Патенты автора Юнусова Наида Рабадановна (RU)

Изобретение относится к технологии получения нанопроволок AlN для микроэлектроники и может быть использовано для улучшения рассеивания тепла гетероструктурами, для создания светильников, индикаторов и плоских экранов, работающих на матрице из нанопроволок и т.д. Проводят импульсное лазерное распыление керамической мишени AlN стехиометрического состава с помощью эксимерного лазера KrF с длиной волны излучения 248 нм. Обработку выполняют в вакууме при остаточном давлении 10-5 - 10-6 Па, длительности импульса 10-50 нс и частоте следования импульсов 15-45 Гц в диапазоне температур подложки 700-850°С. Технический результат изобретения заключается в упрощении технологического процесса синтеза нанопроволок AlN на полупроводниковой подложке методом импульсного лазерного осаждения. 4 ил.

 


Наверх