Патенты автора Климов Александр Эдуардович (RU)
СЛОЙ ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ИЗОЛЯТОРА Pb1-хSnхTe:In НА КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКЕ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ // 2783365
Изобретение относится к области трехмерных кристаллических топологических изоляторов. Слой топологического изолятора Pb1-xSnxTe:In на кристаллической подложке состоит из последовательно эпитаксиально выращенных на кристаллической подложке первого слоя Pb1-xSnxTe:In, где х=0,2-0.3 толщиной 0,5-1 мкм с концентрацией индия 0,2-2% и второго слоя Pb1-xSnxTe:In, где х≥0,3 толщиной 10-20 нм с концентрацией индия 0.1-1,5%. Кристаллическая подложка содержит последовательно эпитаксиально выращенные на Si(111) слой CaF2 толщиной 5-15 нм и BaF2 толщиной 10-20 нм. Способ изготовления слоя топологического изолятора Pb1-xSnxTe:In на кристаллической подложке включает последовательное выращивание на предварительно химически очищенной подложке Si(111) слоя CaF2 толщиной 5-15 нм методом молекулярно-лучевой эпитаксии при температуре 230-750°С из эффузионной ячейки, содержащей CaF2 чистотой не менее 99.99%, при остаточном давлении в камере не хуже 5×107 Па со скоростью 0.1-0.3 Å/с, слоя BaF2 толщиной 10-20 нм при температуре 230-750°С из эффузионной ячейки, содержащей BaF2 чистотой не менее 99,99%, слоя Pb1-xSnxTe:In, где х=0,2-0,3 толщиной 0,5-1 мкм при температуре 230-320°С с концентрацией индия 0,2-2% и слоя Pb1-xSnxTe:In толщиной 10-20 нм при температуре 230-320°С с концентрацией индия 0,1-1.5% из двух потоков Pb1-xSnxTe:In и SnTe при соотношении потоков, обеспечивающем концентрацию олова, соответствующую стехиометрической формуле Pb1-xSnxTe с х≥0,3. Задачей настоящего технического решения является разработка обладающего свойствами топологического изолятора слоя Pb1-xSnxTe, легированного индием, на кристаллической подложке, и способа изготовления такого слоя. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к общему машиностроению, приборостроению и может быть использовано, в частности, при монтаже различного технологического оборудования, предназначенного для изготовления полупроводниковых слоев, или элементов такого оборудования, а также различного оборудования для проведения исследований или используемого в иных целях
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, чувствительным к излучению, и может быть использовано для разработки фотоприемников, в частности, предназначенных для регистрации инфракрасного излучения
Изобретение относится к области микроэлектроники и оптоэлектроники и может быть использовано для регистрации оптических сигналов в передающих телевизионных камерах, в системах искусственного зрения роботов, в приборах ночного видения и др
