Патенты автора Шапиев Гусейн Шапиевич (RU)

Изобретение относится к области электротехники, а именно к высокоэффективному способу изготовления наноструктурированных полупроводниковых материалов на основе фаз со структурой перовскита, содержащих катионы иттрия, бериллия, бария и меди с различной плотностью, необходимых для терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления. Получение наноструктурированных терморезистивных материалов с заданной пористостью и электрическими свойствами при сравнительно низких температурах (менее 920°С) и времени менее 10 часов является техническим результатом изобретения, который достигается путем компактирования микропорошков и их обработки в течение часа при температуре 600-900°С при скорости подъема и охлаждения не выше ~5°С/мин и ~ 3°С/мин соответственно, при количественном соотношении нанопорошков от 40:60 до 60:40, полученных с технологическими замещениями бериллия на барий в соединении YВе2Сu3О7-δ, с последующим прессованием при давлении не менее 100 МПа и спеканием при температуре 900 до 920°С в течение 1÷10 часов. 3 пр., 6 ил.

Изобретение относится к теплоэнергетике и может быть использовано для определения толщины солеотложения в оборудовании химических, нефтехимических предприятий, а также тепловых, геотермальных, атомных энергоустановок. Устройство включает цилиндрический корпус с резьбой, внутри которого коаксиально с ним расположен изолированный от него металлический стержень. Торцы металлического стержня и цилиндрического корпуса расположены на одном уровне с внутренней поверхностью теплообменного оборудования, а диаметр стержня составляет 0,75 от внутреннего диаметра цилиндрического корпуса. Толщину слоя соли определяют по величине начального и общего сопротивления электрической цепи, состоящей из раствора и отложений между корпусом и стержнем. Изобретение обеспечивает повышение точности определения толщины отложений на внутренней поверхности оборудования и расширение области возможного его применения. 1 ил.

 


Наверх