Патенты автора ШНИТТЕР Кристоф (DE)

Изобретение относится к тонкодисперсным структурам, содержащим вентильный металл или субоксид вентильных металлов, и может быть использовано, в частности, в качестве материалов для катализаторов, мембран, фильтров, анодов конденсаторов. Ламельные наноструктуры содержат вентильный металл или субоксид вентильного металла и присутствуют в порошках или поверхностных областях металлических или керамических субстратов в виде полос или слоев, имеющих поперечный размер от 5 до 100 нм. Способ их получения включает восстановление оксидов вентильных металлов и после завершения восстановления немедленное охлаждение до температуры, при которой ламельные структуры остаются стабильными. Изобретение направлено на получение тонкодисперсных структур с большой удельной поверхностью. 4 н. и 12 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к полуфабрикату для производства компонентов с высокой емкостью со структурированной активной в агломерации поверхностью, а также способу его производства и его применению

Изобретение относится к твердотельному конденсатору
Изобретение относится к химически устойчивым материалам, в частности, применяемым для облицовки реакционных сосудов, реакторов, мельниц, пресс-форм и т.п., которые используют при производстве анодов для электролитических конденсаторов с твердым электролитом
Изобретение относится к области электротехники, в частности к изготовлению конденсаторов на основе порошка субоксида ниобия NbOx, где 0,7<x<1,3, который перед прессованием перемешивают с порошком вентильного металла - ниобия

Изобретение относится к электролитическим конденсаторам на основе ниобия

Изобретение относится к аноду с запирающим слоем на основе ниобия, состоящему из ниобиевой металлической сердцевины, проводящего слоя из субоксида ниобия и диэлектрического запирающего слоя из пятиоксида ниобия

Изобретение относится к области электротехники, в частности к порошку для конденсатора, состоящего в основном из ниобия с поверхностным покрытием, которое содержит, как минимум, один элемент из группы Al, Si, Ti, Zr, Y и Та, и к аноду конденсатора, состоящего из спекшего порошка с изолирующим слоем, полученным путем анодного окисления, где слой содержит, как минимум, один из элементов из группы Al, Si, Ti, Zr, Y и Та

 


Наверх