Патенты автора Амеличев Владимир Викторович (RU)
Преобразователь электрического тока // 2724304
Изобретение может быть использовано для обнаружения электрического тока в проводниках электротехнических устройств. Преобразователь электрического тока содержит разъемный корпус 1 с отверстием 2 для размещения контролируемого проводника. Корпус 1 выполнен из двух частей: основания 3 и крышки 4 с полукруглыми пазами 5 и 6 с образованием при закрытии крышки сквозного круглого отверстия 2. Преобразователь электрического тока содержит магниточувствительный элемент 7 и концентратор магнитного потока, который выполнен из трех частей, с возможностью соединения первой части концентратора 8 с торцами двух других частей концентратора 9 и 10, при этом образуется разомкнутый контур, в зазоре которого размещен магниточувствительный элемент 7. В крышке 4 размещена упругая пластина 11, взаимодействующая с первой частью концентратора 8. Корпус 1 выполнен с возможностью соединения основания и крышки по направляющим, которыми снабжена крышка с пазами, которые выполнены в основании корпуса. Преобразователь снабжен петлевыми пружинными элементами, закрепленными с одного конца в основании с возможностью поворота вокруг точки крепления, с размещением при фиксации противоположных концов пружинных элементов в углублениях, выполненных в крышке. Основание содержит кристалл, на поверхности которого выполнен магниточувствительный элемент, состоящий из тонкопленочных магниторезистивных элементов, соединенных в мостовую схему Уинстона, над которыми расположена планарная катушка подмагничивания. Изобретение обеспечивает увеличение надежности фиксации контролируемого проводника в отверстии преобразователя электрического тока, увеличение чувствительности и точности измерений. 2 ил.
Изобретение относится к элементам магнитной стрейнтроники и может быть использовано в преобразователях механических деформаций (напряжений, давлений), акустических преобразователях на основе многослойных тонкоплёночных магнитострикционных наноструктур с анизотропным магниторезистивным эффектом. Сущность изобретения заключается в том, что структура содержит расположенные между защитными слоями слой с анизотропным магниторезистивным эффектом, выполненный из сплава, содержащего Fe, Ni, Co, и слой из магнитострикционного материала, выполненный из сплава, содержащего Fe и Co или Co, Fe и B. Технический результат заключается в обеспечении возможности использования в преобразователях (датчиках) механических деформаций, основанных на изменении магнитных свойств магнитострикционного слоя под действием механической деформации/напряжения и измерении возникающего магниторезистивного эффекта в другом слое. 7 з.п. ф-лы, 7 ил.
Использование: для конструкции оптоволоконных датчиков магнитного поля. Сущность изобретения заключается в том, что чувствительный элемент преобразователя магнитного поля для волоконно-оптического датчика содержит подложку из монокристаллического кремния, мембрану, расположенную над отверстием, выполненным в подложке для образования подмембранной камеры, и планарную чувствительную площадку, отражающую свет, из магнитострикционного материала в центральной области мембраны, причем мембрана содержит по меньшей мере два диэлектрических слоя, имеющих внутренние напряжения противоположного знака, а также на мембране выполнен рельеф гофров в виде по меньшей мере одной кольцевой концентрической канавки. Технический результат: обеспечение возможности повышения чувствительности элемента мембранного типа при минимальных встроенных механических напряжениях. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано для получения магнитомягкого материала элементов интегральных микросистем, концентрирующих или экранирующих магнитное поле. Способ включает осаждение пленки в гальванической ванне при плотности тока 20±1,0 мА/см2, температуре 60-70°С при перемешивании электролита, содержащего хлорид никеля NiCl2⋅6H2O и хлорид железа FeCl2⋅4H2O, обеспечивающие отношение концентраций атомов никеля и железа NNi/NFe = 4,26, борной кислоты Н3ВО3 - 30 г/л, разрыхлителя сахарина C7H5NO3S - 5 г/л, соляной кислоты HCl (30%) для получения рН 1,7±10%, осаждение проводят в локальных областях, ограниченных фоторезистивной маской на окисленной кремниевой пластине, металлизированной никелем с подслоем нихрома, при этом металлизированный слой контактирует с никелевым электродом катода на краю пластины, при этом электролит при приготовлении очищают от трехвалентного железа за счет фильтрации оксида трехвалентного железа, а для компенсации удаленного хлорида железа и повышенной скорости осаждения никеля в электролит вносят добавку очищенного хлорида двухвалентного железа для получения состава пленки Ni81Fe19, а при осаждении пленок анодом служит углеродная пластина. Технический результат: повышение воспроизводимости точного состава пленок пермаллоя и улучшение их магнитных свойств. 4 ил.
Корпус для микросистем измерения силы тока // 2665491
Использование: для датчиков тока. Сущность изобретения заключается в том, что корпус для микросистем измерения силы тока, содержащий крышку и сопрягаемые между собой две части корпуса: основание и вставку, верхняя поверхность основания выполнена с углублением для размещения компонентов устройства измерения силы тока, внутренняя стенка углубления выполнена с горизонтальной ступенькой, на которой сформированы выводы к контактным площадкам выводной рамки на наружной поверхности корпуса, с нижней стороны основания выполнено углубление, сопрягаемое с выступами, выполненными на верхней поверхности вставки, с образованием горизонтально ориентированной П-образной полости для размещения токопроводящей шины, во вставке выполнено по меньшей мере два отверстия, вертикально пересекающие П-образную полость, а в углублении нижней стороны основания выполнены дополнительные выемки, расположенные напротив отверстий в выступающих частях вставки, с образованием при сопряжении основания и вставки вертикально ориентированной П-образной полости для размещения концентраторов. Технический результат - обеспечение возможности оптимального позиционирования элементов: токопроводящей шины, концентраторов и кристаллов, содержащих чувствительные элементы, что приводит к повышению надежности, точности и воспроизводимости измерений при проведении контроля силы тока. 3 ил.
Изобретение относится к метрологии, в частности к способам калибровки гидрофонов. Способ настройки максимальной чувствительности волоконно-оптического гидрофона предполагает подачу света по волоконно-оптической линии к микромембране, с последующим приемом отраженного света фотоприемником. При этом используют модулированный по амплитуде и по частоте свет, формируют модулированным лазерным излучением сигнал с частотой модуляций, близкой к резонансной частоте микромембраны, которым возбуждают вынужденные колебания микромембраны; измеряют резонансную частоту микромембраны ν, затем при постоянной мощности изменяют длину волны излучения от источника света в пределах, превышающих спектральную ширину свободной дисперсии интерферометра Фабри-Перо, согласно математическому выражению, учитывающему расстояние от отражающей поверхности микромембраны до торцевой поверхности одномодового волоконного световода H0, и показатель преломления среды n. Затем измеряют экстремальные значения длины волны λmax и λmin излучения, соответствующие выходным сигналам, вычисляют среднее значение, изменяют длину волны излучения до длины волны λk, соответствующей среднему значению Uср выходного сигнала. Технический результат – повышение чувствительности гидрофона. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ // 2601360
Использование: для использования в конструкциях датчиков и преобразователей магнитного поля, электрического тока, контроля перемещения и угла поворота объекта. Сущность изобретения заключается в том, что магниторезистивный элемент содержит участки магниторезистивной пленки в форме параллелограмма с острым углом 45°, имеющей ось легкой намагниченности, параллельную короткой стороне параллелограмма, соединенные между собой немагнитными металлическими перемычками, контактные окна к участкам магниторезистивной пленки выполнены на длинных сторонах параллелограмма. Технический результат: обеспечение возможности улучшения магниточувствительности датчика. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ // 2568148
Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой магниторезистивный преобразователь и может быть использовано в конструкции датчиков магнитного поля. Преобразователь содержит кремниевый кристалл с выполненными в нем по меньшей мере двумя заглублениями, в которых размещены планарные металлические концентраторы. Планарные металлические концентраторы выполнены длиной L и толщиной b, причем величина зазора между концентраторами h составляет примерно не более чем 2 толщины концентратора b и не менее чем 0,06 длины концентратора L. На поверхности кристалла в области между заглублениями размещен магниточувствительный элемент. Над магниточувствительным элементом размещена планарная катушка первого типа, выполненная с возможностью формирования магнитного поля вдоль оси легкого намагничивания магниторезистивных полосок, отделенная от магниточувствительного элемента первым слоем диэлектрика, над которой размещена планарная катушка второго типа, выполненная с возможностью формирования магнитного поля, перпендикулярного оси легкого намагничивания магниторезистивных полосок, отделенная от планарной катушки первого типа вторым слоем диэлектрика. Техническим результатом является увеличение относительной чувствительности к слабому магнитному полю (до 1 мТл) и повышение соотношения сигнал/шум. 7 з.п. ф-лы, 4 ил.
ДАТЧИК ПЕРЕМЕННОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ // 2564383
Изобретение относится к измерительной технике и представляет собой датчик переменного магнитного поля. Датчик содержит по меньшей мере один магниточувствительный датчик, управляющий проводник которого подключен своими концами к внешнему проводнику с образованием замкнутого контура. Замкнутый контур, образованный управляющим проводником и подключенным к нему внешним проводником, заземлен на половине длины внешнего проводника. В магниточувствительном датчике магниточувствительный элемент и управляющий проводник разделены изолирующим слоем. Магниточувствительный датчик размещен внутри оболочки из магнитомягкого материала с изоляцией от нее диэлектрическим слоем. Внутри замкнутого контура может быть размещен ферромагнитный концентратор с намотанной на него многовитковой катушкой, своими концами соединенной с перестраиваемым конденсатором. Технический результат заключается в обеспечении стабильности измерения магнитного поля при перемещении самого датчика в низкочастотных и постоянных магнитных полях Земли, окружающих намагниченных предметов и электромагнитных приборов, повышении помехозащищенности датчика, в том числе от электрических импульсных помех. 6 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой магниторезистивный преобразователь магнитного поля и может быть использовано в приборах контроля и измерения вектора магнитного поля. Преобразователь содержит тонкопленочные магниторезистивные элементы с гигантским магниторезистивным эффектом и с однонаправленным изменением сопротивления под действием магнитного поля, соединенные по мостовой схеме. В каждом плече мостовой схемы параллельно соединено либо по меньшей мере два магниторезистивных элемента, либо по меньшей мере два ряда последовательно соединенных магниторезистивных элементов. Техническим результатом является повышение отношения сигнал/шум в широком частотном диапазоне. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.
ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИЙ МЭМС КЛЮЧ // 2541439
Изобретение относится к микроструктурным микроэлектромеханическим системам. Электростатический микроэлектромеханический ключ содержит кремниевый кристалл со сформированным подвижным электродом в виде консоли с выполненными в ней симметричными щелевидными отверстиями, образующими гибкие поддерживающие балки разной длины, перпендикулярные друг другу, и подложку, на которой размещен, по меньшей мере, один неподвижный электрод и токовые шины, соединенную с кремниевым кристаллом с образованием зазора между подвижным и неподвижным электродами, причем подвижный электрод снабжен шунтом, закорачивающим токовые шины при контакте и расположенным со смещением относительно центра в сторону от свободного края подвижного электрода. Технический результат заключается в уменьшении напряжения управления МЭМС ключом и увеличении максимально допустимого тока коммутации. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к области электротехники, а именно к способу изготовления электростатического силового микроэлектромеханического ключа, в котором формируется плоскопараллельное соединение поверхности кремниевого кристалла и печатной платы за счет сформированного микрорельефа на соединяемой поверхности кремниевого кристалла с использованием проводящего клеевого соединения. Обеспечение заданного зазора между подвижной структурой кремниевого кристалла и печатной платой и создание за счет этого оптимального соотношения между величиной управляющего напряжения и жесткостью подвижной структуры кремниевого кристалла является техническим результатом изобретения. Способ изготовления микромеханического элемента включает формирование на подложке кремния (1) технологической мембраны (2), выступов (3), рабочей мембраны (5), микрорельефа (4), приповерхностного высоколегированного n+ слоя (6) и изоляции (7) фотолитографией, формирование металлического шунта (8) путем напыления золота на подслой вольфрама и формирование подвижного электрода в виде консоли с гибкими поддерживающими балками сквозным плазмохимическим травлением щелевидных отверстий (9) в рабочей мембране, а также изготовление металлической печатной платы (10), силовых шин (11), нижнего электрода (12) и рамки для верхнего электрода (13), с последующим соединением микромеханического элемента и металлической печатной платы при помощи проводящего клея. 4 з.п. ф-лы, 9 ил.
НАНОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКАЯ СИСТЕМА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ДВИЖЕНИЯ И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ // 2517787
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в датчиках ускорения. Система для измерения параметров движения содержит первое твердотельное основание из немагнитного материала, на котором закреплен чувствительный элемент в виде консольной балки, состоящий из активной и пассивной частей, разделенных между собой канавкой. На свободном конце активной части размещен постоянный магнит, и соединенное с ним второе основание с магниторезистивным элементом. При этом активная часть чувствительного элемента расположена за пределами первого основания с размещением канавки вдоль ребра первого основания. Второе основание размещено со стороны активной части чувствительного элемента с расположением поверхности магниторезистивного элемента в плоскости, проходящей через постоянный магнит, причем магнитное поле магнита перпендикулярно направлению оси легкой намагниченности магниторезистивного элемента. Способ изготовления системы для измерения параметров движения заключается в формировании чувствительного элемента путем анизотропного жидкостного травления поперечной канавки в монокристаллическом кремнии, закреплении на свободном конце активной части чувствительного элемента постоянного магнита, закреплении пассивной части чувствительного элемента на первом основании, прикреплении второго основания с размещенным на нем магниторезистивным элементом к первому основанию со стороны активной части чувствительного элемента. Технический результат - повышение чувствительности измерительного прибора. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 2 ил.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО СЕНСОРА "МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ ГОЛОВКА-ГРАДИОМЕТР" // 2506666
Изобретение относится к области магнитных датчиков на основе многослойных наноструктур с магниторезистивным эффектом. Способ согласно изобретению включает окисление кремниевой подложки 1, формирование диэлектрического слоя 2, формирование магниторезистивной структуры, содержащей верхний 3 и нижний 4 защитные слои, между которыми расположена ферромагнитная пленка 5, формирование из трех рядов параллельных магниторезистивных полосок балластных плеч мостовой схемы и полоски рабочего плеча мостовой схемы путем жидкостного травления, причем ширина магниторезистивных полосок балластных плеч мостовой схемы в N раз меньше ширины полоски рабочего плеча, а длины магниторезистивных полосок балластных и рабочего плеча мостовой схемы равны, нанесение первого изолирующего слоя 6, вскрытие в нем контактных окон к полоскам, формирование перемычек между рядами магниторезистивных полосок балластных плеч мостовой схемы путем напыления слоя алюминия 7 и последующего плазмохимического травления, формирование второго изолирующего слоя 8, вскрытие в нем переходных окон к перемычкам, формирование планарного проводника, проходящего над рабочем плечом мостовой схемы, путем напыления слоя алюминия 9 последующего плазмохимического травления и пассивацию с образованием верхнего защитного слоя 10. Изобретение обеспечивает возможность уменьшения размеров датчика, увеличения чувствительности датчика, увеличения процента выхода годных изделий. 2 з. п. ф-лы, 2 ил.
МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ ГОЛОВКА-ГРАДИОМЕТР // 2506665
Изобретение относится к области магнитных наноэлементов. В магниторезистивной головке-градиометре, содержащей подложку с диэлектрическим слоем, на котором расположены соединенные в мостовую схему немагнитными низкорезистивными перемычками четыре ряда последовательно соединенных такими же перемычками в каждом плече мостовой схемы тонкопленочных магниторезистивных полосок, содержащих каждая верхний и нижний защитные слои, между которыми расположена ферромагнитная пленка, первый изолирующий слой поверх тонкопленочных магниторезистивных полосок, на котором сформирован первый планарный проводник с рабочими частями, расположенными над тонкопленочными магниторезистивными полосками, и второй изолирующий слой, второй планарный проводник, проходящий над и вдоль рабочей тонкопленочной магниторезистивной полоски, и защитный слой, при этом все тонкопленочные магниторезистивные полоски расположены в один ряд, во всех тонкопленочных магниторезистивных полосках ОЛН ферромагнитной пленки направлена под углом 45° относительно продольной оси тонкопленочной магниторезистивной полоски, а рабочее плечо мостовой схемы, ближайшее к краю головки-градиометра, удалено от трех балластных плеч мостовой схемы, ширина балластной тонкопленочной магниторезистивной полоски в N раз меньше ширины рабочей тонкопленочной магниторезистивной полоски, а балластный ряд мостовой схемы состоит из набора N параллельно соединенных тонкопленочных магниторезистивных полосок. Изобретение обеспечивает ослабление действующего на магниторезистивную головку-градиометр локального магнитного поля и увеличение чувствительности. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к средствам контроля медицинской техники и может быть использовано в устройствах обнаружения магнитных микрогранул, прикрепившихся к биоматериалам в результате процессов биотинилирования и гибридизации
Изобретение относится к технологии микро- и наноэлектроники и может быть использовано в производстве гибридных микросистем анализа слабого магнитного поля
Изобретение относится к области магнитных датчиков и может быть использовано в тахометрах, устройствах неразрушающего контроля, датчиках перемещения, датчиках для измерения постоянного и переменного магнитного поля, электрического тока, биодатчиках
МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ДАТЧИК // 2436200
Изобретение относится к области магнитных датчиков и может быть использовано в тахометрах, устройствах неразрушающего контроля, датчиках перемещения, датчиках для измерения постоянного и переменного магнитного поля, электрического тока
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНОГО ВЫСОКОДОБРОТНОГО КРЕМНИЕВОГО МИКРОМЕХАНИЧЕСКОГО РЕЗОНАТОРА // 2435294
Изобретение относится к измерительной технике, а именно к интегральным высокодобротным кремниевым микромеханическим резонаторам, использующим в качестве резонирующего элемента балочные и консольные структуры из монокристаллического кремния, размещенные в капсулах с высоким вакуумом, и, в частности, применяемым в качестве чувствительных элементов прецизионных преобразователей давления, микромеханических датчиков угловой скорости (гироскопов) и микромеханических датчиков ускорения
МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ДАТЧИК // 2433507
Изобретение относится к области магнитных наноэлементов на основе многослойных металлических наноструктур с магниторезистивным эффектом и может быть использовано для измерения магнитного поля в измерительных комплексах, научном и медицинском приборостроении, устройствах диагностики печатных плат и микросхем, биообъектов (бактерий, вирусов, токсинов и ДНК)
Изобретение относится к полупроводниковым приборам для преобразования воздействий радиационного излучения, преимущественно нейтронного, в электрический сигнал, измерение которого позволяет определить уровень радиации или набранную дозу облучения
МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ ГОЛОВКА-ГРАДИОМЕТР // 2403652
Изобретение относится к области магнитных наноэлементов на основе многослойных металлических наноструктур с магниторезистивным эффектом
Изобретение относится к области магнитных датчиков и может быть использовано при изготовлении магниторезистивных датчиков магнитного поля с перпендикулярными направлениями измерения магнитного поля на одной подложке для таких приборов, как электронный компас, магнетометр и др
МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ДАТЧИК // 2312429
Изобретение относится к области магнитных датчиков и может быть использовано в тахометрах, устройствах неразрушающего контроля, датчиках перемещения, датчиках для измерения постоянного и переменного магнитного поля, электрического тока
