Патенты автора Булгаков Олег Митрофанович (RU)
Мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура // 2791863
Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура содержит области коллектора, эмиттера и базы, контактную металлизацию и многослойный балластный резистор, разделенный на участки, соединенные одним краем с контактной металлизацией эмиттера, а другим краем с контактной площадкой для присоединения эмиттерного вывода. Число слоев каждого участка многослойного балластного резистора n≥2, материалы слоев имеют разные удельные сопротивления и температуры плавления, возрастающие от верхнего слоя к нижнему по отношению к полупроводниковой подложке, толщины верхних слоев участков многослойного балластного резистора возрастают по направлению от металлизации эмиттера к противоположному краю резистора. Изобретение обеспечивает предотвращение перегрева транзисторной структуры в переходных режимах за счет перераспределения выделяемой нагретыми до критической температуры участками активной области тепловой мощности и повышение отказоустойчивости транзисторной структуры в переходных режимах. 2 ил., 1 пр.
Мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура // 2789511
Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура согласно изобретению содержит области коллектора, эмиттера и базы, контактную металлизацию и балластный резистор, соединенный одним краем с контактной металлизацией эмиттера, а другим краем с контактной площадкой для присоединения эмиттерного вывода, при этом балластный резистор является многослойным, материалы слоев имеют разные удельные сопротивления и температуры плавления, возрастающие от верхнего слоя к нижнему по отношению к полупроводниковой подложке, толщина верхнего слоя увеличивается в продольном направлении от эмиттерной металлизации. Изобретение обеспечивает повышение отказоустойчивости транзисторной структуры в переходных режимах, которая достигается за счет наличия верхнего слоя многослойного балластного резистора с отличающейся от нижних слоев формой продольного сечения и переменной толщиной, что приводит к снижению инерционности процесса увеличения сопротивления участков многослойного балластного резистора в переходных режимах и в целом сопротивления балластного резистора rБР и входного сопротивления транзисторной структуры Rвх1, по мере превышения температурой контактирующих с резистором активных областей значений температур плавления слоев Т1, затем Т2 и т.д. и, как следствие, более раннему началу процесса увеличения сопротивления балластного резистора и снижения выделяемой активными областями транзисторной структуры тепловой мощности. 2 ил.
Мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура // 2743675
Использование: полупроводниковая электроника. Сущность изобретения: мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура содержит области коллектора, эмиттера и базы, контактную металлизацию и балластный резистор, соединенный одним краем с контактной металлизацией эмиттера, а другим краем с контактной площадкой для присоединения эмиттерного вывода. Балластный резистор содержит фрагменты с температурным коэффициентом сопротивления располагающиеся так, что при наличии градиента температуры больший ток протекает по активным областям транзисторной структуры с лучшими условиями отвода тепла, а температурные коэффициенты сопротивления материалов и их температуры плавления удовлетворяют некоторому условию. Техническим результатом изобретения является повышение отказоустойчивости транзисторной структуры за счет повышения ее максимальной рабочей температуры и устойчивости к увеличению температуры активных областей структуры вследствие отклонения параметров режима усиления (напряжения питания, уровня входной мощности, коэффициента стоячей волны в нагрузке и т.д.) от оптимальных значений за счет наложения ограничения на температуры плавления материалов балластного резистора и его фрагментов в зависимости от соотношения их ТКС. При увеличении температуры изобретение обеспечивает перераспределение выделяемой активными областями тепловой мощности в сторону ее увеличения для участков с лучшими условиями отвода тепла. 2 ил.
Мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура // 2743673
Использование: полупроводниковая электроника. Сущность изобретения: мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура содержит области коллектора, эмиттера и базы, контактную металлизацию и балластный резистор, разделенный на участки, соединенные одним краем с контактной металлизацией эмиттера, а другим краем с контактной площадкой для присоединения эмиттерного вывода. Балластный резистор является многослойным, материалы слоев имеют разные удельные сопротивления и температуры плавления, возрастающие от верхнего слоя к нижнему по отношению к полупроводниковой подложке. Техническим результатом изобретения является повышение отказоустойчивости транзисторной структуры за счет повышения ее устойчивости к увеличению температуры участков активной области структуры вследствие отклонения характеристик режима усиления от штатных значений, например, при рассогласовании оконечного каскада усилителя мощности с нагрузкой. При достижении температурой критического значения изобретение обеспечивает уменьшение выделяемой участками активной области транзисторной структуры мощности за счет скачкообразного увеличения сопротивления наиболее разогретых участков балластного резистора вследствие испарения их верхних слоев и входного сопротивления структуры в целом. 2 ил.
Мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура // 2743674
Использование: полупроводниковая электроника. Сущность изобретения: мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура содержит области коллектора, эмиттера и базы, контактную металлизацию и балластный резистор, соединенный одним краем с контактной металлизацией эмиттера, а другим краем - с контактной площадкой для присоединения эмиттерного вывода. Балластный резистор является многослойным, материалы слоев имеют разные удельные сопротивления и температуры плавления, возрастающие от верхнего слоя к нижнему по отношению к полупроводниковой подложке. Техническим результатом изобретения является повышение отказоустойчивости транзисторной структуры за счет повышения ее устойчивости к увеличению температуры активных областей структуры вследствие отклонения характеристик режима усиления от штатных значений, например при рассогласовании оконечного каскада усилителя мощности с нагрузкой. При превышении температурой некоторого критического значения изобретение обеспечивает уменьшение выделяемой активными областями мощности за счет скачкообразного увеличения сопротивления балластного резистора вследствие испарения его верхнего слоя и входного сопротивления структуры в целом. 2 ил.
Изобретение относится к системам анализа речи и может быть использовано для определения эмоционального состояния человека по голосу, применительно к задачам криминалистики, медицины, системам контроля и управления доступом и др. Технический результат заключается в повышении достоверности и воспроизводимости оценок эмоционального состояния диктора. Способ заключается в записи речевого сигнала и его последующей обработке, включающей в себя расчет коэффициентов интегрального преобразования путем свертки речевого сигнала с ядром преобразования, и последующем анализе полученных коэффициентов на основе меры различимости. Коэффициентами интегрального преобразования являются коэффициенты локального вейвлет-спектра непрерывного вейвлет-преобразования речевого сигнала, и мерой различимости является евклидова невязка между локальными спектрами непрерывного вейвлет-преобразования. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к системам анализа речи, может быть использовано в средствах для распознавания и синтеза речи. Техническим результатом является повышение точности оценки частоты основного тона речевого сигнала. Способ основан на формировании логарифма функционала отношения правдоподобия (ЛФОП) при использовании входного речевого сигнала, нахождении абсолютного максимума ЛФОП, вычислении аргумента абсолютного максимума ЛФОП. 1 ил.
МОЩНАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СТРУКТУРА // 2464669
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено в конструкциях мощных полупроводниковых приборов
МОЩНАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СТРУКТУРА // 2457576
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено в конструкциях мощных полупроводниковых приборов
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и позволяет увеличить коэффициент усиления по мощности мощной высокочастотной транзисторной структуры (ТС), в соединении эмиттерных областей (ЭО) которой с конденсатором входной согласующей цепи, сформированным на поверхности той же полупроводниковой подложки, реализованы различные стабилизирующие сопротивления (СС)
МОЩНЫЙ ВЧ И СВЧ ТРАНЗИСТОР // 2403650
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и позволяет увеличить коэффициент усиления по мощности ВЧ и СВЧ транзистора, в котором на противоположных сторонах одной из обкладок конденсатора внутреннего входного согласующего LC-звена располагаются контакты проводников (КП), соединяющих обкладку с эмиттерным выводом корпуса, и КП, соединяющих ее с эмиттерными областями транзисторных ячеек (ТЯ), причем некоторые из последних КП располагаются на металлизированных полосках (МП), ограниченных краем обкладки и перпендикулярными ему выемками
МОЩНЫЙ ВЧ И СВЧ ШИРОКОПОЛОСНЫЙ ТРАНЗИСТОР // 2402836
Изобретение относится к полупроводниковой электронике
МОЩНЫЙ ВЧ- И СВЧ-ТРАНЗИСТОР // 2328058
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено в конструкциях мощных ВЧ- и СВЧ-полупроводниковых приборов
МОЩНЫЙ ВЧ- И СВЧ-БАЛАНСНЫЙ ТРАНЗИСТОР // 2328057
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в конструкциях мощных ВЧ- и СВЧ-полупроводниковых приборов
