Патенты автора Малков Георгий Васильевич (RU)

Изобретение относится к получению антиотражающих покрытий полупроводниковой подложки в процессах формирования топологических элементов микроэлектронных устройств с использованием фотолитографии. Антиотражающее покрытие для фотолитографии включает пленкообразующий полимер, сшивающий агент, термический генератор кислоты и органический растворитель. В качестве термического генератора кислоты используют соль додецилбензолсульфокислоты с амином, в котором солеобразующий амин содержит алифатические заместители с гидроксильными группами общей формулы где R1=AlkOH; R2, R3=Alk, AlkOH. Изобретение позволяет снизить выделение при сушке летучих веществ, увеличить устойчивость пленки АОП к растворителю, снизить свободный объем между макромолекулами и диффузию, что позволяет формировать элементы фоторезиста с улучшенным профилем. 2 з.п. ф-лы, 2 ил., 2 табл., 4 пр.
Изобретение относится к методу получения 2-азидо-4,6-ди(пропаргилокси)-1,3,5-триазина (АБПОТ), который используется для получения энергоемкого триазин-триазольного сверхразветвленного полимера
Изобретение относится к области органической химии, в частности к усовершенствованному способу получения 2-азидо-4,6-дихлортриазина (АДХТ), использующегося в синтезе энергоемкого мономера 2-азидо-4,6-бис(пропаргилокси)-1,3,5-триазина

 


Наверх