Патенты автора Грибов Борис Георгиевич (RU)
Антиотражающее покрытие // 2784314
Изобретение относится к получению антиотражающих покрытий полупроводниковой подложки в процессах формирования топологических элементов микроэлектронных устройств с использованием фотолитографии. Антиотражающее покрытие для фотолитографии включает пленкообразующий полимер, сшивающий агент, термический генератор кислоты и органический растворитель. В качестве термического генератора кислоты используют соль додецилбензолсульфокислоты с амином, в котором солеобразующий амин содержит алифатические заместители с гидроксильными группами общей формулы
где R1=AlkOH; R2, R3=Alk, AlkOH. Изобретение позволяет снизить выделение при сушке летучих веществ, увеличить устойчивость пленки АОП к растворителю, снизить свободный объем между макромолекулами и диффузию, что позволяет формировать элементы фоторезиста с улучшенным профилем. 2 з.п. ф-лы, 2 ил., 2 табл., 4 пр.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРЕМНИЯ ВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ // 2497753
Изобретение относится к производству высокочистого кремния в виде наноразмерного порошка, который может быть использован в полупроводниковой электронике и в нанотехнологиях. Способ включает синтез газообразного монооксида кремния реакцией диоксида кремния с кремнием и последующее восстановление монооксида кремния до свободного кремния, при этом синтез газообразного монооксида кремния проводят при температуре ниже точки плавления кремния, газообразный монооксид кремния конденсируют при температуре 400-600°C, а восстановление монооксида кремния до свободного кремния проводят путем отжига при температуре 950-1200°C в течение 2-3 часов с последующим выделением наночастиц кремния. Выделение наночастиц кремния проводят травлением в растворе плавиковой кислоты с последующей отмывкой и сушкой. Регулирование размеров наночастиц кремния и их структуры осуществляют изменением условий отжига монооксида кремния. Изобретение позволяет получать кремний с размерами частиц менее 50 нм и чистотой 99,999%. 2 з.п. ф-лы, 1 табл., 1 пр.
Изобретение относится к области цветной металлургии, в частности к производству высокочистого кремния, который может быть использован при изготовлении солнечных элементов
Изобретение относится к области цветной металлургии, в частности к производству высокочистого кремния, который может быть использован при изготовлении солнечных элементов
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРЕМНИЯ ВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ // 2367600
Изобретение относится к области цветной металлургии, в частности к производству высокочистого кремния, который может быть использован при изготовлении солнечных элементов
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРЕМНИЯ ВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ // 2327639
Изобретение относится к производству высокочистого кремния, который может быть использован при изготовлении солнечных элементов
