Патенты автора Чемезов Олег Владимирович (RU)

Использование: для исследования нанотонких пространственных диссипативных структур. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает формирование нанотонких ПДС в нанотонких аморфных пленках при их одностороннем нагреве, исследование нанотонких ПДС электронно-микроскопическим и микродифракционным методами с получением их электронно-микроскопических изображений и микроэлектронограмм, определение с помощью метода светлого и темного поля индексов плоскостей, обуславливающих появление соответствующих изгибных контуров на электронно-микроскопических изображениях нанотонких ПДС, и определение с помощью метода изгибных контуров параметров изгиба и ориентировки нанотонких ПДС, а также углов поворота решетки нанотонких ПДС и направлений ротационного искривления решетки, построение двумерного геометрического объекта - поверхности искривления решетки нанотонких ПДС для выбранного кристаллографического направления, отличается тем, что построенную поверхность искривления решетки нанотонкой ПДС принимают за нейтральную поверхность нанотонкой ПДС путем сравнительного анализа нейтральной поверхности нанотонкой ПДС и нейтральных поверхностей тонких пластинок, соответствующей геометрической формы, служащих в качестве эталонов, выявляют области максимального напряжения, возникающие в нанотонкой ПДС, и используют эту информацию об особенностях изгиба нейтральной поверхности нанотонкой ПДС для исследования и предсказания физических свойств и физических процессов в нанотонких пространственных диссипативных структурах, в том числе о формировании и развитии межблочных границ в нанотонких ПДС. Технический результат: обеспечение возможности исследования зарождения и развития межблочных границ кручения в нанотонких пространственных диссипативных структурах с упругим ротационным искривлением решетки. 3 ил.
Изобретение относится к области металлургии неметаллов, а именно к производству электролитического кремния в виде сплошных слоев толщиной от 1 мкм до 1 мм, которые могут найти применение в фотонике, полупроводниковой технике, для производства «солнечных батарей» и т.д

Изобретение относится к области металлургии неметаллов, а именно к производству электролитического кристаллического и/или рентгеноаморфного кремния в виде нано- и микроструктурных порошков и/или волокон
Изобретение относится к производству электролитического кремния в виде нановолокон или микроволокон с использованием сырья - диоксида кремния
Изобретение относится к способу получения кремния нано- или микроволокнистой структуры путем электролитического рафинирования материала, содержащего кремний

 


Наверх