Патенты автора Гольцман Григорий Наумович (RU)

Изобретение относится к технологии и способам размещения наноалмазов с NV-центрами на оптических структурах из Si3N4 и может быть использовано в будущих устройствах нанофотоники. Способ размещения наноалмазов на структурах из нитрида кремния включает покрытие защитным резистом с последующей электронной литографией для образования «окон», в которых должны размещаться наноалмазы. Раствор наноалмазов поддерживают до полного высыхания при постоянной температуре 20-24°С или при повышении температуры с 25°С до 70°С в течение 10-15 минут. После взрывной литографии наноалмазы остаются на месте «окон» на поверхности нитрида кремния. Технический результат: контролируемое размещение алмазов с NV-центрами в «окнах» с низкой вероятностью образования крупных агломератов. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к медицинской технике. Для определения величины отраженного сигнала от роговицы при субтерагерцовом воздействии в качестве источника субтерагерцового излучения используют перестраиваемый генератор с мощностью от 0,5 до 1 мВт, с центральной частотой 100 ГГц и длиной волны λ≈3 мм падающего и отраженного излучения. При этом излучение направляют на роговицу с помощью направленного ответвителя и волноводно-лучеводного перехода и фокусируют на роговице с помощью тефлоновой линзы. Отраженный сигнал собирается этой же тефлоновой линзой с помощью направленного ответвителя отводится на детектор, электрический сигнал с которого измеряют с помощью селективного вольтметра. По его величине определяют величину отраженного сигнала от роговицы. Изобретение обеспечивает определение изменения содержания воды в роговице с возможностью сканирования по поверхности роговицы глаза и в ее строме, что может дать информацию о распределении воды в роговице по поверхности и в ее толще и позволит проводить более точную диагностику патологических изменений роговицы при различных заболеваниях, а также экономическую эффективность. 1 табл., 1 пр., 4 ил.

Изобретение относится к медицине, а именно к офтальмологии, к способам оценки гидратации роговицы с помощью субтерагерцевого излучения. Для определения величины отраженного сигнала от роговицы при субтерагерцевом воздействии в качестве источника субтерагерцевого излучения используют лавинно-пролетный диод с мощностью от 0,5 до 1 мВт, частотой 95 ГГц и длиной волны λ≈3 мм падающего и отраженного излучения. При этом излучение направляют на роговицу с помощью квазиоптического рупора и фокусируют на роговице с помощью тефлоновой линзы. Отраженный сигнал фокусируют с помощью другой тефлоновой линзы, расположенной на детекторе, электрический сигнал с которого измеряют с помощью селективного вольтметра. По его величине определяют величину отраженного сигнала от роговицы. Изобретение обеспечивает определение изменения содержания воды в роговице и позволяет проводить более точную диагностику патологических изменений роговицы при различных заболеваниях, а также экономическую эффективность. 1 табл., 3 ил.

Использование: для изготовления высокочувствительных приемников электромагнитного излучения терагерцевого диапазона. Сущность изобретения заключается в том, что массив чувствительных элементов формируется в процессе селективного травления однородной сетки УНТ с использованием литографической маски в виде массива прямоугольников размером 8*4 мкм2, сформированной в процессе фотолитографии. Технический результат - обеспечение возможности упрощения технологии изготовления детекторов, а геометрия антенн позволяет регистрировать излучение от 100 ГГц до 3 ТГц. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Использование: для изготовления высокочувствительных приемников одиночных фотонов видимого и инфракрасного диапазонов. Сущность изобретения заключается в том, что сверхбыстрый и сверхчувствительный гибридный сверхпроводниковый нановолноводный однофотонный детектор с низкой скоростью темнового счета включает в себя чувствительный нанопровод из сверхпроводниковой пленки NbN, расположенный на нановолноводе Si3N4, и защитное диэлектрико-металлическое покрытие, состоящее из слоя диэлектрика SiO2 и слоя металла Al, нанесенного поверх нанопровода. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения ложных срабатываний сверхпроводникового однофотонного волноводного детектора и увеличения чувствительности сверхпроводникового однофотонного волноводного детектора. 3 ил.

Изобретение относится к области оптоэлектроники, а именно к многоэлементным приемникам субмиллиметрового и дальнего инфракрасного излучения, и может найти применение в терагерцовой микроскопии, при исследовании полупроводниковых излучателей, в системах безопасности, медицине и др. Технический результат изобретения заключается в снижении влияния ВЧ-тока каждой планарной антенны на соседние антенны и, как следствие, в уменьшении взаимовлияния соседних антенн друг на друга. Матрица сверхпроводящих детекторов на электронном разогреве содержит соединенные друг с другом планарные антенны с интегрированным в каждую элементом, чувствительным к ИК-излучению, причем ветви каждой антенны имеют форму логарифмических спиралей. На каждом участке, соединяющем антенны друг с другом, выполнена по меньшей мере одна продольная прорезь или заужение. Этот участок обладает повышенным волновым сопротивлением, и, благодаря конструктивной интерференции волн, отраженных от ближнего и дальнего краев отрезка, на конце спирали реализуется режим, близкий к режиму холостого хода. ВЧ-ток отражается в месте начала отрезка с повышенным волновым сопротивлением, и антенна работает в режиме, близком к уединенной антенне. 5 з.п. ф-лы, 7 ил., 1 табл.

Изобретение относится к способам уменьшения интенсивности фонового излучения инфракрасного диапазона. Способ фильтрации фонового излучения инфракрасного диапазона, падающего на сверхпроводниковый однофотонный детектор, включает передачу излучения инфракрасного диапазона с длиной волны 0,4-1,8 микрометров на сверхпроводниковый однофотонный детектор при помощи одномодового волокна, частично находящегося при температуре 4,0-4,4 К. При этом длина охлаждаемого участка одномодового волокна составляет 0,2-3,5 м. Технический результат заключается в повышении надежности работы фотонных детекторов. 2 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к области получения сверхпроводящих соединений и изготовления нанопроводников и приборов на их основе, что может быть использовано в электротехнической, радиотехнической, медицинской и других отраслях промышленности, в частности для оптического тестирования интегральных микросхем, исследования излучения квантовых точек и в системах квантовой криптографии

Изобретение относится к устройствам для регистрации излучения видимого и инфракрасного диапазонов излучения в режиме счета отдельных фотонов

Изобретение относится к устройствам для регистрации отдельных фотонов видимого и инфракрасного диапазонов

Изобретение относится к горному делу, а более конкретно к способам контроля полезных ископаемых по количественному содержанию полезного компонента в них, и может быть использовано на горнорудных предприятиях

Изобретение относится к устройствам для регистрации отдельных фотонов и может быть использовано в системах оптической волоконной связи, для телекоммуникационных технологий в системах защиты передаваемой информации, диагностике и тестировании больших интегральных схем, в спектроскопии одиночных молекул, астрономии, медицине

 


Наверх