Патенты автора Гриценко Владимир Алексеевич (RU)

Изобретение относится к изготовлению мемристора. В способе формируют на предварительно подготовленной подложке диэлектрический слой нестехиометрического оксида гафния HfOx с составом х<2, обеспечивающим резистивное переключение. Затем в отношении диэлектрического слоя осуществляют локальную электронно-лучевую кристаллизацию с формированием филамента. При этом облучают электронным пучком участок поверхности диэлектрического слоя по площади, сопоставимый с поперечным размером филамента. Значение энергии электронов в пучке выбирают из условия согласования ее с толщиной диэлектрического слоя - для формирования филамента с протяжением его в активном слое от бомбардируемой электронами поверхности до расположенной напротив поверхности диэлектрического слоя. Флюенс электронов равен минимальному значению или более его, обеспечивающему локальную электронно-лучевую кристаллизацию с формированием филамента, способного к реализации резистивного переключения, но не более значения флюенса, обеспечивающего локальную электронно-лучевую кристаллизацию с формированием филамента, не способного к реализации резистивного переключения. Технический результат заключается в устранении необходимости проведения формовки и в кратном снижении среднеквадратичного отклонения величин напряжений переключения из высокоомного состояния (USET) в низкоомное состояние (URESET) и наоборот, а также сопротивлений, соответствующих низкоомному (RON) и высокоомному (ROFF) состояниям. 4 з.п. ф-лы, 6 ил, 4 пр.

Изобретение относится к технике накопления информации, к вычислительной технике, в частности к элементам резистивной памяти, к элементам памяти электрически перепрограммируемых постоянных запоминающих устройств, сохраняющих информацию при отключенном питании, и может быть использовано при создании устройств памяти, например вычислительных машин, микропроцессоров, электронных паспортов, электронных карточек. Способ получения активной структуры элемента энергонезависимой резистивной памяти включает изготовление на подложке примыкающих друг к другу слоя, обеспечивающего формирование наноконтактов для реализации филаментарного механизма проводимости, и активного слоя, обеспечивающего филаментарный механизм проводимости. Слой, обеспечивающий формирование наноконтактов для реализации филаментарного механизма проводимости, изготавливают с образованием системы слоев в составе туннельно-тонкого слоя сплошного диэлектрика и слоя диэлектрика со встроенными нанокластерами полупроводника толщиной, равной диаметру нанокластеров. На подложку осаждают слой гидрогенизированного аморфного кремния а-Si:H. Затем проводят прокисление в кислородосодержащей плазме со стороны его поверхности, которая доступна для воздействия плазмы, приводящее к получению диэлектрика - нестехиометрического оксида кремния. Осуществляют частичное прокисление, за счет механизма островкового роста обеспечивающее образование системы слоев в составе туннельно-тонкого слоя сплошного нестехиометрического оксида кремния и примыкающего к нему слоя в виде непрерывного перколяционного кластера нестехиометрического оксида кремния со встроенными в него нанокластерами аморфного полупроводника - гидрогенизированного аморфного кремния a-Si:H толщиной, равной диаметру указанных нанокластеров. После этого прокисление прекращают, чем завершают изготовление слоя, обеспечивающего формирование наноконтактов для реализации филаментарного механизма проводимости. Либо завершают изготовление последующей термообработкой системы указанных слоев, приводящей к выходу водорода, трансформации нестехиометрического оксида кремния в стехиометрический оксид кремния с диффузией избытка атомов полупроводника - кремния к встроенным нанокластерам, трансформации гидрогенизированного аморфного кремния a-Si:H нанокластеров в аморфный кремний. Изобретение обеспечивает снижение величины напряжения формовки вплоть до достижения нулевого значения; предотвращение возможного выхода из строя элемента памяти; повышение стабильности и повторяемости характеристик; снижение напряжения переключения. 5 з.п. ф-лы, 3 ил., 5 пр.

Способ относится к вычислительной технике - к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам, сохраняющим информацию при отключенном питании. Способ изготовления активного слоя для универсальной памяти на основе резистивного эффекта включает осаждение на подложку слоя диэлектрика - окиси гафния. При осаждении получают окись гафния нестехиометрического состава - HfOx, содержащую вакансии кислорода. Осаждение проводят ионно-лучевым распылением-осаждением Hf мишени в кислородсодержащей атмосфере. При этом задают стехиометрический состав х с х<2 парциальным давлением кислорода. Давление выбирают величиной от 2×10-4 Па до 1×10-2 Па, включая указанные значения. В результате обеспечивается появление на вольт-амперной характеристике резистивного элемента окна гистерезиса, получение обратимого резистивного переключения без осуществления процесса формовки, и предотвращение возможного выхода из строя элемента памяти на подготовительном к работе этапе. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике. Мемристорный элемент памяти содержит подложку с расположенным на ее рабочей поверхности проводящим электродом. На указанном проводящем электроде выполнен активный слой из диэлектрика. Второй проводящий электрод расположен на активном слое. Проводящий электрод, расположенный на рабочей поверхности, и/или второй проводящий электрод выполнены из металла. В качестве диэлектрика активного слоя взят оксид металла, из которого выполнен соответственно проводящий электрод, расположенный на рабочей поверхности, и/или второй проводящий электрод. В результате обеспечивается снижение напряжения перепрограммирования, а также снижение потребляемой на перепрограммирование мощности. 13 з.п. ф-лы, 1 ил.

Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства предназначен для хранения информации при отключенном питании. На полупроводниковой подложке с истоком и стоком между последними выполнены туннельный слой, дополнительный туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и затвор. При этом дополнительный туннельный и блокирующий слои выполнены из материала с высоким значением диэлектрической проницаемости, от 5 до 2000, превосходящим диэлектрическую проницаемость материала туннельного слоя, выполненного из SiO2. Запоминающий слой выполнен в виде графена. В результате обеспечивается увеличение времени хранение заряда, увеличение окна памяти до 7 В, возможность инжекции положительного и отрицательного заряда, снижение времени записи/стирания информации, увеличение времени хранения информации до 12 лет. 5 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в снижении паразитной емкости между плавающими затворами соседних флэш элементов памяти и предотвращении стирания информации соседних флэш элементов памяти. Флэш элемент памяти содержит полупроводниковую подложку с истоком и стоком, сформированными в ней, и последовательно выполненные на подложке между истоком и стоком туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и проводящий затвор, причем запоминающий слой выполнен в виде сплошного инертного проводящего слоя из нитрида тантала TaN или нитрида титана TiN, нижний предел толщины запоминающего слоя ограничен возможностью существования сплошного слоя, а верхний предел - желанием снизить эффект интерференции и величину паразитной емкости. 8 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в достижении воспроизводимости окна гистерезиса резистивного элемента памяти. Резистивный флэш элемент памяти содержит полупроводниковую подложку с выполненным на ее рабочей поверхности проводящим электродом, на котором расположен слой диэлектрика, на слое диэлектрика выполнен второй проводящий электрод, причем проводящий электрод со стороны диэлектрика снабжен выступом, обеспечивающим локализацию формирования проводящей электрический ток нити через диэлектрик и необходимую напряженность электрического поля для формирования нити и протекания электрического тока, при этом со стороны диэлектрика выступом, обеспечивающим локализацию формирования проводящей электрический ток нити через диэлектрик и необходимую напряженность электрического поля для формирования нити и протекания электрического тока, снабжен проводящий электрод, выполненный на рабочей поверхности подложки, или второй проводящий электрод, выполненный на слое диэлектрика. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике и предназначено для хранения информации при отключенном питании

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам, сохраняющим информацию при отключенном питании

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам (ЭППЗУ), сохраняющим информацию при отключенном питании (флэш-память), и может быть использовано в устройствах памяти вычислительных машин, микропроцессорах, в различных портативных электронных устройствах, а также в различных электронных платежных средствах и документах

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам, сохраняющим информацию при отключении питания

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам

 


© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности
Наверх