Патенты автора Яковлева Наталья Ивановна (RU)

Изобретение относится к матричным фотоприемным устройствам (ФПУ) на основе фотодиодов (ФД), изготовленных по мезатехнологии в гетероэпитаксиальных полупроводниковых структурах III-V групп InGaAs/AlInAs/InP, преобразующих излучение в коротковолновой инфракрасной области спектра (0,9-1,7 мкм). Согласно изобретению в гетероэпитаксиальную структуру InGaAs/AlInAs/InP между слоем поглощения и барьерным слоем введен дополнительный слой с градиентным изменением состава для устранения разрыва в области валентной зоны структуры. По краям градиентного слоя формируются два дельта-легированных слоя для выравнивания энергетического уровня валентной зоны и повышения его однородности, что позволяет устранить барьер в валентной зоне и за счет этого увеличить квантовую эффективность, а как следствие и чувствительность в матричных ФПУ на основе соединений InGaAs/AlInAs/InP. 4 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области производства фотоприемных устройств и касается узла установки уровня и спектрального состава регистрируемого излучения в ИК МФПУ. Узел расположен в корпусе с оптическим входным окном и содержит охлаждаемый светоограничительный экран, включающий в себя непрозрачную боковую несущую поверхность с поглощающим покрытием на внутренней и отражающим покрытием на внешней ее стороне и прикрепленную к ней торцевую плоскость с диафрагмой. При этом торцевой плоскостью является охлаждаемый светофильтр, одна из поверхностей которого покрыта непрозрачной отражающей тонкой пленкой с выполненной в ней диафрагмой заданной формы. Технический результат заключается в снижении охлаждаемой массы, уменьшении времени выхода на режим и упрощение способа изготовления. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к матрицам фоточувствительных элементов (МФЧЭ), используемых в матричных фотоприемных устройствах (МФПУ) для тепловизионных систем обзора. МФЧЭ включает широкозонную полупроводниковую подложку, толщина которой не менее чем на порядок превышает диффузионную длину неосновных носителей заряда, расположенное на лицевой стороне подложки просветляющее диэлектрическое покрытие и расположенные на тыльной стороне подложки фоточувствительные элементы (ФЧЭ) с узкозонным активным слоем. Согласно изобретению МФЧЭ содержит дополнительный слой, расположенный между подложкой и просветляющим диэлектрическим покрытием, ширина запрещенной зоны дополнительного слоя не превышает ширину запрещенной зоны подложки и превышает ширину запрещенной зоны узкозонного активного слоя ФЧЭ, а скорость безизлучательной рекомбинации неосновных носителей в дополнительном слое не менее чем на порядок превышает скорость излучательной рекомбинации. Задачей заявляемого устройства является повышение отношения сигнал/шум МФЧЭ. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к фоточувствительным приборам, предназначенным для обнаружения и регистрации инфракрасного (ИК) излучения в нескольких спектральных поддиапазонах инфракрасной области спектра от 3,5 до 12,7 мкм. Многокристальное многоцветное фотоприемное устройство (ФПУ) с расширенной спектральной характеристикой квантовой эффективности содержит кристаллы матриц фоточувствительных элементов (МФЧЭ), детектирующих излучение в различных спектральных диапазонах ИК области спектра, гибридизированных с большими интегральными схемами (БИС) считывания сигнала, при этом с целью расширения спектральной характеристики квантовой эффективности, обеспечения компактности конструкции и повышения универсальности применения устройство содержит как минимум четыре кристалла МФЧЭ, гибридизированных индиевыми микроконтактами с одной или четырьмя БИС считывания сигнала, каждый фоточувствительный модуль, состоящий из кристалла МФЧЭ и БИС считывания или части БИС считывания, настроен на отдельный заданный диапазон ИК области спектра, фоточувствительные модули расположены блочно с минимальным зазором между кристаллами (10-20 мкм). 3 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к способам измерения параметров инфракрасных фотоприемных устройств (ИК ФПУ), работающих в режиме накопления. Технический результат - повышение производительности измерения. Способ измерения квантовой эффективности и темнового тока фоточувствительного элемента (ФЧЭ) включает установку ФПУ на заданном расстоянии от излучающей поверхности протяженного абсолютно черного тела (АЧТ), выставляют заданную температуру излучения АЧТ и регистрируют величины сигналов всех ФЧЭ при нулевом времени накопления и заданном времени накопления, а перед третьей регистрацией сигналов ФЧЭ уменьшают коэффициент черноты АЧТ, оставляя его температуру неизменной, проводят третью регистрацию величины сигналов всех ФЧЭ при заданном времени накопления и заданной температуре АЧТ и рассчитывают величины квантовых эффективностей и темновых токов ФЧЭ по трем измеренным массивам сигналов. 1 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к многоэлементным или матричным фотоприемникам (МФП) на основе антимонида индия, чувствительным в спектральном диапазоне 3-5 мкм. Конструкция МФП позволяет повысить выход годных и улучшить однородность параметров МФП в серийном производстве за счет увеличения квантовой эффективности и устранения эффекта «памяти» и влияния клеевого соединения на величину фототоков фоточувствительных элементов (ФЧЭ). Многоэлементный фотоприемник на основе антимонида индия включает матрицу фоточувствительных элементов (МФЧЭ) с тонкой базой, скоммутированных с мультиплексором, на тыльную сторону матрицы фоточувствительных элементов нанесено просветляющее покрытие, содержащее встроенный заряд, знак которого противоположен знаку основных носителей заряда в базе МФЧЭ. 3 ил.

Изобретение относится к способам измерения параметров инфракрасных матричных фотоприемных устройств (ИК ФПУ), работающих в режиме накопления

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для испытания безотказности электронных и иных устройств, модель отказов которых соответствует экспоненциальному закону

Изобретение относится к фоточувствительным приборам, предназначенным для обнаружения и регистрации инфракрасного (ИК) излучения нескольких диапазонов спектра

Изобретение относится к испытаниям сохраняемости инфракрасного (ИК) многоэлементного фотоприемного устройства (МФПУ), содержащего клеевые соединения в вакуумированной полости, с рабочей температурой фоточувствительных элементов ниже температуры окружающей среды, предназначенного для регистрации ИК-излучения

 


Наверх