включающих формирование подзатворного оксида кремния и поликремниевого затвора на подложке первого типа проводимости, стока и истока второго типа проводимости и маскирующего их оксида кремния, отличающийся тем, что дополнительно формируется экранирующий слой оксида кремния в местах формирования поликремневых затворов, на который наносят слой маскирующего нитрида кремния, затем формируют стоки и истоки транзистора и маскирующий их оксид кремния, затем удаляют слой нитрида кремния и экранирующий слой оксида кремния и формируют подзатворный оксид кремния и поликремниевый затвор, при этом ширина поликремниевого затвора должна быть больше, чем ширина маскирующего нитрида кремния на величину точности совмещения слоя маскирующего нитрида кремния и поликремниевого затвора.

Изобретение относится к способам применения электрических приборов и нанокомпозитным материалам на основе диэлектриков и металлов для оптоэлектроники, мемристорной электроники, оптическим компьютерам (в т.ч. - нейроморфным оптоэлектронным вычислительным системам).

Способ формирования активных структур для микроэлектронных устройств на кремниевой подложке и микроэлектронное устройство, содержащее сформированные активные структуры // 2764722

Изобретение относится к электронике, в частности к области изготовлений чувствительных элементов микроэлектронных устройств, например диагностических чипов, в которых чувствительные элементы представляют собой активные структуры на основе сплавов благородных металлов. Способ формирования активных структур для микроэлектронных устройств на кремниевой подложке содержит этапы, на которых осуществляют подготовку подложки КМОП; формируют многоуровневую медную металлизацию в межуровневом диэлектрике подложки; выполняют изготовление активных структур в виде углублений в слое оксида кремния методом фотолитографии и плазмохимического травления, причем углубления содержат внутренние стенки и донную поверхность, примыкающую к медной разводке; осуществляют нанесение слоя благородного металла на боковые стенки и донную поверхность углублений; осуществляют процесс химико-механической полировки металла с остановкой на оксиде кремния; осуществляют нанесение на подложку органического планаризующего слоя (ОПС) с заполнением углублений; осуществляют подтравливание ОПС с остановкой на слое оксида кремния, формируя планарную поверхность над углублениями; осуществляют нанесение гидрофобного слоя на поверхность пластины; осуществляют формирование жесткой маски путем нанесения жертвенных слоев на сформированную планарную поверхность; осуществляют травление слоев жесткой маски, гидрофобного слоя и ОПС в углублениях, при этом травление ОПС внутри углублений осуществляется изотропно с формированием из гидрофобного слоя выступов на поверхности подложки над углублениями.

Способ получения активной структуры элемента энергонезависимой резистивной памяти // 2749028

Изобретение относится к технике накопления информации, к вычислительной технике, в частности к элементам резистивной памяти, к элементам памяти электрически перепрограммируемых постоянных запоминающих устройств, сохраняющих информацию при отключенном питании, и может быть использовано при создании устройств памяти, например вычислительных машин, микропроцессоров, электронных паспортов, электронных карточек.

Способ изготовления t-образного гальванического затвора в высокочастотном полевом транзисторе // 2746845

Изобретение относится к электронной технике и предназначено для создания дискретных приборов и сверхвысокочастотных интегральных схем с использованием мощных нитрид-галлиевых полевых транзисторов. Способ изготовления T-образного гальванического затвора в высокочастотном полевом транзисторе включает выделение активной области транзистора, создание омических контактов стока и истока, нанесение на поверхность контактного слоя полупроводника тонкого маскирующего покрытия, формирование литографическими методами в маскирующем покрытии субмикронной щели, нанесение тонкого проводящего слоя, формирование поверх него резистивной маски, удаление проводящего слоя в окнах резистивной маски, травление контактного слоя, формирование тонкопленочных металлических T-образных затворов.

Модифицированная микрополосковая линия, защищающая от сверхкоротких импульсов // 2732805

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано для защиты радиоэлектронной аппаратуры от сверхкоротких импульсов. В устройстве из проводящей пластины, на которой параллельно ей расположена подложка, на которой параллельно ей располагается проводник прямоугольного поперечного сечения, выполнены два выреза, которые параллельны и равны по длине проводнику, в устройство добавлены два резистора, соединяющие концы проводника, образованного в проводящей пластине между двумя вырезами, с проводящей пластиной, при этом значение длины линии, умноженное на значение разности максимальной погонной задержки мод линии и наибольшей из остальных, не меньше суммы длительностей фронта, плоской вершины и спада сверхкороткого импульса, подающегося между проводником и проводящей пластиной, выбор параметров резисторов зависит от их поперечного сечения и расстояния между проводниками, а также относительной диэлектрической проницаемости, обеспечивающих минимизацию амплитуды сигнала на выходе.

Способ повышения радиационной стойкости микросхем статических озу на структурах "кремний на сапфире" // 2727332

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при создании радиационно-стойкой электронной компонентной базы. Технический результат - повышение уровней радиационной стойкости микросхем статических ОЗУ, выполненных на структурах «кремний на сапфире» (КНС), к эффектам накопленной дозы и импульсного ионизирующего излучения.

Способ изготовления мемристора с наноконцентраторами электрического поля // 2706207

Использование: для изготовления мемристоров с диэлектрической структурой. Сущность изобретения заключается в том, что предложен способ изготовления мемристора путем формирования расположенной между двумя электродами диэлектрической структуры, содержащей обеспечивающий филаментарный механизм переключения слой диоксида циркония и обладающей резистивной памятью, работу которой стабилизируют в результате введения в указанную диэлектрическую структуру наноконцентраторов электрического поля, для совмещения введения наноконцентраторов электрического поля с процессом формирования упомянутой диэлектрической структуры и усиления в ней при резистивном переключении потока ионов кислорода на поверхности одного из электродов, изготовленного из нитрида титана, последовательно формируют слой оксида тантала и слой диоксида циркония, стабилизированного иттрием, с использованием магнетронного распыления, причем при осаждении на указанный электрод оксида тантала, сопровождаемом частичным замещением атомов азота на атомы кислорода, формируют на поверхности этого электрода промежуточный интерфейсный слой диоксида титана и в участках указанного интерфейсного слоя и осаждаемого слоя оксида тантала, прилежащих к поверхностной границе их раздела, образуемые при этом наноконцентраторы электрического поля в виде нанокристаллических включений тантала.

Полупроводниковый конденсатор // 2705762

Настоящее изобретение содержит полупроводниковую подложку (2A), группу (4) электродов, которая формируется на полупроводниковой подложке (2A), и изоляторы (2B), в которых формируются множество конденсаторов (C1-C3). Множество конденсаторов (C1-C3) имеют структуру, в которой изоляторы (2B) размещаются между каждым электродом из группы (4) электродов.

Способ изготовления полупроводниковых гетероструктур с атомарно гладкими стоп-слоями ingap и inp на подложках gaas и inp // 2690859

Изобретение относится к электронной и оптоэлектронной технике и может быть использовано для изготовления монолитных интегральных схем, работающих в сантиметровом и миллиметровом диапазонах длин волн, а также для изготовления вертикально-излучающих лазеров ближнего инфракрасного диапазона. Согласно изобретению описан способ изготовления полупроводниковых гетероструктур с атомарно гладкими стоп-слоями InGaP и InP на подложках GaAs и InP и предложены конструкции полупроводниковых гетероструктур, обеспечивающие формирование атомарно гладких стоп-слоев.