Патенты автора Алтухов Андрей Александрович (RU)
Алмазный детектор ионизирующих излучений // 2744317
Изобретение относится к алмазным детекторам для измерения характеристик ионизирующих излучений. Алмазный детектор ионизирующих излучений состоит из подложки, алмазной пластины, двух контактных электродов, расположенных на гранях алмазной пластины, выводов для подачи напряжения смещения и съёма выходного сигнала, присоединённых к контактным электродам, при этом в непосредственной близости от алмазной пластины установлен источник света, оптически связанный с алмазной пластиной. Технический результат - повышение точности измерений характеристик ионизирующих излучений алмазным детектором ионизирующих излучений. 1 ил.
АЛМАЗНЫЙ ДЕТЕКТОР ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ // 2607300
Изобретение относится к полупроводниковым детекторам ионизирующих излучений, в частности к алмазным детекторам, способным работать в условиях повышенных температур, пониженных давлений, в агрессивных средах. Алмазный детектор ионизирующих излучений состоит из алмазной подложки, активного алмазного слоя, двух контактных электродов, расположенных сверху и снизу активного алмазного слоя, и выводов для подачи напряжения смещения и съема выходного сигнала, при этом нижний контактный электрод полностью распложен внутри активного алмазного слоя, при этом выводы для подачи напряжения смещения и съема выходного сигнала выполнены в виде графитовых столбиков в объеме алмазной подложки и активного алмазного слоя с выходом контактных поверхностей на нижнюю сторону подложки. Изобретение исключает утечки и пробой по поверхности кристалла, что повышает устойчивость детектора к внешним воздействующим факторам. 2 ил.
АЛМАЗНЫЙ ДЕТЕКТОР ТЕПЛОВЫХ НЕЙТРОНОВ // 2565829
Изобретение относится к полупроводниковым детекторам для регистрации корпускулярных излучений, в частности к алмазным детекторам тепловых нейтронов. Алмазный детектор тепловых нейтронов состоит из алмазной пластины, двух контактных электродов, конвертора тепловых нейтронов и внешних выводов для подачи напряжения смещения и съема выходного сигнала, при этом один из контактных электродов выполнен в виде набора графитовых столбиков, расположенных в объеме алмазной пластины так, чтобы расстояние от торцов графитовых столбиков до второго контактного электрода не превышало 5-10 мкм, при этом основания графитовых столбиков параллельно подсоединены к выводу для подачи напряжения смещения, а конвертор тепловых нейтронов установлен над поверхностью другого контактного электрода. Технический результат - снижение чувствительности к фоновому гамма-излучению. 1 ил.
ГИБРИДНАЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНАЯ СХЕМА (ГФС) // 2504043
Гибридная фоточувствительная схема содержит: алмазный матричный фотоприемник (МФП), индиевые столбики и кремниевый мультиплексор с чувствительными площадками. В состав МФП входят: верхний плоский электрод, на который подается напряжение смещения, алмазная пластина и нижние электроды чувствительных элементов алмазного МПФ, с которых снимается сигнал. Нижние электроды гальванически связаны через индиевые столбики с расположенными в виде прямоугольной матрицы с осями X и Y чувствительными элементами кремниевого мультиплексора. Число индиевых столбиков на каждой осей X и Y должно быть не менее двух. Кроме того, матрица алмазного фотоприемника по оси X и Y имеет в два раза шаг больше, чем матрица кремниевого мультиплексора, и нижние электроды чувствительных элементов алмазного МПФ расположены в шахматном порядке. Нижние электроды чувствительных элементов алмазного МПФ соединены гальванически индиевыми столбиками только с нечетными или четными чувствительными площадками кремниевого мультиплексора, поэтому, свободные чувствительные площадки кремниевого мультиплексора могут использоваться для регистрации видимого и ИК-излучений. Технический результат изобретения - расширение детектируемого диапазона излучения, за счет одновременной регистрации изображения в ультрафиолетовом, видимом и ИК спектре, увеличение срока службы ГФС за счет исключения попадания жесткого УФ излучения на мультиплексор. 4 ил.
