Патенты автора Гаврищук Евгений Михайлович (RU)
Твердотельный активный элемент // 2704332
Изобретение относится к области лазерной техники. Твердотельный активный элемент состоит как минимум из трех слоев, при этом слой, содержащий ионы активатора, сформирован в виде изгиба в радиальном направлении по отношению к оптической оси упомянутого элемента. Толщина слоя, содержащего ионы активатора, находится в пределах 0,1-10 мм, а радиус изгиба слоя, содержащего ионы активатора, составляет не более 500 мм, но не менее среднего радиуса пятна накачки, при этом поверхности ввода-вывода излучения плоскопараллельны. Технический результат заключается в обеспечении возможности повышения мощности лазерного излучения. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к ИК-оптике, а именно к созданию лазерных сред, и касается разработки способа получения легированных халькогенидов цинка для перестраиваемых твердотельных лазеров, используемых, в частности, в медицине и биологии. Способ включает нанесение на поверхность халькогенида цинка пленки легирующего компонента из хрома толщиной 2-10 мкм или железа толщиной 1 мкм, формирование на упомянутой пленке слоя соответствующего халькогенида цинка методом химического осаждения из газовой фазы, и диффузионный отжиг полученной трехслойной структуры в аргоне при давлении от 90 МПа до 200 МПа и температуре от 1100°С до 1350°С в течение 1-72 часов. Халькогенидом цинка является селенид или сульфид цинка. Поверхность полученных легированных образцов имеет повышенную стойкость к лазерному пробою. 2 ил., 2 пр.
Изобретение относится к ИК-оптике, а именно к созданию лазерных сред, и касается технологии получения легированных переходными металлами халькогенидов цинка в качестве активной среды или пассивного затвора для твердотельных лазеров. Способ заключается в том, что на, по меньшей мере, часть поверхности, по меньшей мере, одного элемента из халькогенида цинка наносят, по меньшей мере, один слой пленки, содержащий, по меньшей мере, один легирующий переходный металл (хром, кобальт, железо, марганец). Далее элементы укладывают друг на друга, формируя заданное чередование халькогенидов цинка и легирующих переходных металлов по сечению элемента таким образом, чтобы, по меньшей мере, два элемента из халькогенида цинка соприкасались друг с другом через, по меньшей мере, один слой нанесенной пленки, после чего уложенные элементы диффузно сваривают с последующим диффузионным отжигом. Технический результат заключается в сокращении времени получения образцов и количества технологических стадий. Полученные образцы обладают улучшенными оптическими характеристиками. Использование полученных халькогенидов цинка в качестве активной среды уменьшает порог лазерной генерации и повышает квантовую эффективность лазерной генерации (КПД по поглощенной энергии) в среднем на 3-5% за счет снижения дефектности образцов. 5 з.п. ф-лы, 6 ил., 3 пр.
Изобретение относится к способу получения прозрачной керамики алюмоиттриевого граната (ИАГ), в том числе легированной ионами редкоземельных металлов (Nd, Yb, Tm, Но, Er), которая может быть использована в качестве активной лазерной среды, либо люминофоров и сцинтилляторов (при легировании ионами Ce, Pr, Tb, Eu, Sm). В способе золь-гель методом получают порошки ксерогеля примерного состава [Y3Al5O5(ОН)10.93(СН3СОО)3(NO3)0.07]·nH2O, которые подвергают размолу в планетарной мельнице и просеивают через сито с размером ячейки 100 мкм. Порошок ксерогеля, прошедшего через сито, помещают в пресс-форму и компактируют при давлении 200 МПа. Полученный компакт нагревают со скоростью 0,06 К/мин до 600°C, затем со скоростью 5 К/мин до 1200°C в кислородсодержащей атмосфере и выдерживают при этой температуре 0,5 часа. Затем компакт помещают в вакуумную печь, где нагревают со скоростью 10 К/мин до 1800°C и выдерживают при этой температуре 4 часа. Полученный образец отжигают на воздухе при температуре 1300°C 1 час, затем шлифуют и полируют поверхности. Получают прозрачную керамику алюмоиттриевого граната, имеющую пропускание на длине волны 1064 нм 83,6%, заменой чистого нанопорошка оксида иттрия нанопорошком оксида иттрия, легированного ионами редкоземельных металлов (Nd, Yb, Tm, Но, Er, Ce, Pr, Tb, Eu, Sm) в количестве до 10 мол.%, получают керамику ИАГ, легированную ионами редкоземельных элементов и пригодную для использования в качестве лазерного или сцинтилляционного материала. Технический результат от использования изобретения заключается в упрощении технологии керамики ИАГ. 2 пр.
Изобретение относится к ИК-оптике и может быть использовано для производства перестраиваемых твердотельных лазеров, используемых, в частности, в медицине и биологии. Способ включает нанесение на поверхность образца из халькогенидов цинка или их твердых растворов пленки легирующего элемента, в качестве которого используют один или несколько элементов из следующего ряда: хром, кобальт, железо, и проведение последующего диффузионного отжига при давлении от 90 МПа до 200 МПа и температуре от 1100°С до 1350°С. Изобретение позволяет получать массивные (более 20 мм) образцы хорошего качества за короткое время ( 8-44 часа). 1 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл., 1 пр.
Изобретение относится к оптико-механической промышленности, в частности к оптическим материалам, применяемым в устройствах и приборах инфракрасной техники, и может быть использовано для изготовления защитных входных люков (окон), обеспечивающих надежное функционирование приборов
Изобретение относится к способам обработки массивных (диаметром до 200 мм) оптических элементов из селенида цинка, используемых в качестве пассивных оптических элементов высокомощных СО 2-лазеров и других приборов, работающих в ИК-диапазоне длин волн
Изобретение относится к неорганической химии и касается разработки способа получения высокочистого диоксида селена, который может быть использован в органическом синтезе, а также в полупроводниковой технике
