Патенты автора Крымко Михаил Миронович (RU)
Изобретение относится к области бесщеточных синхронных электрических машин, содержащих вращающиеся выпрямители, а более точно, к используемым во вращающихся выпрямителях полупроводниковым диодам, в которых полупроводниковый элемент заключен в герметичный корпус. Технические проблемы, на решение которых направлено изобретение, состоят в повышении надежности герметизации замкнутого пространства, в котором расположен полупроводниковый элемент, а также в повышении надежности электрического контакта между полупроводниковым элементом и электродным выводом. Диод для вращающегося выпрямителя содержит полупроводниковый элемент, основание, куполообразный элемент, электродный вывод и изолирующий элемент. Полупроводниковый элемент располагается в замкнутом пространстве между основанием и куполообразным элементом. Электродный вывод, куполообразный элемент, полупроводниковый элемент и основание в указанном порядке являются элементами электрической цепи диода. Изолирующий элемент препятствует прямому электрическому контакту между куполообразным элементом и основанием. Куполообразный элемент при этом соединен с электродным выводом на своем купольном участке и соединен с полупроводниковым элементом на своем краевом участке. 9 з.п. ф-лы, 5 ил.
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и предназначено для производства корпусов силовых полупроводниковых модулей. Техническим результатом изобретения является создание герметичного металлокерамического корпуса силового полупроводникового модуля, обладающего низкими массо-габаритными показателями и обеспечивающего эффективный отвод тепла от активных компонентов силового модуля. Технический результат достигается путем создания оригинальной конструкции металлокерамического корпуса силового полупроводникового модуля. Важной особенностью данной конструкции является применение высокотеплопроводной керамики в качестве материала для керамического основания корпуса, а также использование металлизированных переходных отверстий в керамическом основании для электрического контакта токопроводящих элементов модуля на верхней стороне керамического основания с сигнальными и силовыми выводами, припаянными на нижнюю сторону керамического основания корпуса. Материалы для изготовления теплоотвода и ободка в данном техническом решении подобраны так, чтобы снизить механические напряжения, возникающие при высокотемпературной пайке, которые приводят к растрескиванию керамического основания корпуса и потере работоспособности силового полупроводникового модуля. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 6 ил.
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении мощных гибридных СВЧ интегральных схем повышенной надежности, герметизируемых шовно-роликовой или лазерной сваркой. Техническим результатом изобретения является обеспечение герметизации корпуса шовно-роликовой сваркой, повышение температуры монтажа активных и пассивных компонентов интегральной схемы припоями до 450°С и снижение неплоскостности опорной поверхности теплоотводящего основания корпуса. Указанный технический результат обеспечивается тем, что в корпусе мощной гибридной СВЧ интегральной схемы рамка выполнена из отожженного никеля, а теплоотводящее основание выполнено из псевдосплава молибден - медь с выступом, предназначенным для монтажа пассивных и активных элементов ГИС и имеющим размеры, соответствующие внутренним размерам рамки, причем разница в размерах выступа и соответствующих внутренних размеров рамки не превышает оптимальной толщины припоя. 5 ил., 9 табл.
МОЩНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ СВЧ // 2563533
Изобретение относится к области создания полупроводниковых изделий, а именно к мощному переключателю СВЧ на основе соединения галлия, содержащему подложку, поверх которой размещена эпитаксиальная гетероструктура и барьер Шоттки. Технический результат заключается в уменьшении теплового сопротивления мощных переключателей, повышении уровня допустимой входной мощности, повышении скорости переключения, повышении надежности приборов, уровня радиационной стойкости и в снижении утечки тока затвора и уровня деградации. Для этого переключатель СВЧ изготовлен на нитриде галлия, где в качестве подложки использован сапфир. Затем последовательно размещены: буферный слой AlN, буферный слой из GaN, второй буферный слой из нелегированного нитрида галлия (i-тип), твердый раствор AlXGa1-XN, и в интерфейсе GaN/AlXGa1-XN гетероструктуры образован двумерный электронный газ высокой плотности, который служит нижней обкладкой конденсатора, поверх твердого раствора AlXGa1-XN размещен химически устойчивый сглаживающий слой из нитрида галлия, поверх которого нанесен диэлектрик, содержащий слой из двуокиси гафния. Поверх диэлектрика размещены металлические электроды полосковой формы, которые образуют верхнюю обкладку конденсатора, при этом переключатель содержит два конденсатора, образующие двойные ВЧ-ключи. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к области получения металлических покрытий на пластинах из алюмонитридной керамики и может быть использовано в электронной, электротехнической и радиотехнической промышленности при производстве металлизированных подложек для силовых модулей, теплоотводящих элементов мощных транзисторов и сверхъярких светодиодов. Осуществляют нанесение на поверхности керамической пластин адгезионного слоя и слоя меди, прижим к слою меди пластин медной фольги и последующую термообработку в среде вакуума. Адгезионный слой формируют вакуумным осаждением в виде системы титан-медь с толщиной слоев 0,1-0,5 мкм, на адгезионный слой последовательно гальванически осаждают слой меди толщиной 5-15 мкм и слой серебра толщиной 3-12 мкм, после чего к покрытым серебром поверхностям прижимают пластины из медной фольги и проводят термообработку при температуре 800-850°C. Термообработку проводят под давлением 0,1-0,5 кгс/мм2. Обеспечивается металлизация подложек с получением качественной поверхности без вспучивания. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.
Изобретение относится к электронной технике. В способе изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS транзисторов нанесенный на подзатворный диэлектрик поликремний покрывают тугоплавким металлом, высокотемпературным отжигом формируют полицид тугоплавкого металла на поверхности поликремния, методом фотолитографии создают из полицида тугоплавкого металла и расположенного под ним слоя поликремния полицидные затворные зубцы элементарных ячеек с прилегающими к ним со стороны истока ответвленными контактными площадками и используют их в качестве защитной маски при внедрении в подложку ионов бора, фосфора и мышьяка при формировании соответственно p-карманов, многоступенчатых слаболегированных n--областей стока и высоколегированных n+-областей стока и истока элементарных ячеек, а точечное шунтирование полицидных затворных зубцов ячеек металлическими шинами осуществляют через примыкающие к затворным зубцам полицидные ответвленные контактные площадки, причем в высокоомном эпитаксиальном p--слое подложки под ответвленными контактными площадками поликремниевых затворных зубцов формируют дополнительные локальные высоколегированные n+-области с более высокой степенью легирования по сравнению с p-карманами элементарных ячеек. Изобретение обеспечивает создание современной базовой нанотехнологии изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS транзисторов с диапазоном рабочих частот до 3,0-3,6 ГГц на более доступном и менее дорогостоящем технологическом оборудовании. 7 ил.
СВЧ-ТРАНЗИСТОР // 2518498
Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для усиления СВЧ-электромагнитных колебаний. СВЧ-транзистор содержит базовую подложку из кремния, теплопроводящий поликристаллический слой алмаза, гетероэпитаксиальную структуру, буферный слой, исток, затвор, сток и омические контакты. При этом базовая подложка из кремния выполнена толщиной не более 10 мкм, слой теплопроводящего поликристаллического алмаза имеет толщину по меньшей мере равную 0,1 мм, а на поверхности гетероэпитаксиальной структуры, изготовленной из SiGe, последовательно размещены между истоком, затвором и стоком дополнительный слой теплопроводящего поликристаллического алмаза и барьерные слои из двуокиси гафния и из оксида алюминия, при этом барьерные слои из двуокиси гафния и оксида алюминия имеют суммарную толщину 1,0-4,0 нм, а, кроме того, они размещены под затвором, непосредственно на барьерном канале. Технический результат изобретения заключается в получении высоких значений напряжения пробоя, уровня СВЧ-мощности, низких значений шумов, теплового сопротивления, токов утечки и потребляемой мощности. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и направлено на создание базового процесса изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS структур и транзисторов на более доступном и менее дорогостоящем технологическом оборудовании, способных работать в диапазоне частот до 3,0-3,6 ГГц при повышенных напряжениях питания по стоку. В способе изготовления транзисторной СВЧ LDMOS структуры нанесенный на подзатворный диэлектрик поликремний покрывают тугоплавким металлом, формируют полицид тугоплавкого металла, наносят на лицевую сторону подложки защитный слой фоторезиста, вскрывают окна в защитном слое фоторезиста, полициде тугоплавкого металла, поликремнии и подзатворном диэлектрике над истоковыми p+-перемычками и прилегающими к ним участками высокоомного p--слоя подложки и формируют таким образом вначале только истоковые боковые грани полицидных электродов затвора транзисторных ячеек, затем через вскрытые окна внедряют в подложку ионы бора, удаляют фоторезист с лицевой поверхности подложки и последующей диффузионной разгонкой внедренной в подложку примеси создают р-карманы элементарных ячеек, удаляют полицид тугоплавкого металла и поликремний с лицевой поверхности подложки в промежутке между р-карманами транзисторных ячеек и формируют стоковые боковые грани полицидных затворных зубцов и полицидные электроды затвора элементарных ячеек в целом, потом в высокоомном эпитаксиальном р--слое подложки у истоковых и в промежутке между стоковыми боковыми гранями полицидных электродов затвора создают высоколегированные истоковые n+-области и соответственно высоколегированные и многоступенчатые слаболегированные n-области стока элементарных ячеек, после этого в межслойном диэлектрике формируют металлические экранирующие электроды транзисторных ячеек, а полицидные затворные зубцы ячеек точечно шунтируют общими металлическими шинами затвора, сформированными на верхней поверхности многоуровневого межслойного диэлектрика над истоковыми p+-перемычками элементарных ячеек. 5 ил.
Группа изобретений относится к технике СВЧ и может быть использована в радиолокационной и радионавигационной технике, а также в средствах передачи информации. Техническим результатом является понижение уровня фазового шума выходного СВЧ-сигнала. Импульсный СВЧ-усилитель мощности на GaN СВЧ-транзисторах включает входной и выходной суммирующие микрополосковые мосты, в плечах которых установлены GaN СВЧ-транзисторы, затворы которых подключены к стабилизатору напряжения, а стоки подключены к быстродействующему импульсному модулятору, содержащему мощный коммутирующий ключ на силовом GaN транзисторе со скоростным драйвером, подключающим сток GaN СВЧ-транзисторов к накопительной емкости, мощный разрядный ключ на силовом GaN транзисторе со скоростным драйвером, обеспечивающим разряд емкостей GaN СВЧ-транзисторов после отключения коммутирующего ключа и источника питания с широтно-импульсной модуляцией, зарядный ключ на силовом GaN транзисторе со скоростным драйвером, обеспечивающий отключение накопительной емкости и стока GaN СВЧ-транзистора от источника питания с широтно-импульсной модуляцией с выходным напряжением 5-45 В и подключение накопительной емкости к источнику питания с широтно-импульсной модуляцией во время отключения напряжения питания от стоков GaN СВЧ-транзисторов коммутирующим ключом. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 5 ил.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЧ LDMOS ТРАНЗИСТОРОВ // 2498448
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и обеспечивает создание способа изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS транзисторов с уменьшенным шагом транзисторной ячейки, улучшенными частотными и энергетическими параметрами и повышенным процентом выхода годных структур. В способе изготовления СВЧ LDMOS транзисторов, включающем создание сквозных диффузионных истоковых p+-перемычек элементарных транзисторных ячеек в высокоомном эпитаксиальном p--слое исходной кремниевой p-p+-подложки, выращивание подзатворного диэлектрика и формирование поликремниевых электродов затвора элементарных ячеек на поверхности высокоомного p--слоя подложки, создание p-карманов элементарных ячеек в высокоомном p--слое подложки посредством внедрения ионов бора в подложку с использованием в качестве защитной маски поликремниевых электродов затвора и слоев фоторезиста и последующего диффузионного перераспределения внедренной примеси, после создания p-карманов подзатворный диэлектрик между поликремниевыми электродами затвора элементарных ячеек утоняют до толщины 100…300 Å, на лицевую сторону подложки наносят первый защитный слой фоторезиста, вскрывают одновременно два окна в первом защитном слое фоторезиста соответственно в месте дислокации высоколегированных n+-областей стока и истока элементарных ячеек и внедряют через них в подложку ионы фосфора с дозой 0,2…0,6 мкКл/см2 и энергией 80…140 кэВ и ионы мышьяка с дозой 400…500 мкКл/см2 и энергией 40…80 КэВ, затем вскрывают второе стоковое окно и через второе стоковое окно имплаптируют в подложку ионы фосфора с той же дозой и энергией, что и в первое стоковое окно, далее вскрывают третье стоковое окно и через третье стоковое окно внедряют в подложку ионы фосфора с меньшей дозой и энергией, чем во второе стоковое окно, затем аналогичным образом формируют последующие ступени слаболегированных n--областей стока элементарных ячеек, причем в каждую следующую ступень ионы фосфора имплантируют с меньшей дозой и энергией по сравнению с предыдущей, после этого удаляют остатки защитного слоя фоторезиста с лицевой стороны подложки и проводят одновременную диффузионную разгонку внедренных в подложку примесей фосфора и мышьяка. 7 ил., 1 табл.
Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано в телевизионных системах различного назначения
Изобретение относится к способам изготовления интегральных схем и полупроводниковых приборов и может быть использовано в производстве интегральных схем и полупроводниковых приборов различного назначения
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к оптоэлектронике, и может быть использовано в телевизионных системах различного назначения
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЧ LDMOS ТРАНЗИСТОРОВ // 2439744
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и направлено на улучшение электрических параметров СВЧ мощных кремниевых генераторных LDMOS транзисторов, повышение их стойкости к воздействию ионизирующих излучений и повышение процента выхода годных изделий
