Патенты автора Красников Геннадий Яковлевич (RU)
Изобретение относится к области компьютерных сетей. Технический результат заключается в обеспечении сохранения разметки произвольных сетевых транспортных протоколов без снижения значения пропускной способности сетевого процессорного устройства. Посредством буферизирующего логического устройства входной очереди принимают по меньшей мере один сетевой пакет, осуществляют подсчет и проверку циклических контрольных сумм, передают по меньшей мере один сетевой пакет в разделитель памяти. В разделителе памяти отделяют заголовок от неизменяемых данных по меньшей мере одного сетевого пакета и отправляют заголовок и метаданные по меньшей мере одного сетевого пакета в вычислительный конвейер, неизменяемые данные по меньшей мере одного сетевого пакета отправляют в основную память. В вычислительном конвейере обрабатывают заголовок по меньшей мере одного сетевого пакета и его метаданные, при этом вычислительный конвейер работает в одном из режимов, где первый режим заключается в обработке заголовка по меньшей мере одного сетевого пакета по полям и его изменение в соответствии с актуальными правилами обработки пакетов, а второй режим - в операции копирования состояния памяти предыдущего блока вычислительного конвейера в память следующего блока или в буфер исходящей очереди. В буфер исходящей очереди заголовков поступает заголовок по меньшей мере одного сетевого пакета, буфер исходящей очереди осуществляет отправку метаданных заголовка по меньшей мере одного сетевого пакета в планировщик отправки и осуществляет запись заголовка по меньшей мере одного сетевого пакета, разделенную по времени, в основную память. В планировщик отправки поступает сигнал о наличии в буфере исходящей очереди заголовка по меньшей мере одного сетевого пакета, планировщик отправки определяет очередность отправки и осуществляет отправку заголовка по меньшей мере одного сетевого пакета в основную память. В основной памяти осуществляют конкатенацию неизменяемых данных и полученного заголовка по меньшей мере одного сетевого пакета и отправляют полученный по меньшей мере один сетевой пакет в по меньшей мере одно буферизирующее логическое устройство выходной очереди. Буферизирующее логическое устройство выходной очереди передает полученный сетевой пакет на MAC-интерфейсы. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к аналитической химии, в частности, к способу количественного определения хлоридов в концентрате тетраметиламмония гидроксида, который может быть использован в исследовательской и производственной практике. Сущность способа: количественное определение хлоридов в концентрате тетраметиламмония гидроксида осуществляют полярографически на фоне серной или азотной кислоты с концентрацией от 5 до 10% при дифференциальном токовом режиме, а расчет концентрации хлоридов проводят по градуировочному графику или по формулам. Техническим результатом предлагаемого изобретения является создание полярографического метода анализа хлоридов в концентрате тетраметиламмония гидроксида, повышающего точность анализа концентрации хлоридов в продукте и чувствительность метода, что обеспечит ему практическое использование. 1 табл., 4 ил.
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано для изготовления дискретных ограничителей напряжения. Способ изготовления вертикального низковольтного ограничителя напряжения включает формирование на высоколегированной подложке первого типа проводимости локальных областей скрытого слоя второго типа проводимости, осаждение низколегированного эпитаксиального слоя второго типа проводимости, формирование областей прибора с помощью щелевой изоляции, формирование на поверхности низколегированного слоя высоколегированных областей первого и второго типов проводимости. Формирование локальных областей скрытого слоя проводят путем осаждения высоколегированного эпитаксиального слоя второго типа проводимости с последующим локальным травлением эпитаксиального слоя до высоколегированной подложки первого типа проводимости, причем толщина высоколегированного эпитаксиального слоя составляет не более 1 мкм. Изобретение обеспечивает получение низковольтных низкоемкостных ограничителей напряжения с малыми токами утечки за счет высокого кристаллического совершенства формируемого высоколегированного слоя и минимизации температурной обработки переходов. Способ отличается простотой по сравнению с традиционными способами получения скрытых слоев диффузией и имплантацией примеси и позволяет снизить стоимость изготовления прибора. 6 ил.
Способ изготовления полупроводниковой структуры, выступающей из монолитного кремниевого тела // 2698574
Изобретение относится к способу изготовления полупроводниковой структуры, выступающей из монолитного кремниевого тела, для формирования активных и пассивных элементов интегральных схем. Сущность изобретения заключается в способе изготовления маски для травления вертикальной полупроводниковой структуры путем нанесения первого слоя материала (полупроводник, металл, диэлектрик, силициды и т.д.) на поверхность подложки. Затем с помощью фотолитографии формируют окошки в виде квадрата или прямоугольника, после чего травят этот слой, затем на этот слой наносят второй слой материала (полупроводник, металл, диэлектрик, силициды и т.д.), после чего на поверхность наносят третий слой материала, являющийся маской по отношению к первым двум слоям (полупроводник, металл, диэлектрик, силициды и т.д.), и с помощью химико-механической полировки удаляют третий слой материала, затем, используя оставшуюся часть третьего слоя как маску, удаляют как первый, так и второй слой материала, потом удаляют третий слой материала. Структура второго слоя любой формы, например в виде прямоугольника размером меньше чем это позволяет достичь фотолитография, используется как маска для получения вертикальной полупроводниковой структуры. Изобретение обеспечивает уменьшение размера и упрощение технологии изготовления вертикальной полупроводниковой структуры. 8 ил., 2 табл.
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении изделий светоиндикаторной техники и эмиссионной электроники на основе автоэлектронной эмиссии матрицы многоострийных углеродных эмиттеров на пластинах монокристаллического кремния. Изготовление матрицы многоострийного автоэмиссионного катода осуществляют на пластинах монокристаллического кремния дырочного типа проводимости в плазме микроволнового газового разряда осаждением из паров углеродосодержащих веществ, например этанола, углеродных покрытий на кремниевые столбчатые наноструктуры высотой до нескольких десятков нанометров. Для повышения плотностей автоэмиссионных токов используют эмиссионные слои с низкой поперечной электропроводностью. Технический результат - повышение стабильности и эффективности автоэмиссии. 2 ил.
Ячейка сегнетоэлектрической памяти // 2649622
Изобретение относится к области устройств энергонезависимой памяти на основе явления сегнетоэлектричества с деструктивным считыванием, к которому предъявляются жесткие требования к ресурсу, времени хранения информации и энергоемкости. В основе изобретения - ячейка сегнетоэлектрической памяти. Техническим результатом данного изобретения является создание ячейки сегнетоэлектрической памяти с упрощенной и более надежной конструкцией, которую можно использовать для создания схем памяти большой емкости. Технический результат достигается за счет использования дополнительного перекрытия между слоями нижнего электрода и сегнетоэлектрика и сегнетоэлектрика и верхнего электрода. 2 з.п. ф-лы, 5 ил.
Изобретение относится к области нанесения тонких диэлектрических пленок для создания устройств микро- и наноэлектроники на основе перспективных материалов, в частности элементов энергонезависимой памяти на основе явления сегнетоэлектричества (FeRAM, ferroelectric random access memory) с деструктивным считыванием, к которому предъявляются жесткие требования к ресурсу, времени хранения информации и энергоемкости. В основе изобретения лежит способ нанесения тонкой пленки многокомпонентного оксида гафния и циркония методом атомно-слоевого осаждения из металлоорганических прекурсоров гафния Hf[N(CH3)(C2H5)]4 (ТЕМАН) и циркония Zr[N(CH3)(C2H5)]4 (TEMAZ) на нижний электрод в виде смеси из двух металлоорганических реагентов ТЕМАН и TEMAZ, подаваемой из общего прогреваемого контейнера. Повышение электрофизических характеристик сегнетоэлектрического конденсатора является техническим результатом изобретения. 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 4 пр.
ФЛЭШ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМОГО ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА // 2584728
Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства предназначен для хранения информации при отключенном питании. На полупроводниковой подложке с истоком и стоком между последними выполнены туннельный слой, дополнительный туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и затвор. При этом дополнительный туннельный и блокирующий слои выполнены из материала с высоким значением диэлектрической проницаемости, от 5 до 2000, превосходящим диэлектрическую проницаемость материала туннельного слоя, выполненного из SiO2. Запоминающий слой выполнен в виде графена. В результате обеспечивается увеличение времени хранение заряда, увеличение окна памяти до 7 В, возможность инжекции положительного и отрицательного заряда, снижение времени записи/стирания информации, увеличение времени хранения информации до 12 лет. 5 з.п. ф-лы, 4 ил.
КОРПУС МОБИЛЬНЫХ ПРИЕМО-ПЕРЕДАЮЩИХ УСТРОЙСТВ // 2584146
Изобретение относится к области корпусов мобильных приемо-передающих устройств. Техническим результатом является увеличение времени автономной работы мобильных приемо-передающих устройств, содержащих дополнительные солнечные батареи, за счет увеличения износостойкости солнечных батарей. Для этого батарея солнечных элементов, расположенная на внешней поверхности крышки корпуса мобильного приемо-передающего устройства и подключенная к аккумулятору мобильного приемо-передающего устройства, закрыта герметичным прозрачным защитным покрытием от внешних воздействий, изготовленным из материалов, выбранных из группы: сапфир, кварц, кварцевое стекло. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к технологии изготовления многоуровневой металлизации сверхбольших интегральных микросхем (СБИС). Способ изготовления медной многоуровневой металлизации СБИС многократным повторением процессов изготовления типовых структур, состоящих из медных горизонтальных и вертикальных проводников и окружающих их диэлектрических слоев с низким значением эффективной диэлектрической постоянной, включает нанесение на полупроводниковую пластину металлических слоев, фотолитографию, локальное электрохимическое нанесение меди и защитных слоев на ее поверхность. Процесс изготовления включает три последовательно выполняемых этапа: изготовление горизонтальных медных проводников, изготовление внутриуровневой пористой диэлектрической изоляции с ультранизким значением диэлектрической постоянной и межуровневой изоляции из плотного диэлектрика и изготовление вертикальных медных проводников. Изобретение обеспечивает отсутствие интегрированных технологических операций, а также повышение механической прочности проводников за счет того, что медный проводник находится внутри плотного диэлектрика. 13 з.п. ф-лы, 18 ил.
Изобретение относится к электронной технике. Процесс изготовления многокристальных трехмерных ИС методом вертикальной сборки с применением технологии TSV включает в себя формирование в кристаллах на кремниевой пластине сквозных медных проводников с выступами над лицевой или тыльной стороной утоненных пластин. Предлагается одновременно с травлением глубоких вертикальных отверстий (ГВО) в кремнии вытравить и глубокие вертикальные траншеи (ГВТ) по границам кристаллов и одновременно с ГВО в кремнии заполнить их стенки металлом с аналогично сформированными выступами. Сквозные вертикальные проводники (СВП) и сквозные теплоотводящие рамки (СТР) на соединяемых пластинах одновременно соединяются, при этом герметизируется пространство между соединенными кристаллами, значительно увеличивается прочность соединения кристаллов. Создается теплоотводящая система как от каждого кристалла, так и от всей сборки кристаллов. Изобретение позволяет полностью электрически экранировать многокристальную сборку, включая и возможность создания электрического экрана между соединяемыми кристаллами, а также возможность уменьшить ширину межкристальных дорожек до уровня порядка единиц микрометров. 10 з.п. ф-лы, 23 ил.
Изобретение относится к технологии изготовления сверхбольших интегральных схем (СБИС) в части формирования многоуровневых металлических соединений. Способ формирования многоуровневых медных межсоединений СБИС по процессу двойного Дамасцена через двухслойную жесткую маску включает нанесение слоя изолирующего диэлектрика на пластину, в теле которого будут формироваться проводники многоуровневой металлизации интегральной схемы, нанесение поверх изолирующего диэлектрика нижнего слоя двухслойной жесткой маски двуокиси кремния и верхнего слоя двухслойной жесткой маски, формирование на верхнем слое двухслойной жесткой маски топологической маски из резиста, травление верхнего слоя двухслойной жесткой маски по топологической маске из резиста, удаление остаточного резиста с поверхности топологического рисунка, сформированного в верхнем слое двухслойной жесткой маски, травление нижнего слоя двухслойной жесткой маски двуокиси кремния по топологическому рисунку верхнего слоя двухслойной жесткой маски, вытравливание траншей и переходных контактных окон в слое изолирующего диэлектрика по топологическому рисунку в двухслойной жесткой маске, заполнение сформированных траншей и переходных контактных окон слоем металлизации и удаление избыточного объема нанесенного металла с поверхности пластин, при этом в качестве материала верхнего слоя жесткой маски используют слой вольфрама. Изобретение обеспечивает повышение надежности и увеличение процента выхода годных изделий. 1 з.п.ф-лы, 10 ил.
Изобретение относится к области калибровки оптических цифровых и конфокальных микроскопов, растровых электронных микроскопов и сканирующих зондовых микроскопов при измерении микронных и нанометровых длин отрезков. Тестовый объект для калибровки микроскопов выполнен в виде канавочных структур, стенки которых имеют наклонный профиль, плоское основание и разную ширину на поверхности и на дне. Для всех элементов выдержан постоянный угол между боковой стенкой и плоскостью дна. Линейные размеры по крайней мере части элементов отличаются друг от друга в заданное количество раз, а линейные размеры наибольшего элемента могут быть измерены с высокой точностью на используемом при проведении измерений аттестованном измерительном оборудовании. Техническим результатом является независимость результата измерений от температуры среды и повышение точности измерений длин отрезков, характеризующих профиль элемента рельефа, в большом диапазоне длин. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к микроэлектронике
Изобретение относится к микроэлектронике, к способам изготовления штампов для наноимпринт литографии с субмикронными и нанометровыми проектными нормами для использования при изготовлении полупроводниковых устройств
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении приборов вакуумной микроэлектроники
Изобретение относится к технологии полупроводникового производства, в частности к формированию затворов в КМОП технологии
СПОСОБ ХИМИКО-ДИНАМИЧЕСКОЙ ПОЛИРОВКИ // 2447196
Изобретение относится к проблемам химико-динамической полировки материала и может быть использовано для обработки металла, диэлектрика, полупроводника и их соединений
Изобретение относится к технологии изготовления многоуровневой металлизации интегральных схем
Изобретение относится к методу изготовления пленок монокристаллического кремния на изоляторе
Изобретение относится к области цветной металлургии, в частности к производству высокочистого кремния, который может быть использован при изготовлении солнечных элементов
Изобретение относится к приборам вакуумной микроэлектроники, в частности к полевым эмиссионным элементам с углеродными нанотрубками, используемыми в качестве катодов: к триодам, к диодам и к устройствам на их основе, полевым эмиссионным дисплеям, вакуумным микроэлектронным переключателям токов и др
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРЕМНИЯ ВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ // 2367600
Изобретение относится к области цветной металлургии, в частности к производству высокочистого кремния, который может быть использован при изготовлении солнечных элементов
Изобретение относится к вакуумным интегральным микроэлектронным приборам с катодами вертикального типа и обратным расположением электродов относительно подложки и устройствам на их основе: вакуумным интегральным схемам, вакуумным микроэлектронным переключателям токов, полевым эмиссионным дисплеям и др
Изобретение относится к приборам вакуумной микроэлектроники, в частности к матрицам полевых эмиссионных катодов с затворами и устройствам на их основе: полевым эмиссионным дисплеям, вакуумным микроэлектронным переключателям токов и др
