Изобретение относится к области электротехники, а именно к приборам вакуумной микроэлектроники, в частности к полевым эмиссионным элементам, используемым в качестве автоэмиссионных катодов, к вакуумным триодам, диодам и устройствам на их основе, а также полевым эмиссионным дисплеям и вакуумным микроэлектронным переключателям токов. Разработка автоэмиссионного эмиттера (катода), обладающего высокими эмиссионными характеристиками (высокой плотностью тока при низком напряжении эмиссии), высокой стабильностью тока при продолжительном ресурсе службы, является техническим результатом изобретения, который достигается тем, что автоэмиссионный эмиттер с нанокристаллической алмазной пленкой расположен на подложке из проводящего кремния, выполнен в виде вертикально расположенной трубки с тонкими стенками из однослойной проводящей нанокристаллической алмазной пленки или из двухслойной нанокристаллической алмазной пленки, внутренний слой которой является проводящим, а внешний – непроводящим. 5 з.п. ф-лы, 4 ил.