Патенты автора Шевяков Василий Иванович (RU)
Изобретение относится к области нано- и микроэлектроники, а именно к созданию проводниковых межсоединений металлизации высокотемпературных кремниевых полупроводниковых приборов и ИС. Способ получения тонких металлических пленок на основе вольфрама включает магнетронное распыление в газовой среде, содержащей аргон, мишени на основе вольфрама для осаждения тонкой пленки двухкомпонентного сплава вольфрама, при этом в качестве мишени используют мишень на основе сплава вольфрама, содержащего 5-10 ат.% титана, и осаждают на окисленную поверхность кремниевой подложки тонкую пленку сплава, содержащего 5-10 ат.% титана, вольфрам - остальное. Если в качестве мишени используют вольфрамовую мишень, магнетронное распыление проводят в аргон- азотной среде и осаждают на окисленную поверхность кремниевой подложки тонкую пленку сплава вольфрама, содержащего 10-15 ат.% азота, вольфрам - остальное. Полученные пленки двухкомпонентных сплавов W(Ti) и W(N) характеризуются пониженным уровнем встроенных механических напряжений, повышенной пластичностью и удовлетворительной адгезионной способностью к оксиду кремния при незначительном повышении удельного объемного сопротивления. 1 ил., 1 пр.
Изобретение относится к сенсорэлектронике. Использование: для создания пьезоэлектрических полимерных датчиков. Сущность изобретения заключается в том, что полимерный датчик матричного типа представляет собой полимерную пленку, содержащую поливинилиденфторид и металлизацию с обеих сторон пленки, полимерная пленка имеет вдоль по длине разную толщину, а именно, в боковом сечении имеет клиновидную форму, металлизация с обеих сторон полимерной пленки выполнена в виде массива попарно расположенных локальных металлических контактов, количество которых 2n, где n находится в диапазоне от 1 до 16, каждый из контактов имеет электропроводящую дорожку, соединяющую контакт с расположенной по периферии полимерной пленки контактной площадкой. Технический результат - обеспечение возможности автономного управления и контроля оборудования. 3 ил.
Тестовая структура состоит из основания, содержащего приповерхностный слой. Приповерхностный слой имеет рельефную ячеистую структуру с плотной упаковкой. Соседние ячейки имеют общую стенку, а каждая ячейка является как минимум пятистенной. Стенки каждой ячейки расположены вертикально, а верхние кромки стенок ячеек имеют вогнутую форму. Тестовая структура содержит острия, имеющие радиус кривизны вершин нанометрового диапазона. Острия выполнены соединением в узловых местах трех верхних кромок стенок различных ячеек. Острия при вершинах выполнены из оксида титана. Приповерхностный слой основания выполнен из титана. Основание может быть выполнено из титана. Основание также может быть выполнено в виде подложки, на которой расположена пленка титана, содержащая приповерхностный слой основания. Технический результат - повышение воспроизводимости в определении радиуса кривизны острия иглы кантилевера. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано в области наноэлектроники. Способ включает формирование слоя пористого анодного оксида анодным окислением титанового образца в потенциостатическом режиме в электролите на неводной основе, при этом после формирования слоя пористого анодного оксида проводят электрохимический процесс его отделения в слабом водном растворе неорганической кислоты катодной поляризацией титанового образца в потенциостатическом режиме, затем анодным окислением титанового образца в потенциостатическом режиме в электролите на неводной основе формируют вторичный слой пористого анодного оксида титана, при этом анодное окисление титанового образца для формирования слоя и вторичного слоя пористого анодного оксида проводят при термостабилизации зоны протекания электрохимической реакции. Технический результат: повышение воспроизводимости формирования пористого оксида титана с высокой степенью упорядоченности наноструктуры. 2 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 пр.
Изобретение относится к области нанотехнологии и наноэлектроники, а именно к получению тонких пленок карбида вольфрама
ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКАЯ ЯЧЕЙКА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРИСТЫХ АНОДНЫХ ОКСИДОВ МЕТАЛЛОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВ // 2425182
Изобретение относится к области электрохимических процессов, а конкретно к анодному окислению металлов и полупроводников
Изобретение относится к области нанотехнологии и наноэлектроники, а конкретно - к получению латерально расположенных нитевидных нанокристаллов оксида цинка
Изобретение относится к области полупроводниковых преобразователей энергии, а более конкретно к солнечным элементам со сверхтонким поглощающим слоем
Изобретение относится к области нанотехнологий и наноэлектроники, а более конкретно к сканирующей зондовой микроскопии
ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКАЯ ЯЧЕЙКА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРИСТЫХ АНОДНЫХ ОКСИДОВ МЕТАЛЛОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВ // 2332528
Изобретение относится к области электрохимии, а конкретно к анодному окислению металлов и полупроводников
Изобретение относится к области нанотехнологии и наноэлектроники, в частности к получению пористых наноматериалов
