Патенты автора Суханов Владимир Сергеевич (RU)
Использование: для сборки электронных компонентов в электронный модуль. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления трехмерного электронного модуля включает следующие этапы: создают функциональные блоки, осуществляя монтаж электронных компонентов на технологические подложки с контактными площадками на боковых гранях, проводят тестирование сформированного на подложке функционального блока, при положительном результате которого осуществляют дальнейшие этапы, производят подготовку технологической заливочной оснастки путем ее очистки от посторонних веществ, загрязнений, сушки и нанесения разделительной смазки, которая имеет антиадгезионные свойства, осуществляют позиционирование функциональных блоков в технологической заливочной оснастке, располагая их параллельно один над другим, совмещая контактные площадки, осуществляют приготовление теплопроводящего электроизоляционного компаунда и заливают компаунд в технологическую заливочную оснастку, при приготовлении и заливке теплопроводящего электроизоляционного компаунда применяют операцию двойной дегазаци, осуществляют полимеризацию теплопроводящего электроизоляционного компаунда, обрезают боковые грани сформированного трехмерного электронного модуля для открытия контактных площадок технологических подложек, обрезку осуществляют посредством оборудования, позволяющего обеспечить минимальную шероховатость поверхности боковых торцов трехмерного электронного модуля, проводят процедуру очистки трехмерного электронного модуля от возможных загрязнений, формируют сплошную поверхностную металлизацию методом трафаретной печати, при помощи лазерного пучка локально удаляют участки поверхностной металлизации на боковых гранях, тем самым образуя отдельные дорожки металлизации, коммутирующие необходимые контактные площадки согласно электрической схеме трехмерного электронного модуля. Технический результат: обеспечение возможности повышения надежности изготавливаемых трехмерных электронных модулей. 6 н. и 24 з.п. ф-лы, 7 ил.
ДАТЧИК ПЕРЕМЕННОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ // 2564383
Изобретение относится к измерительной технике и представляет собой датчик переменного магнитного поля. Датчик содержит по меньшей мере один магниточувствительный датчик, управляющий проводник которого подключен своими концами к внешнему проводнику с образованием замкнутого контура. Замкнутый контур, образованный управляющим проводником и подключенным к нему внешним проводником, заземлен на половине длины внешнего проводника. В магниточувствительном датчике магниточувствительный элемент и управляющий проводник разделены изолирующим слоем. Магниточувствительный датчик размещен внутри оболочки из магнитомягкого материала с изоляцией от нее диэлектрическим слоем. Внутри замкнутого контура может быть размещен ферромагнитный концентратор с намотанной на него многовитковой катушкой, своими концами соединенной с перестраиваемым конденсатором. Технический результат заключается в обеспечении стабильности измерения магнитного поля при перемещении самого датчика в низкочастотных и постоянных магнитных полях Земли, окружающих намагниченных предметов и электромагнитных приборов, повышении помехозащищенности датчика, в том числе от электрических импульсных помех. 6 з.п. ф-лы, 2 ил.
Датчик давления с нормализованным или цифровым выходом содержит корпус с установленными в нем чувствительным элементом давления (ЧЭД) с кристаллом интегральной микросхемы преобразователя давления (ИПД) и контактными площадками, кристалл интегральной микросхемы (ИС) преобразователя сигнала ИПД, защитную крышку ЧЭД и ИС, выходные контакты, средства электрических соединений ЧЭД, ИС и выходных контактов и по меньшей мере один канал в корпусе для подвода давления среды. ЧЭД снабжен контактными площадками, такое выполнение ЧЭД упрощает и позволяет автоматизировать процесс соединения электрическими проводниками ИПД, ИС и выходных контактов. Крышка выполнена из кремния по технологии производства ИС встроенной, т.е. размещена внутри полости корпуса на кристалле ИПД, а соединение ее с кристаллом ИПД также выполнено низкотемпературной пайкой стеклом, что, как известно, позволяет в кристалле ИПД уменьшить термические напряжения при работе. Размещение кристалла ИС на встроенной защитной крышке ИПД и их соединение клеем-герметиком улучшает условия работы и упрощает технологию сборки, т.к ЧЭД соединяется с корпусом таким же образом. 6 з.п. ф-лы, 3 ил.
Микроэлектронный датчик давления с чувствительным элементом, защищенным от перегрузки, содержит корпус - 1, внутри которого установлены: чувствительный элемент давления (ЧЭД) - 2 с интегральным преобразователем давления (ИПД) - 3 с тонкой гибкой симметрично выполненной мембраной - 4 с тензорезисторами - 5, средствами электрических соединений - 6 и контактными площадками - 7, расположенными на лицевой стороне - 8 мембраны - 4, и, по меньшей мере, с тремя жесткими центрами - 9 - на оборотной стороне - 10, и, по меньшей мере, один механический предохранительный упор -11, жестко связанный с периферической частью - 12, ИПД - 3 и с выполненной в нем полостью - 13. А также, по меньшей мере, один канал - 14 с окном - 15 для подвода давления измеряемой среды к полости - 13 механического предохранительного упора - 11. Причем элементы, составляющие ЧЭД - 2, такие как мембрана - 4, ИПД - 3, лицевой - 16 и оборотный - 17 механические упоры, выполнены из одного материала и соединены легкоплавким стеклом - 18 в вакууме. Мембрана - 4 ИПД - 3 выполнена с утолщенной опорной периферической частью - 12, и установлена с возможностью свободного перемещения под действием номинального давления в диапазоне его изменения и контакта, по меньшей мере, одного из жестких центров - 9 с оборотным механическим упором - 17 при превышении номинального давления. Оборотный механический упор - 17 выполнен с симметричным крестообразным выступом - 20, расположенным симметрично продольной - 20 и поперечной - 21 плоскостям симметрии жестких центров - 9 на гибкой мембране - 4 и с прочностью, достаточной, чтобы выдержать перегрузочное давление, превышающее критическое давление разрушения мембраны ИПД и отверстиями - 22, расположенными за пределами проекции выходного окна - 15 канала подвода давления измеряемой среды к тонкой части гибкой мембраны - 4. 3 з.п. ф-лы, 7 ил.
Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой магниторезистивный преобразователь магнитного поля и может быть использовано в приборах контроля и измерения вектора магнитного поля. Преобразователь содержит тонкопленочные магниторезистивные элементы с гигантским магниторезистивным эффектом и с однонаправленным изменением сопротивления под действием магнитного поля, соединенные по мостовой схеме. В каждом плече мостовой схемы параллельно соединено либо по меньшей мере два магниторезистивных элемента, либо по меньшей мере два ряда последовательно соединенных магниторезистивных элементов. Техническим результатом является повышение отношения сигнал/шум в широком частотном диапазоне. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к медицине и медицинской технике, в частности к эндоскопическим устройствам для исследования упругости биологических тканей. Устройство содержит эндоскоп с датчиками упругости ткани, являющимися датчиками давления, и компьютер для регистрации давления в камере и упругости исследуемой ткани. Датчики упругости выполнены в виде герметичных камер, заполненных воспринимающей давление средой, установленными на торце эндоскопа. Датчики упругости ткани снабжены тензорезистивными элементами, размещенными на кристаллической подложке, имеющей клеевое соединение с матрицей из полимерного материала, в которой выполнены отверстия, расположенные по координатам тензорезистивных элементов на кристаллической подложке. С матрицей путем прижима соединена эластичная мембрана, в которой выполнены полости, расположенные соосно и сообщенные с отверстиями в матрице. Использование изобретения повысит эффективность исследования упругости биологической ткани посредством адаптации к исследуемым материалам через управление чувствительностью устройства, коррекцию разброса измеряемых величин в процессе подготовки и проведения исследования и регулирование контрастности выделенных объектов исследуемой биологической ткани. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к измерительной технике
Изобретение относится к измерительной технике
Изобретение относится к полупроводниковым приборам для преобразования механических воздействий в электрический сигнал, измерение которого позволяет определить ускорение или силу воздействий
Изобретение относится к области совершенствования комплекса технических средств обнаружения ВВ, состоящего из рентгено-телевизионного интроскопа и обнаружителя ВВ с применением эффекта ядерного квадрупольного резонанса (ЯКР), в частности к системам обеспечения безопасности пассажирских авиаперевозок
МИКРОЭЛЕКТРОННЫЙ ДАТЧИК АБСОЛЮТНОГО ДАВЛЕНИЯ И ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ АБСОЛЮТНОГО ДАВЛЕНИЯ // 2362133
Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для обеспечения высокоточного измерения абсолютного давления в широком диапазоне температур и давлений
ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ // 2362132
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения механических воздействий (давления, силы и т.д.)
ДВУХБАЛОЧНЫЙ АКСЕЛЕРОМЕТР // 2324192
Изобретение относится к полупроводниковым приборам для преобразования механических воздействий в электрический сигнал, измерение которого позволяет определить ускорение или силу ударов
Изобретение относится к области магнитных датчиков и может быть использовано при изготовлении магниторезистивных датчиков магнитного поля с перпендикулярными направлениями измерения магнитного поля на одной подложке для таких приборов, как электронный компас, магнетометр и др
МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ДАТЧИК // 2312429
Изобретение относится к области магнитных датчиков и может быть использовано в тахометрах, устройствах неразрушающего контроля, датчиках перемещения, датчиках для измерения постоянного и переменного магнитного поля, электрического тока
