Патенты автора Чищин Владимир Фёдорович (RU)
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОГРАНИЧИТЕЛЕЙ НАПРЯЖЕНИЯ // 2651624
Изобретение относится к области конструирования и производства мощных кремниевых ограничителей напряжения (защитных диодов), преимущественно с напряжениями пробоя от 3 В до 15 В, предназначенных для защиты электронных компонентов - интегральных микросхем и полупроводниковых приборов в радиоэлектронной аппаратуре (РЭА) от воздействия мощных импульсных электрических перенапряжений различного рода. Изобретение обеспечивает создание способа изготовления низковольтных ограничителей напряжения на основе одиночных кремниевых p-n-структур с напряжениями пробоя от 3 В до 15 В с p-n-переходами, залегающими на достаточной для силовых приборов глубине - более 10 мкм. Способ изготовления ограничителей напряжения с напряжениями пробоя от 3 В до 15 В, содержащих базовые кристаллы кремния с созданными в них p-n-переходами, состоящими из p-слоев, легированных примесью p-типа проводимости, и n-слоев, легированных примесью n-типа проводимости, диэлектрической защиты p-n-переходов и металлических омических контактов, металлических теплоотводов, металлических выводов и герметичных корпусов, по которому согласно изобретению базовые кристаллы выполнены из кремния, легированного примесью p-типа проводимости - бором с концентрацией от 2⋅1020 см-3 до 4⋅1017 см-3, соответствующей удельному сопротивлению кремния от 0.001 Ом⋅см до 0.1 Ом⋅см, а p-n-переходы в базовых кремниевых кристаллах формируют длительной высококонцентрационной диффузией примеси n-типа проводимости - мышьяком из бесконечного источника в эвакуированной кварцевой ампуле при температуре ~1150°С в течение времени от 8 до 48 часов. 1 ил., 2 табл.
Изобретение может быть использовано при пайке многокристальных силовых полупроводниковых приборов в восстановительной или инертной среде. В отверстие многоместной кассеты предварительно вставляют вспомогательную стеклянную втулку и загружают соединяемые детали сборки полупроводникового прибора, выполненные в виде полупроводниковых кристаллов, теплоотводов и выводов. Размещают между ними припойные прокладки и осуществляют пайку полученной сборки в печи с восстановительной или инертной средой путем нагрева до температуры выше температуры плавления припоя. Внутренний диаметр стеклянной втулки соответствует габаритам загружаемых деталей сборки полупроводникового прибора. Способ позволяет повысить степень центровки элементов сборок полупроводниковых приборов и предотвратить механическое повреждение кристаллов сборок при их выгрузке из кассеты после пайки. 5 ил., 1 табл.
