Патенты автора Юсупов Ренат Альбертович (RU)
Изобретение относится к параметрическому усилителю бегущей волны. Технический результат - расширение свободного от паразитных составляющих динамического диапазона. Для этого параметрический усилитель бегущей волны содержит размещенные на подложке копланарный волновод и связанные с ним сверхпроводящие квантовые интерферометры на основе джозефсоновских переходов (СКВИД). Сверхпроводящие квантовые интерферометры представляют собой структуры, содержащие два контура и три джозефсоновских перехода (би-СКВИД), каждый би-СКВИД содержит плоские нижний и верхний сверхпроводящие слои, каждый из которых имеет первый элемент Г-образной формы и второй элемент прямоугольной формы, причем первые элементы установлены встречно под углом и в вершинах их полок указанные слои соединены. В месте пересечения стоек первых элементов размещен один джозефсоновский переход, а два других джозефсоновских перехода установлены на концах стоек первых элементов и соединены с элементами прямоугольной формы по одну сторону их концов, а по другую сторону указанные сверхпроводящие слои соединены с образованием соответственно первого и второго контуров би-СКВИД. 1 з.п. ф-лы, 8 ил.
Изобретение относится к детекторам излучения, полевым транзисторам, туннельным усилителям с потоком горячих электронов, МДМДМ туннельным структурам для приема излучения миллиметровых и субмиллиметровых волн. Металл-Диэлектрик-Металл-Диэлектрик-Металл детектор, содержащий металлический проводник поглотителя излучения, контакты к этому проводнику, выполненные размещением контактного материала через прослойку изолятора, отличающийся тем, что металлический проводник поглотителя выполнен в виде пленки металла толщиной 10-30 нм и шириной 0.1-0.5 мкм и отделен от металлического контактного материала внешних тонкопленочных электродов туннельным барьером. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности, снижение шумов, расширение динамического диапазона, расширение диапазона рабочих температур, повышение воспроизводимости и технологичности изготовления такого устройства. 4 з.п. ф-лы, 4 ил.
Способ изготовления воздушных мостиков в качестве межэлектродных соединений интегральных схем // 2685082
Использование: для изготовления воздушных мостиков. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления воздушных мостиков в качестве межэлектродных соединений интегральных схем содержит стадии нанесения и формирования фоторезиста для формирования поддерживающего слоя, нанесения и формирования второго слоя фоторезиста для формирования области перемычки воздушного мостика, нанесения слоя металла мостика, удаления обоих слоев фоторезиста, далее методом фотолитографии из пленки металла (TiAuPd, Cu и др.) на подложке формируют контактные площадки и соединительные проводники, методом фотолитографии из фоторезиста формируется поддерживающий слой полимера в области будущего просвета мостика, нагревом полоски поддерживающего резиста выше температуры растекания достигают формирования профиля поддерживающего слоя куполообразной формы, наносят следующий слой фоторезиста и формируют открытые области для металлизации будущего мостика, напыляют пленку мостика из подходящего материала, совместимого с материалом разводки, например TiAuPd, который отличается хорошей адгезией, высокой электропроводностью и достаточной жесткостью, помещают подложку в ремувер для быстрого удаления металла поверх резиста методом взрыва (lift-off), а также медленного растворения поддерживающего слоя под мостиком. Технический результат: обеспечение возможности повышения воспроизводимости, снижения трудоемкости и времени изготовления перемычек в виде воздушных мостиков, уменьшения сопротивления, индуктивности и емкости таких перемычек, уменьшения количества технологических операций. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к области тонкопленочной СВЧ микроэлектроники и антенной техники, в том числе массивам антенн и метаматериалам. Широкополосный детектор терагерцевого излучения состоит из распределенного абсорбера в виде матрицы антенн в конфигурации метаматериала, микроболометров, подключенных к каждому элементу метаматериала. Каждый элемент матрицы метаматериала имеет симметричную форму для обеспечения одинаковой чувствительности к обеим поляризациям, элементы матрицы представляют собой электрические замкнутые контуры. Позади метаматериала абсорбера расположена дополнительная плоскость, отделенная от метаматериала слоем диэлектрика. Матрица антенн выполнена из сильно взаимодействующих между собой кольцевых электрически малых планарных антенн в конфигурации метаматериала, в разрыв которых включены по четыре болометра структуры Сверхпроводник-Изолятор-Нормальный металл-Изолятор-Сверхпроводник, соединенных последовательно по току смещения и сигналу считывания. Технический результат заключается в расширении спектральной полосы согласования, увеличении быстродействия детектора, снижении трудоемкости и времени изготовления устройства, уменьшении количества технологических операций и в применении стандартных методов и материалов тонкопленочной микроэлектроники. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к области тонкопленочной сверхпроводниковой микроэлектроники, в частности к изготовлению высокочувствительных болометров, электронных охладителей, одноэлектронных транзисторов, содержащих свободно висящий микромостик нормального металла и сверхпроводниковые переходы типа сверхпроводник-изолятор-нормальный металл (СИН), сверхпроводник-изолятор-другой сверхпроводник (СИС'), а также андреевские контакты (сверхпроводник-андреевский контакт-нормальный металл) и структуры с барьером Шоттки (сверхпроводник-барьер Шоттки-полупроводник). Предложенный способ состоит из нанесения без разрыва вакуума трехслойной тонкопленочной структуры; нанесения резиста, экспозиции, проявления; селективного химического травления нижнего электрода трехслойной структуры, при этом перед напылением трехслойной структуры типа сверхпроводник-изолятор-нормальный металл (СИН) проводят фотолитографию, методом взрыва формируют топологию СИН структуры, и проводят однократное травление в щелочном проявителе, совмещенное с проявлением резиста с рисунком окон, при этом разрыв верхнего электрода образуется на ступеньке на границе подводящих проводников, существенным признаком является необходимость выполнения условия, что толщина верхнего нормального электрода меньше, а толщина нижнего алюминиевого электрода больше толщины нижней пленки электрических проводников. Предложены четыре варианта способа. Технический результат состоит в повышении воспроизводимости, снижении трудоемкости и времени изготовления структур, увеличении площади туннельных переходов более 1 мкм2 при снижении толщины верхнего электрода и перемычки абсорбера менее толщины нижнего электрода, снятии ограничения на форму переходов, устранении паразитных теней, устранении паразитных шунтирующих емкостей и сопротивлений утечки, уменьшении количества технологических ступеней литографии. 4 н.п. ф-лы, 1 ил.
