Патенты автора Марков Олег Иванович (RU)
Изобретение относится к приборам и методам экспериментальной физики и предназначено для исследования дефектной структуры кристаллов. Технической задачей является определение направлений дислокаций с большим углом отклонения от нормали к плоскости (111). Для таких дислокаций ямки травления на плоскости (111) имеют вид равнобедренного треугольника. В способе определения индексов направлений дислокаций в кристаллах, включающем селективное химическое травление кристалла и исследование ямок травления дислокаций, травление производят в травителе до получения ямок травления размером 0,4-2 мкм, наблюдение ямок травления производят с помощью атомно-силового микроскопа, измеряющего углы наклона граней ямок травления, и по полученным данным рассчитывают индексы направления дислокаций, согласно изобретению, измеряют угол наклона наименьшей грани ямки травления и по формулам:
Z1,2=3-2х1,2где γ - угол отклонения линии дислокации от вертикального направления, β - угол наклона грани при вертикальном направлении дислокации, α - угол наклона наименьшей грани, х1,2 - корни квадратного уравнения, соответствующие возможным значениям проекции на направление [100], z1,2 - соответствующие возможным значениям на направление [001], рассчитывают два набора из трех значений (x1, x1, z1) и (x2, x2, z2) и после приведения к целочисленным значениям определяют выбор индексов направления. Технический результат заключается в определении индексов направления дислокаций, влияющих на механические, физические и химические (влияние активных жидких и газовых сред) свойства кристаллов. 2 ил.
Изобретение относится к приборам и методам экспериментальной физики и предназначено для исследования дефектной структуры кристаллов. Способ имеет преимущество по сравнению с методом рентгенодифракционной топографии: нет необходимости разрушать исследуемый образец, можно осуществлять экспрессный контроль больших партий монокристаллов. Способ впервые обеспечивает возможность экспресс-определения направления дислокаций в монокристаллах и эпитаксиальных пленках. Способ определения дислокаций в кристаллах включает селективное химическое травление кристалла до получения ямок травления размером 0,4-2 мкм и наблюдение ямок травления с помощью атомно-силового микроскопа. Измеряют угол наклона граней ямок травления, по полученным данным строят геометрические модели ямок и по наклону пирамид ямок травления рассчитывают направления дислокаций.
Изобретение относится к области полупроводниковых материалов с модифицированными электрическими свойствами. Способ получения низкотемпературного термоэлетрика на основе сплава Bi88Sb12 с добавками гадолиния включает помещение навески сплава Bi88Sb12 и металлического гадолиния в количестве 0,01-0,1 ат.% в стеклянную ампулу, из которой откачивают воздух до 10-3 мм рт. ст. и запаивают, размещение ампулы в печи, ее нагрев до температуры плавления сплава до полного растворения гадолиния, зонное выравнивание со скоростью 2 см/ч и выращивание монокристалла на затравку заданной ориентации методом зонной перекристаллизации при четном проходе со скоростью 0,5 мм/ч. Полученный термоэлектрик состоит из монокристалла Bi88Sb11 с распределенными в межслоевом пространстве наночастицами гадолиния, приводящими к увеличению соотношения подвижностей электронов и дырок без изменения концентрации носителей заряда, что в конечном итоге приводит к увеличению модуля дифференциальной термоэдс и соответственно термоэлектрической эффективности до 70% при 110 К для добавок гадолиния 0,1 ат.%. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.
