Патенты автора Ряховская Екатерина Николаевна (RU)

Изобретение относится к области электрометаллургии тугоплавких металлов и может быть использовано в производстве ниобия высокой чистоты для атомной энергетики и электротехники, в частности при производстве сверхпроводящих резонаторов, применяемых в качестве элементов линейных ускорителей. Получают слитки ниобия высокой чистоты с заданным интервалом значений соотношения удельных электросопротивлений 350-750 ед. при температурах 300 K и 4,2 K путем многократного электронно-лучевого переплава. Расходуемый электрод предварительно изготавливают из чернового ниобия, полученного путем алюмокальциетермической восстановительной плавки высокочистого пентаоксида ниобия Nb2O5. Электронно-лучевые переплавы осуществляют сплавлением расходуемого электрода, полученного от предыдущего переплава, через промежуточную емкость в кристаллизатор. Скорость плавки на втором и последующих переплавах составляет 5-15 кг/ч, а удельная поверхностная мощность электронного луча в кристаллизаторе 0,75-1 кВт/см2. Способ позволяет повысить качество ниобия в виде слитков с низким содержанием примесей и с заданным интервалом значений соотношения удельных электросопротивлений 350÷750 ед. при температурах 300 K и 4,2 K. 2 з.п. ф-лы, 3 табл., 2 пр.

Изобретение относится к металлургии тугоплавких редких металлов. Способ получения чистого ниобия включает восстановительную плавку шихты с получением черновых слитков, удаление шлака с их поверхности и многократный электронно-лучевой переплав с последующей обточкой слитков. Используют шихту, содержащую пентаоксид ниобия, кальций, алюминий и возгоны второго и последующих электронно-лучевых переплавов. Восстановительную плавку шихты ведут с добавлением просушенной стружки металлического ниобия длиной до 20 мм в количестве 1,1-1,8 мас.% от массы пентаоксида ниобия. Обеспечивается повышение извлечения ниобия в слитки и снижение расхода пентаоксида ниобия. 2 з.п. ф-лы, 1 табл.

Изобретение относится к способу получения в вакууме слитков особочистой меди для сверхпроводящих материалов

 


Наверх