Патенты автора Аксенов Дмитрий Юрьевич (RU)
Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров полупроводниковых приборов и может быть использовано для контроля их качества. Технический результат – повышение точности. Для этого способ заключается в том, что через мощный полупроводниковый прибор пропускают последовательность из N импульсов греющего тока заданной амплитуды Iгр, длительность которых увеличивают по логарифмическому закону. Для каждого i-го импульса тока на основе измерения температурочувствительного параметра UТЧП определяют температуры p-n-перехода Tj(ti) и Tj(ti+1) до и после формирования i-го импульса тока соответственно, а также измеряют падение напряжения Uгр на объекте во время пропускания через него импульса тока. Затем вычисляют кумулятивную структурную функцию CТΣ(RТΣ) по формулам:
После этого с помощью дифференцирования кумулятивной структурной функции CТΣ(RТΣ) выявляют участки ее резкого роста и определяют компоненты теплового сопротивления мощных полупроводниковых приборов. 4 ил.
