Патенты автора Кущев Сергей Борисович (RU)
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов (фотоприемники ультрафиолетового диапазона, светоизлучающие диоды, датчики температуры и давления). Техническим результатом изобретения является получение нанокристаллической пленки карбида кремния заданной толщины на кремниевой подложке с преимуществами уменьшения времени синтеза за счет активации твердофазного синтеза фотонной обработкой излучением ксеноновых ламп. Сущность изобретения заключается в способе синтеза нанокристаллических пленок карбида кремния заданной толщины в диапазоне от 0,1 мкм до 1,2 мкм на подложке Si, включающим создание на подложке методом ионно-лучевого распыления многослойных периодических гетероструктур Si/C/…Si/С и последующий отжиг методом фотонной обработки для активации твердофазного синтеза. В качестве источника некогерентного света используют импульсные ксеноновые лампы с диапазоном излучения 0,2-1,2 мкм. Обработку кремниевой подложки с нанесенной многослойной гетероструктурой осуществляют пакетами импульсов длительностью 10-2 с в течение 1,5-3 с, плотность энергии излучения, поступающей на образец, составляет 240-284 Дж⋅см-2. 2 ил.
Способ повышения добротности термоэлектрического материала на основе твердого раствора Bi2Te3-Bi2Se3 // 2727061
Изобретение относится к технологии обработки полупроводниковых термоэлектрических материалов и может быть использовано при создании высокоэффективных термоэлектрических генераторных батарей и охладительных устройств. Сущность изобретения состоит в том, что увеличение добротности и упрощение технологии изготовления термоэлектрического материала достигается фотонной обработкой поверхности горячепрессованного материала в среде инертного газа пакетами импульсов излучения ксеноновых ламп с длительностью импульсов 10-2 с в течение 1,0-1,4 с при плотности энергии излучения, поступающей на поверхность полупроводника в диапазоне 125-175 Дж⋅см-2. Технический результат: увеличение добротности термоэлектрического материала n-типа проводимости на основе твердых растворов Bi2Te3-Bi2Se3 на 8%, уменьшение температурного воздействия на материал, а также сокращение времени обработки за счет облучения его поверхности излучением ксеноновых ламп. 3 ил.
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов. Способ получения гетероструктуры оксид титана - силицид титана на монокристаллической кремниевой подложке, покрытой нанокристаллической титановой пленкой, включает проведение фотонной обработки упомянутой подложки излучением ксеноновых ламп с диапазоном излучения 0,2-1,2 мкм в атмосфере воздуха пакетом импульсов длительностью 10-2 с в течение 2,0-2,2 с при дозе энергии в интервале 220-240 Дж·см-2 для активации реакций оксидирования и силицидобразования при формировании гетероструктуры оксид титана - силицид титана. Обеспечивается упрощение технологии, значительное сокращение времени изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с гетероструктурой оксид титана - силицид титана и снижается температурная нагрузка на кремниевую подложку. 2 ил., 2 пр.
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ТОНКОЙ ФОЛЬГИ ТВЕРДОГО РАСТВОРА Pd-Cu С КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКОЙ ТИПА CsCi // 2535843
Изобретение относится к технологии создания селективных газовых мембран, функционирующих за счет избирательной диффузии атомов газа (водорода) сквозь тонкую металлическую пленку (из палладия или сплавов на его основе), которые используются в устройствах глубокой очистки водорода от сопутствующих примесей, сепарации водорода из водородсодержащих смесей газов, в микрореакторах. Способ формирования тонкой фольги твердого раствора Pd-Cu с кристаллической решеткой типа CsCl включает магнетронное распыление мишени состава, близкого к Pd-40% Cu, в среде Ar 10-1 Па на термически оксидированные полированные пластины монокристаллического кремния и отделение полученной фольги от подложки, при этом температура подложки составляет 300-700 К, а отделенную тонкую фольгу дополнительно нагревают в вакууме не хуже 10-4 Па со скоростью 100 К/час до температуры 970 К и охлаждают со скоростью 100-200 К/час до комнатной температуры. Технический результат заключается в создании легковоспроизводимым и экономичным способом высокоэффективных мембран для глубокой очистки водорода, обладающих высокой селективной водородопроницаемостью и производительностью. 1 ил., 1 пр.
Изобретение относится к технологии получения нанокристаллических пленок рутила и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов, а также при получении защитных и других функциональных покрытий
Изобретение относится к области металлургии, в частности к технологии обработки материалов, и может быть использовано в технологических процессах упрочняющей обработки аморфных металлических сплавов различного назначения
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов
