Способ измерения компонент теплового сопротивления мощных полупроводниковых приборов

Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров полупроводниковых приборов и может быть использовано для контроля их качества. Технический результат – повышение точности. Для этого способ заключается в том, что через мощный полупроводниковый прибор пропускают последовательность из N импульсов греющего тока заданной амплитуды Iгр, длительность которых увеличивают по логарифмическому закону. Для каждого i-го импульса тока на основе измерения температурочувствительного параметра UТЧП определяют температуры p-n-перехода Tj(ti) и Tj(ti+1) до и после формирования i-го импульса тока соответственно, а также измеряют падение напряжения Uгр на объекте во время пропускания через него импульса тока. Затем вычисляют кумулятивную структурную функцию CТΣ(RТΣ) по формулам:

После этого с помощью дифференцирования кумулятивной структурной функции CТΣ(RТΣ) выявляют участки ее резкого роста и определяют компоненты теплового сопротивления мощных полупроводниковых приборов. 4 ил.

 

Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров полупроводниковых приборов и может быть использовано для контроля их качества.

Тепловое сопротивление RTjx полупроводниковых приборов относительно корпуса или окружающей среды согласно стандарту JESD51-1 (IC Thermal Measurement Method - Electrical Test Method (Single Semiconductor Device) EIA/JEDEC JESD51-1 standard, 1995) определяется выражением:

где Tj - температура p-n-перехода полупроводникового прибора; ТХ - фиксированная температура корпуса или окружающей среды; Р - мощность, рассеиваемая в полупроводниковом приборе.

Температуру Tj p-n-перехода определяют косвенным способом по результатам измерения температурочувствительного параметра. Для мощных диодов и биполярных транзисторов в качестве температурочувствительного параметра используют прямое падение напряжения UТЧП на p-n-переходе при протекании через него малого измерительного тока Iизм, для MOSFET-транзисторов - прямое падение напряжения исток-сток при закрытом канале транзистора или сопротивление открытого канала, для IGBT-транзисторов - прямое падение напряжения между коллектором и эмиттером при открытом канале транзистора.

Способ измерения теплового сопротивления мощных MOSFET-транзисторов определяется стандартом JESD24-3 (Thermal Impedance Measurements for Vertical Power MOSFETs (Delta Source-Drain Voltage Method). JEDEC JESD24-3 standard, 2002), для IGBT-транзисторов используют стандарт JESD24-6 (Thermal Impedance Measurements for Insulated Gate Bipolar Transistors. JEDEC JESD24-6 standard, 2002).

В обоих стандартах используют пропускание через полупроводниковый прибор импульса греющего тока и измерение температуры p-n-перехода транзистора до и после импульса греющего тока. Способ обладает невысокой точностью, поскольку на результаты измерения оказывает влияние ряд факторов, которые сложно учесть из-за их неопределенности. Так, согласно стандарту JESD24-3, длительность импульса греющего тока в зависимости от корпуса транзистора должна составлять величину от 10 до 100 мс. Предполагается, что за это время температура кристалла транзистора достигнет стационарного состояния, а температура корпуса практически не изменится. В действительности это не так и определить оптимальную длительность импульса греющего тока, при которой погрешность измерений минимальна, без проведения специальных исследований для каждого конкретного образца, невозможно.

Наиболее близким по технической сущности к заявленному изобретению (прототипом) является способ измерения теплового сопротивления полупроводниковых приборов, изложенный в стандарте JESD51-14 (Transient Dual Interface Test Method for the Measurement of the Thermal Resistance Junction to Case of Semiconductor Devices with Heat Flow through a Single Path / JEDEC standard JESD51-14, 2010).

Суть способа, взятого в качестве прототипа, состоит в том, что на объект измерения - полупроводниковый прибор подают ступеньку греющей мощности заданной величины и в процессе разогрева периодически на короткое время отключают греющую мощность и измеряют UТЧП. Временные интервалы между измерениями UТЧП подбирают одинаковыми по логарифмической шкале времени. Это позволяет, с одной стороны, обнаруживать особенности изменения температуры p-n-перехода на начальном этапе его разогрева и в то же время ограничивает общее количество измерений UТЧП для последующей их математической обработки. Типичный вид кривой нагрева, представляющей собой зависимость температуры Tj p-n-перехода от времени t нагрева, представлен на фиг. 1.

На кривой нагрева отчетливо проявляются участки медленного и быстрого изменения температурного отклика, соответствующие характерным слоям конструкции полупроводникового прибора. Участок медленного изменения (полка) соответствует накоплению тепла в теплоемкости определенного слоя; участок быстрого изменения наблюдается, когда тепловой поток достигает следующего слоя. Таким образом, кривая нагрева несет в себе информацию о вкладе в общее тепловое сопротивление отдельных элементов конструкции полупроводникового прибора, по которым распространяется тепловой поток, например, p-n-переход кристалла - кристаллодержатель - корпус - радиатор - окружающая среда.

Для получения детальной информации о вкладе отдельных элементов конструкции полупроводникового прибора в общее тепловое сопротивление на основе измерений Tj(t) вычисляют кумулятивную структурную функцию, представляющую собой зависимость суммарной теплоемкости CТΣ от суммарного теплового сопротивления RТΣ, которые определяются выражениями:

где Р - величина рассеиваемой в полупроводниковом приборе тепловой мощности, Tj (t=0) - начальная температура p-n перехода.

Типичный вид кумулятивной структурной функции показан на фиг. 2. Дифференцирование кумулятивной структурной функции C(R) позволяет выявить участки ее резкого роста, что позволяет определить компоненты теплового сопротивления полупроводникового прибора. При этом для определения компонент теплового сопротивления требуется поддерживать температуру корпуса полупроводникового прибора или температуру окружающей среды постоянной.

Недостатком прототипа является существенная погрешность определения компонент теплового сопротивления мощных полупроводниковых приборов из-за большой рассеиваемой мощности, вызывающей существенный нагрев корпуса полупроводникового прибора.

Технический результат - повышение точности измерения компонент теплового сопротивления мощных полупроводниковых приборов.

Технический результат достигается тем, что, как и в прототипе, на мощный полупроводниковый прибор воздействуют греющей мощностью заданной величины, в процессе разогрева периодически на короткое время отключают греющую мощность и измеряют температурочувствительный параметр UТЧП, после чего на основе измерения временной зависимости температуры Tj(t) p-n-перехода вычисляют кумулятивную структурную функцию C(R), а затем с помощью дифференцирования кумулятивной структурной функции выявляют участки ее резкого роста и определяют компоненты теплового сопротивления мощных полупроводниковых приборов. В отличие от прототипа, в котором временные интервалы между измерениями UТЧП подбирают одинаковыми по логарифмической шкале времени, а для расчета структурной функции используют изменение температуры Tj(t) p-n-перехода относительно начальной температуры Tj(t=0) p-n-перехода, в заявляемом изобретении через мощный полупроводниковый прибор пропускают последовательность из N импульсов греющего тока заданной амплитуды Iгр, длительность которых увеличивают по логарифмическому закону, для каждого i-го импульса тока на основе измерения температурочувствительного параметра UТЧП до начала формирования i-го импульса тока в момент времени ti определяют температуру Tj(ti) p-n-перехода, измеряют падение напряжения Uгр на объекте во время пропускания через него импульса тока, определяют температуру Tj(ti+1) p-n-перехода после окончания i-го импульса тока, затем вычисляют кумулятивную структурную функцию CТΣ(RТΣ) по формулам:

после чего с помощью дифференцирования кумулятивной структурной функции C(R) выявляют участки ее резкого роста и определяют компоненты теплового сопротивления мощных полупроводниковых приборов.

Сущность способа поясняет фиг. 3. На фиг. 3а показана временная зависимость тока I через мощный полупроводниковый прибор, представляющая собой последовательность импульсов греющего тока постоянной амплитуды Iгр, длительность которых увеличивается по логарифмическому закону, в паузах между импульсами протекает измерительный ток Iизм, создающий на p-n-переходе прямое падение напряжения UТЧП (фиг. 3б), линейно зависящее от температуры. Измерив UТЧП до начала формирования каждого i-го импульса греющего тока и после его завершения, определяют изменение температуры p-n-перехода ΔTj (фиг. 3в), вызванное протеканием через объект i-го импульса:

ΔTj=Tj(ti+1)-Tj(ti).

Затем по формулам (1) вычисляют кумулятивную структурную функцию C(R), анализ которой позволяет определить компоненты теплового сопротивления мощного полупроводникового прибора.

Предлагаемый способ может быть реализован с помощью устройства, структурная схема которого показана на фиг. 4. Устройство содержит источник 1 измерительного тока; формирователь 2 греющих импульсов, управляемый микроконтроллером 3; аналого-цифровой преобразователь 4, вход которого соединен с объектом измерения - мощным полупроводниковым прибором 5, а выход - с микроконтроллером 3.

Способ осуществляют следующим образом. С выхода формирователя 2 греющих импульсов через объект измерения - мощный полупроводниковый прибор 5 пропускают заданное микроконтроллером 3 количество импульсов греющего тока Iгр, длительность которых увеличивается по логарифмическому закону. В паузах между греющими импульсами измеряют температурочувствительный параметр - прямое падение напряжения UТЧП на p-n-переходе объекта, возникающее при протекании через него измерительного тока Iизм, сформированного источником 1. Напряжение UТЧП с помощью аналого-цифрового преобразователя 4 преобразуют в цифровой код, поступающий в микроконтроллер 3, в результате чего в памяти микроконтроллера 3 формируют массив значений {UТЧП}, который преобразуют в массив температур {Tj} p-n-перехода. Затем по формулам (1) вычисляют кумулятивную структурную функцию C(R), после чего проводят ее анализ и определяют компоненты теплового сопротивления мощного полупроводникового прибора.

Повышение точности измерения компонент теплового сопротивления мощных полупроводниковых приборов достигается за счет того, что в отличие от прототипа, в котором при расчете кумулятивной структурной функции используют изменение температуры p-n-перехода относительно начальной температуры корпуса полупроводникового прибора, которая из-за рассеиваемой в приборе мощности не остается постоянной, в заявленном способе изменение температуры p-n-перехода определяют после каждого импульса греющего тока, что снижает влияние нагрева корпуса прибора на точность измерения его теплового сопротивления.

Способ измерения компонент теплового сопротивления мощных полупроводниковых приборов, заключающийся в том, что на мощный полупроводниковый прибор воздействуют греющей мощностью заданной величины, в процессе разогрева периодически на короткое время отключают греющую мощность и измеряют температурочувствительный параметр UТЧП, после чего на основе измерения временной зависимости температуры Tj(t) р-n-перехода вычисляют кумулятивную структурную функцию CT∑(RT∑), а затем с помощью дифференцирования кумулятивной структурной функции выявляют участки ее резкого роста и определяют компоненты теплового сопротивления мощных полупроводниковых приборов, отличающийся тем, что в заявляемом изобретении через мощный полупроводниковый прибор пропускают последовательность из N импульсов греющего тока заданной амплитуды Iгр, длительность которых увеличивают по логарифмическому закону, для каждого i-го импульса тока на основе измерения температурочувствительного параметра UТЧП до начала формирования i-го импульса тока в момент времени ti определяют температуру Tj(ti) p-n-перехода, измеряют падение напряжения Uгр на объекте во время пропускания через него импульса тока, определяют температуру Tj(ti+1) р-n-перехода после окончания i-го импульса тока, затем вычисляют кумулятивную структурную функцию CT∑(RT∑) по формулам:

после чего с помощью дифференцирования кумулятивной структурной функции CT∑(RT∑) выявляют участки ее резкого роста и определяют компоненты теплового сопротивления мощных полупроводниковых приборов.



 

Похожие патенты:
Использование: для измерения тепловых параметров силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении. Сущность изобретения заключается в том, что способ автоматизированного определения теплового сопротивления переход-корпус силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении для повышения быстродействия измерений и обеспечения стопроцентного контроля теплового сопротивления у всех СПП, подключают каждый СПП под номинальные напряжение, ток и частоту коммутации кратковременно на время, равное 0,02…0,05 постоянной времени теплового процесса прибора t=0,02…0,05 τ, затем отключают, измеряют термочувствительный параметр и сравнивают его с эталонным.

Изобретение относится к физике полупроводников. Его применение при определении параметров каскадно возбуждаемых ловушек носителей зарядов в полупроводнике позволяет исследовать каскадно возбуждаемый тип ловушек в более широком классе полупроводниковых материалов, начиная с кристаллических и заканчивая органическими полупроводниками и нанокристаллами, и обеспечивает расширенные функциональные возможности за счет определения не только характеристик ловушек, но и энергетической плотности их состояний.

Изобретение относится к метрологии. Способ тестирования испытуемого устройства характеризуется тем, что соединяют первый модуль источника/измерителя с первым набором по меньшей мере из трех триаксиальных кабелей и выводом заземления.

Предложенная группа изобретений относится к системе для контроля рабочего состояния IGBT-устройства в реальном времени. Система для определения температуры полупроводникового перехода IGBT-устройства содержит дифференцирующий блок (21) для приема характеристики напряжения (VGE) затвор-эмиттер IGBT-устройства (12), которая должна быть измерена, и для дифференцирования характеристики напряжения (VGE) затвор-эмиттер, чтобы получать импульсы, коррелирующие с фронтами, сформированными фазой участка заряда емкости Миллера во время фазы выключения IGBT-устройства (12); блок (23) таймера для измерения временной задержки (tdelay) между полученными импульсами, указывающими начало и конец фазы участка заряда емкости Миллера во время фазы выключения IGBT-устройства (12); блок (25) вычисления температуры полупроводникового перехода для определения температуры полупроводникового перехода IGBT-устройства (12) на основе измеренной временной задержки (tdelay).

Использование: для контроля тепловых характеристик полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения заключается в том, что разогревают полупроводниковое изделие путем подачи на вход (на определенные выводы) полупроводникового изделия, подключенного к источнику питания, последовательности прямоугольных импульсов напряжения заданной амплитуды и длительности с частотой следования , измеряют среднюю за период следования прямоугольных импульсов напряжения мощность Pпот, потребляемую полупроводниковым изделием, разность фаз между входным импульсным напряжением и импульсным напряжением на выходе (на выходных выводах) полупроводникового изделия преобразуют в напряжение Uτ(t), в заданные моменты времени ti значения напряжения Uτ(t) запоминают и значения переходной тепловой характеристики полупроводникового изделия в моменты времени ti определяют по формуле ,где Kτ - относительный температурный коэффициент времени задержки сигнала в полупроводниковом изделии, а Uτ(0) - значение напряжения Uτ(t) в начале нагрева полупроводникового изделия, то есть при t0≈0.

Использование: для измерения теплофизических параметров полупроводниковых диодов. Сущность изобретения заключается в том, что способ заключается в предварительном определении ватт-амперной характеристики объекта измерения - полупроводникового диода, пропускании через диод последовательности импульсов греющего тока с постоянным периодом следования и изменяющейся амплитудой, обеспечивающей гармонический закон модуляции греющей мощности, измерении в паузах между импульсами прямого напряжения на диоде при малом измерительном токе и определении изменения температуры p-n перехода, вычислении с помощью Фурье-преобразования амплитуды и фазы основной гармоники переменной составляющей температуры перехода и определении модуля и фазы теплового импеданса полупроводникового диода.

Изобретение относится к электрофизическим способам определения степени релаксации барьерного слоя нитридной гетероструктуры и применяется для оценки качества кристаллической структуры, в которой наблюдается пьезоэлектрическая поляризация.

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для тестирования качества полупроводниковых приборов, в частности светодиодов, с целью выявления в них дефектов, обусловленных дефектностью структуры, качеством монтажа, неравномерностью растекания тока и другими факторами.

Изобретение относится к технике измерения предельных параметров мощных биполярных транзисторов и может использоваться на входном и выходном контроле их качества.

Изобретение относится к оптоэлектронной измерительной технике и может быть использовано для измерения тепловых параметров полупроводниковых светоизлучающих диодов на различных этапах их разработки и производства, на входном контроле предприятий-производителей светотехнических изделий с использованием светодиодов, а также при выборе режимов эксплуатации указанных изделий.

Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров полупроводниковых приборов и может быть использовано для контроля их качества. Технический результат – повышение точности. Для этого способ заключается в том, что через мощный полупроводниковый прибор пропускают последовательность из N импульсов греющего тока заданной амплитуды Iгр, длительность которых увеличивают по логарифмическому закону. Для каждого i-го импульса тока на основе измерения температурочувствительного параметра UТЧП определяют температуры p-n-перехода Tj и Tj до и после формирования i-го импульса тока соответственно, а также измеряют падение напряжения Uгр на объекте во время пропускания через него импульса тока. Затем вычисляют кумулятивную структурную функцию CТΣ по формулам: После этого с помощью дифференцирования кумулятивной структурной функции CТΣ выявляют участки ее резкого роста и определяют компоненты теплового сопротивления мощных полупроводниковых приборов. 4 ил.

Наверх