Патенты автора Белоногов Евгений Константинович (RU)
Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Для получения расслоенного графита и многослойного графена в жидкой среде органического растворителя используют терморасширенные графиты, чешуйчатый графит в смеси с органическим растворителем – пенетрантом. Осуществляют диффузию растворителя в графит при повышенном давлении рабочего газа 0,5-0,8 МПа для получения графена эксфолиацией. В качестве рабочего газа используют газы и их смеси, не вступающие в химическое взаимодействие с растворителем. Время выдержки графита в растворителе с растворенным в нем газом или смесью газов под давлением составляет от 1 до 24 часов. Процесс эксфолиации графена начинается с момента резкого сброса давления до атмосферного, причем количество циклов повышение давления – сброс давления не ограничено. Изобретение позволяет получить расслоенный графит и многослойный графен простым способом с минимальными затратами, исключив использование ультразвука. 5 ил., 1 табл., 3 пр.
Изобретение относится к способу получения пленок ниобата лития, обладающих сегнетоэлектрическими свойствами, для использования в устройствах оптоэлектроники, акустоэлектроники, микро-, наноэлектроники и спинтроники. Способ получения тонкой пленки из ниобата лития на кремниевой подложке включает высокочастотное магнетронное распыление мишени ниобата лития, являющейся катодом, в атмосфере рабочего газа на кремниевую подложку. Распыление мишени проводят на подогретую до 550°С кремниевую подложку при удельной мощности высокочастотного разряда от 15 до 35 Вт⋅см-2, выделяемой магнетроном, в течение 10-360 мин. Кремниевую подложку размещают параллельно указанной мишени на расстоянии 45-55 мм над зоной эрозии мишени в области, в которой энергетическое воздействие плазмы на кремниевую подложку максимально. В качестве рабочего газа используют Ar или смесь Ar и O2. Обеспечивается упрощение изготовления структур, состоящих из подложки и тонкого компактного, текстурированного кристаллического покрытия из ниобата лития с элементным составом, соответствующим LiNbO3. 2 ил., 1 пр.
Способ повышения добротности термоэлектрического материала на основе твердого раствора Bi2Te3-Bi2Se3 // 2727061
Изобретение относится к технологии обработки полупроводниковых термоэлектрических материалов и может быть использовано при создании высокоэффективных термоэлектрических генераторных батарей и охладительных устройств. Сущность изобретения состоит в том, что увеличение добротности и упрощение технологии изготовления термоэлектрического материала достигается фотонной обработкой поверхности горячепрессованного материала в среде инертного газа пакетами импульсов излучения ксеноновых ламп с длительностью импульсов 10-2 с в течение 1,0-1,4 с при плотности энергии излучения, поступающей на поверхность полупроводника в диапазоне 125-175 Дж⋅см-2. Технический результат: увеличение добротности термоэлектрического материала n-типа проводимости на основе твердых растворов Bi2Te3-Bi2Se3 на 8%, уменьшение температурного воздействия на материал, а также сокращение времени обработки за счет облучения его поверхности излучением ксеноновых ламп. 3 ил.
Изобретение относится к технологии формирования упорядоченных структур на поверхности твердого тела и может быть использовано для получения нитевидных кристаллов из различных материалов, пригодных для термического испарения. На подложку, имеющую морфологию в виде упорядоченных пор и/или других упорядоченных неоднородностей нано- и/или микрометрового размера 2, осуществляют термическое осаждение 1 материала, предназначенного для формирования нитевидных кристаллов. Температуру подложки выбирают таким образом, чтобы обеспечить диффузионное движение атомов по подложке, но не допустить плавления конденсируемого материала. Одновременно с термическим испарением 1 проводят импульсную фотонную обработку (ИФО) 3 поверхности подложки, обеспечивая тем самым дополнительный нагрев приповерхностного слоя. Мощность ИФО выбирают максимально большой (1,6÷2,4 Вт/см2), при которой реиспарение конденсируемых атомов незначительно. Для получения нитевидных кристаллов максимальной длины конденсацию проводят до тех пор, пока интегральная (суммарная) толщина полученного конденсата не станет равной 1 мкм. Технический результат - получение твердотельных регулярно расположенных на подложке нитевидных кристаллов необходимой длины (до 10 мкм) из различных металлов и полупроводников, пригодных для термического испарения, обладающих стойкостью к внешней среде (температуре, давлению, свету), на поверхности любой подложки, содержащей упорядоченные дефекты. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к созданию селективных мембран, функционирующих за счет избирательной диффузии газов сквозь тонкую пленку металлов или их сплавов. Способ включает нанесение на двухслойную керамическую подложку со сквозной пористостью селективной пленки металла или его сплава методом магнетронного распыления мишени и конденсации в вакууме. В качестве подложки используют керамику из оксида алюминия, имеющую два уровня сквозной пористости. Первый слой подложки содержит сквозные поры с диаметром от 5 до 5000 мкм, второй слой содержит плотную систему пор с диаметром от 5 до 100 нм. Техническим результатом изобретения является получение мембран, обладающих высокой селективной водородопроницаемостью, производительностью, надежностью. 2 з.п. ф-лы, 3 ил., 2 пр.
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ТОНКОЙ ФОЛЬГИ ТВЕРДОГО РАСТВОРА Pd-Cu С КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКОЙ ТИПА CsCi // 2535843
Изобретение относится к технологии создания селективных газовых мембран, функционирующих за счет избирательной диффузии атомов газа (водорода) сквозь тонкую металлическую пленку (из палладия или сплавов на его основе), которые используются в устройствах глубокой очистки водорода от сопутствующих примесей, сепарации водорода из водородсодержащих смесей газов, в микрореакторах. Способ формирования тонкой фольги твердого раствора Pd-Cu с кристаллической решеткой типа CsCl включает магнетронное распыление мишени состава, близкого к Pd-40% Cu, в среде Ar 10-1 Па на термически оксидированные полированные пластины монокристаллического кремния и отделение полученной фольги от подложки, при этом температура подложки составляет 300-700 К, а отделенную тонкую фольгу дополнительно нагревают в вакууме не хуже 10-4 Па со скоростью 100 К/час до температуры 970 К и охлаждают со скоростью 100-200 К/час до комнатной температуры. Технический результат заключается в создании легковоспроизводимым и экономичным способом высокоэффективных мембран для глубокой очистки водорода, обладающих высокой селективной водородопроницаемостью и производительностью. 1 ил., 1 пр.
Изобретение относится к способам изготовления селективных мембран, функционирующих за счет избирательной диффузии водорода сквозь тонкую пленку палладия или его сплава
Изобретение относится к способу получения биоактивных кальций-фосфатных покрытий и может быть использовано при изготовлении ортопедических и зубных протезов
