Патенты автора Сватков Александр Валерьевич (RU)
Комбинированный магниторезистивный датчик // 2630716
Изобретение относится к устройствам регистрации переменных, в том числе импульсных магнитных полей звукового и более низких частотных диапазонов, и может быть использовано в средствах магнитной телеметрии и интроскопии. Сущность изобретения заключается в том, что магниторезистивный мост (датчик) размещен на поверхности концентратора магнитного поля, выполненного из ферромагнитного материала и являющегося сердечником для витков двух секций, образующих короткозамкнутую катушку индуктивности. Вблизи магниторезистивного моста установлен источник постоянного магнитного поля. Витки первой секции катушки, намотанные на концентратор, проходят по поверхности магниторезистивного моста, воздействуя на него вторичным магнитным полем. Это магнитное поле, в свою очередь, возбуждается током, наведенным в витках первой и второй секций под действием регистрируемого импульсного магнитного поля. Технический результат – повышение магнитной чувствительности к полезным сигналам. 6 з.п. ф-лы, 5 ил.
Изобретение относится к средствам обеспечения информационной безопасности, в частности к устройству блокирования несанкционированного съема информации с сотового телефона относится, и может быть использовано в мобильных устройствах связи индивидуального пользования. Изобретение позволяет повысить эффективность защиты. Устройство для блокирования несанкционированного съема информации с сотового телефона, размещенного в чехле, содержит электронный узел блокирования телефона. Электронный узел блокирования телефона состоит из магниточувствительного токового ключа и постоянного магнита. Магниточувствительный токовый ключ установлен внутри корпуса телефона и включен в разрыв одной из питающих или сигнальных шин его узлов с обеспечением их отключения, а постоянный магнит размещен на стенке упомянутого чехла. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.
ДАТЧИК ПЕРЕМЕННОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ // 2564383
Изобретение относится к измерительной технике и представляет собой датчик переменного магнитного поля. Датчик содержит по меньшей мере один магниточувствительный датчик, управляющий проводник которого подключен своими концами к внешнему проводнику с образованием замкнутого контура. Замкнутый контур, образованный управляющим проводником и подключенным к нему внешним проводником, заземлен на половине длины внешнего проводника. В магниточувствительном датчике магниточувствительный элемент и управляющий проводник разделены изолирующим слоем. Магниточувствительный датчик размещен внутри оболочки из магнитомягкого материала с изоляцией от нее диэлектрическим слоем. Внутри замкнутого контура может быть размещен ферромагнитный концентратор с намотанной на него многовитковой катушкой, своими концами соединенной с перестраиваемым конденсатором. Технический результат заключается в обеспечении стабильности измерения магнитного поля при перемещении самого датчика в низкочастотных и постоянных магнитных полях Земли, окружающих намагниченных предметов и электромагнитных приборов, повышении помехозащищенности датчика, в том числе от электрических импульсных помех. 6 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой магниторезистивный преобразователь магнитного поля и может быть использовано в приборах контроля и измерения вектора магнитного поля. Преобразователь содержит тонкопленочные магниторезистивные элементы с гигантским магниторезистивным эффектом и с однонаправленным изменением сопротивления под действием магнитного поля, соединенные по мостовой схеме. В каждом плече мостовой схемы параллельно соединено либо по меньшей мере два магниторезистивных элемента, либо по меньшей мере два ряда последовательно соединенных магниторезистивных элементов. Техническим результатом является повышение отношения сигнал/шум в широком частотном диапазоне. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.
ЛИНЕЙНЫЙ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ДАТЧИК // 2347301
МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ДАТЧИК ПОЛЯ // 2307427
ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ // 2300827
