Патенты автора Розанов Роман Юрьевич (RU)
Изобретение может быть использовано для формирования фоторезистивных пленок, однородных по толщине и пригодных для проведения операций фотолитографии для формирования интегральных микросхем, МЭМС и СВЧ-структур на подложках, в том числе со сложным рельефом, где перепад высот существенно больше толщины формируемой пленки фоторезиста. Предложен способ получения пленки фоторезиста из раствора методом аэрозольного итерационного распыления в потоке газа, одновременно с формированием пленки фоторезиста происходит испарение растворителя из объема микрокапель, реализуемое за счет сочетания нагрева и формирования над поверхностью пленки потока газа, величина расхода которого находится в диапазоне от 3 до 4 порядков по отношению к величине расхода раствора, причем приготовление раствора фоторезистивного материала осуществляется путем добавления к исходному раствору фоторезиста растворителя, имеющего температуру кипения в диапазоне от 160°С до 175°С, представляющего собой один из растворителей или их смесь - 3-циклогексен-1-карбоксальдегид, гексагидробензальдегид, 3-метил-3-циклогексен-1-он. Изобретение обеспечивает снижение перераспределения основных компонентов фоторезистивного материала в формируемом слое фоторезиста, которые вносят вклад в увеличение неоднородности по толщине, увеличение шероховатости пленки в процессе испарения растворителей на подложках, содержащих сложный рельеф и разницу свойств материалов структурных элементов. 4 ил.
Изобретение относится к полимерной промышленности и может быть использовано для медицинских имплантов и культивирования клеток. Осуществляют модификацию поверхности изделий из полилактида путем функционализации гидроксильными группами посредством обработки высокочастотной плазмой разряда инертного газа. Обрабатываемые изделия перед воздействием плазмы выдерживают в парах воды по меньшей мере 5 часов при температуре в камере в диапазоне от 35°С до температуры стеклования используемого полилактида. Одновременно с этим в камере плазменной обработки поддерживают температуру в диапазоне от -35°С до -7°С. Процесс проводят в течение не более 20 секунд. Обеспечивается увеличение плотности функциональных групп на поверхности обрабатываемого изделия, приводящее к уменьшению срока биоинтеграции. 1 з.п. ф-лы, 1 пр.
