Патенты автора Котина Галина Васильевна (RU)
Изобретение относится к получению наноструктурированных титан-оксидных пленок для солнечных элементов. Способ включает нанесение гидрозоля диоксида титана на подложку, сушку с образованием пленки и ее прокаливание. При этом в способе применяют магнитную обработку гидрозоля диоксида титана или его прокаленной пленки, способствующую существенному увеличению размера кристаллитов в титан-оксидной пленке, причем шероховатость пленки практически не меняется. Предварительно гидрозоль диоксида титана получают пероксидным синтезом или ультразвуковой обработкой гидрогеля диоксида титана, не требующими применения органических реагентов. Изобретение обеспечивает создание на подложке титан-оксидной пленки заданной наноструктуры без использования органических веществ при ее синтезе. 5 з.п. ф-лы, 1 ил., 4 пр.
Способ получения пленок диоксида титана // 2632296
Изобретение относится к области технологий получения пленок и может быть использовано в технологии получения пленок диоксида титана TiO2 на твердых подложках. Способ получения пленок диоксида титана на твердой подложке включает синтез прекурсора пленки на основе диоксида титана осаждением гидрогеля диоксида титана из водного раствора тетрахлорида титана водным раствором гидроксида аммония при постоянном рН=7. Полученный гидрогель диоксида титана перемешивают с раствором пероксида водорода при мольном отношении H2O2:TiO2=(1,3÷1,5):1 до образования раствора пероксититановой кислоты, которую затем подвергают старению при температуре 95°C в течение 24 часов до образования гидрозоля диоксида титана. Полученный гидрозоль диоксида титана в качестве прекурсора пленки наносят на твердую подложку, сушат с образованием пленки и подвергают ее термообработке. Затем пленку диоксида титана подвергают магнитной обработке в поле с амплитудой напряженности Н=0,10 Тл, частотой ω=10-30 Гц в течение трех минут. Обеспечивается получение пленки диоксида титана с хорошо сформированной структурой анатаза. 2 з.п. ф-лы, 3 ил., 3 табл.
Изобретение относится к области технологий получения эпитаксиальных оксидных сверхпроводящих покрытий на металлической подложке, предварительно покрытой биаксиально текстурированным оксидным слоем и буферными оксидными слоями, или на биаксиально текстурированной металлической подложке, предварительно покрытой оксидными буферными слоями, и может быть использовано для получения сверхпроводящих проводников второго поколения. Способ получения многослойного высокотемпературного сверхпроводящего материала включает нанесение на гибкую металлическую текстурированную подложку или на металлическую подложку, покрытую промежуточным биаксиально текстурированным оксидным слоем, по меньшей мере одного эпитаксиального оксидного буферного слоя из прекурсора, получаемого из золя оксидных и гидроксидных наночастиц выбранных элементов в водном растворе температурно-зависимого полимера, путем нагревания при температуре, превышающей температуру фазового перехода температурно-зависимого полимера, при этом золь оксидных и гидроксидных наночастиц выбранных элементов предварительно обрабатывают в течение 100 и более секунд в переменном вращающемся магнитном поле с амплитудой напряженности не более 0,10 Тл и частотой (10-40) Гц с последующей термообработкой буферного слоя и нанесением на буферный слой по меньшей мере одного эпитаксиального слоя сверхпроводникового материала и его термообработкой. Изобретение обеспечивает получение многослойного высокотемпературного сверхпроводящего материала с улучшенной кристаллической структурой эпитаксиальных буферных слоев, полученных из прекурсоров в виде гидрозолей оксидных или гидроксидных наночастиц. 2 ил., 2 табл.
