Патенты автора Балбашов Анатолий Михайлович (RU)
Устройство для выращивания монокристаллов // 2656331
Изобретение относится к устройствам для выращивания монокристаллов методом зонной плавки со световым (радиационным) нагревом и может быть использовано в области технической оптики. Устройство содержит источник излучения 1, расположенный в фокусе F1 основного эллипсоидного отражателя 2, дополнительный эллипсоидный отражатель 3 с фокусом F2 и подвижный световой экран 4, выполненный в виде тела вращения, например диска. Световая система образована основным 2 и дополнительным 3 эллипсоидными отражателями и имеет промежуточную точку фокусировки F3. Линия ОЕ, соединяющая точки фокусировки Fl, F2 и F3, является основной оптической осью световой системы. Расходуемый поликристаллический стержень 5 расположен в кварцевой колбе 6, установленной у фокуса F2 дополнительного эллипсоидного отражателя 3. Кроме того, колба 6 содержит формируемый монокристалл 7 и зону переплава 8. Поток энергии от источника излучения 1 собирается путем отражения от основного отражателя 2 и направляется на дополнительный отражатель 3, который концентрирует поток излучения в своем фокусе F2. Расходуемый поликристаллический стержень 5 размещается в кварцевой колбе 6. Чем ближе подвижный световой экран 4 располагается к промежуточной точке фокусировки F3 основного 2 и дополнительного 3 отражателей, тем большая доля энергии не попадает в фокус дополнительного отражателя 3. В начале процесса плавления экран 4 перемещается в положение, соответствующее наименьшей энергии, достигающей фокус F2. После формирования зоны переплава 8 и образования монокристалла 7 экран 4 перемещается от промежуточной точки фокусировки F3. Размер экрана 4 выбран равным 10-25% от величины внешнего диаметра основного эллипсоидного отражателя. Конструкция устройства позволяет обеспечить регулировку режима плавления с обеспечением равномерности нагрева зоны переплава, а следовательно, повышение качества получаемого монокристалла и эффективность работы устройства в целом. 1 ил.
Изобретение относится к электротехнике, а именно к области прямого преобразования тепловой энергии в электрическую энергию, и может быть использовано для получения образцов магнитных полупроводников - легированных манганитов с заданной термо-ЭДС для последующего их использования в источниках автономного электропитания. Техническим результатом изобретения является возможность получения легированных манганитов с заранее заданной термо-ЭДС за счет изготовления образца определенного объема, рассчитанного на основании данных, полученных на расчетном образце аналогичного состава, и помещенного в условия, приближенные к условиям эксплуатации готового образца. Способ создания образцов с заранее заданной термо-ЭДС, предназначенных для преобразования тепловой энергии в электрическую, выполненных из легированных манганитов, имеющих формулу Re1-xMexMnO3, где Re - редкоземельные элементы, a Me - щелочноземельные металлы, при этом 0<x≤0.5, характеризуется тем, что из заготовки легированного манганита формируют образец объемом, предварительно рассчитанным по математической формуле на основании данных, полученных на расчетном образце аналогичного состава, и помещают в условия, приближенные к условиям эксплуатации готового образца. 4 з.п. ф-лы, 2 ил., 3 пр.
