Корпус мощной гибридной свч интегральной схемы

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении мощных гибридных СВЧ интегральных схем повышенной надежности, герметизируемых шовно-роликовой или лазерной сваркой. Техническим результатом изобретения является обеспечение герметизации корпуса шовно-роликовой сваркой, повышение температуры монтажа активных и пассивных компонентов интегральной схемы припоями до 450°С и снижение неплоскостности опорной поверхности теплоотводящего основания корпуса. Указанный технический результат обеспечивается тем, что в корпусе мощной гибридной СВЧ интегральной схемы рамка выполнена из отожженного никеля, а теплоотводящее основание выполнено из псевдосплава молибден - медь с выступом, предназначенным для монтажа пассивных и активных элементов ГИС и имеющим размеры, соответствующие внутренним размерам рамки, причем разница в размерах выступа и соответствующих внутренних размеров рамки не превышает оптимальной толщины припоя. 5 ил., 9 табл.

 

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении мощных гибридных СВЧ интегральных схем повышенной надежности, герметизируемых шовно-роликовой или лазерной сваркой.

К важным требованиям, предъявляемым к корпусу мощной СВЧ интегральной схемы, относятся:

- герметичность и надежность с точки зрения защиты от воздействия окружающей среды, отрицательно влияющей на параметры прибора;

- эффективный отвод тепла от тепловыделяющих элементов схемы с целью получения максимально допустимой выходной СВЧ мощности;

- обеспечение долговечности работы полупроводникового СВЧ прибора при работе в режиме высоких уровней мощности;

- минимальные массогабаритные характеристики.

Известен корпус для мощной гибридной интегральной схемы (ГИС), содержащий теплоотводящее основание и рамку с СВЧ вводами, выполненные из бескислородной жесткой меди, и крышку, выполненную из ковара [1].

В данном корпусе, как правило, допускается сборка пассивных и активных элементов схемы с помощью клея, так как из-за большого рассогласования коэффициентов линейного теплового расширения (КЛТР) материалов пассивных и активных элементов схемы пайка традиционными припоями золото-олово, золото-германий и золото-кремний недопустима.

Известен герметичный корпус для интегральной схемы, содержащий металлическое основание и металлическую крышку с прямоугольными сквозными вырезами для размещения СВЧ выводов в виде микрополосковых линий передачи на диэлектрической подложке. Данный корпус может быть использован только для маломощных приборов, так как основание изготовлено из ковара, обладающего низкой теплопроводностью. Кроме того, расположение СВЧ выводов в вырезах металлической крышки исключает возможность надежной герметизации прибора шовно-роликовой или лазерной сваркой [2].

Известен корпус мощного СВЧ-полупроводникового прибора [3] (прототип), состоящий из теплоотводящего основания, выполненного из меди, к которому припаяны высокотемпературным припоем компенсатор из псевдосплава МД-50 и рамка из пластичной меди, в стенках которой размещены СВЧ вводы.

Недостатком данной конструкции является большая величина неплоскостности опорной поверхности основания, обусловленная большой разницей в КЛТР меди и псевдосплава МД-50, из которых изготовлены основание и термокомпенсатор, спаянные высокотемпературным припоем по плоскости, что ухудшает отвод тепла от прибора, отрицательно сказывается на его СВЧ параметрах, снижает надежность прибора при циклических изменениях температуры, а монтаж активных и пассивных компонентов прибора допускается проводить при температуре не более 350°С, в то время как для подавляющего большинства полупроводниковых приборов посадку кристаллов осуществляют припоем золото-кремний при температуре до 450°С.

К существенному недостатку конструкции корпуса-прототипа следует отнести и невозможность герметизации прибора высокопроизводительной шовно-роликовой сваркой, поскольку медь не поддается сварке.

Техническим результатом изобретения является обеспечение герметизации корпуса шовно-роликовой сваркой, повышение температуры монтажа активных и пассивных компонентов интегральной схемы припоями до 450°С и снижение неплоскостности опорной поверхности теплоотводящего основания корпуса.

Указанный технический результат обеспечивает конструкция корпуса мощной гибридной СВЧ интегральной схемы, включающая теплоотводящее основание и рамку с СВЧ вводами, соединенные высокотемпературным припоем, в которой теплоотводящее основание выполнено из псевдосплава молибден - медь с выступом, предназначенным для монтажа пассивных и активных компонентов ГИС и имеющим размеры, соответствующие внутренним размерам рамки, выполненной из отожженного никеля, причем разница в размерах выступа и соответствующих внутренних размеров рамки не превышает оптимальной толщины припоя.

Технических решений, содержащих совокупность признаков, сходную с отличительной, не выявлено, что позволяет сделать выводы о соответствии заявленных технических решений критерию новизны.

Согласно техническим условиям Яе0.021.105 ТУ псевдосплавы на основе молибден - медь имеют высокую теплопроводность и КЛТР, близкий к КЛТР керамики. Эти материалы широко используются в электронной промышленности и допускают монтаж полупроводниковых кристаллов на эвтектический припой золото-кремний при температурах до 450°С без возникновения напряжений, достаточных для разрушения пластин из керамики и полупроводниковых кристаллов.

В месте спая рамки, выполненной из отожженного никеля, с теплоотводящим основанием из псевдосплава молибден - медь, благодаря повышенной пластичности рамки механические напряжения в спаянном соединении, возникающие из-за разницы в КЛРТ материалов рамки и основания, оказываются недостаточными для изгиба спаянных рамок с основанием. Релаксация напряжений происходит в отожженном пластичном никеле. В результате после пайки неплоскостность опорной поверхности теплоотводящего основания из псевдосплава молибден - медь остается практически такой же, как у основания до пайки.

В мощной гибридной СВЧ интегральной схеме наличие зазора между выступом, предназначенным для монтажа пассивных и активных элементов ГИС, существенно увеличивает КСВ выходного тракта схемы из-за дополнительного несогласованного по волновому сопротивлению участка тракта, равному удвоенной величине высоты выступа. Этот зазор образуется из-за разницы в размерах выступа и соответствующих внутренних размеров рамки. При размерах выступа и соответствующих внутренних размеров рамки с разницей, не превышающей оптимальной толщины припоя, припой полностью заполняет зазор [4], исключая дополнительную «паразитную» индуктивность, вносимую удвоенной высотой выступа, и несогласованный по волновому сопротивлению участок в СВЧ тракте.

Сущность заявленного технического решения поясняется фиг. 1-5.

На фиг. 1 представлено основание из высокотеплопроводного псевдосплава молибден - медь с выступом, предназначенном для монтажа пассивных и активных элементов ГИС и имеющим размеры а, в, с. Опорная поверхность А имеет размеры е, д.

На фиг. 2 представлена рамка с внутренними размерами a1 и в1. Внешние размеры рамки е, д соответствуют внешним размерам основания. На боковых стенках рамки выполнены отверстия для вводов.

На фиг. 3 представлен собранный корпус, состоящий из теплоотводящего основания 1, которому высокотемпературным припоем, например ПСр-72В ТУ 48-1-329-89, припаяна рамка 2, в сквозных отверстиях которой размещены СВЧ вводы, вводы питания и управления 3, 4. Корпус загерметизирован посредством шовно-роликовой приварки никелевой крышки 5 к рамке 2.

На фиг. 4 представлено место пайки в случае, когда разница в размерах а1-а и в1-в превышала оптимальную толщину припоя. Виден зазор между пьедесталом и рамкой.

На фиг. 5 представлено место пайки в случае, когда разница в размерах а1-а и в1-в не превышала оптимальную толщину припоя. Зазор между пьедесталом и рамкой отсутствует, поскольку полностью заполнен припоем.

Были собраны образцы корпусов с размерами основания из псевдосплава 50×30 мм при толщине 1,5 мм и выступа 46×26 мм при высоте 1 мм. Внешние размеры рамки из никеля НП1 (содержание никеля 99,9%) 50×30 мм, внутренние 46×26 при толщине 2 мм.

Пайку проводили припоями при температуре пайки 700°С и припоем ПСр-72В при температуре пайки 820°С.

Основания были изготовлены из псевдосплава МД 50 и МД 30.

У псевдосплава МД-50 КЛТР в направлении прокатки (7,5-8,4)10-6⋅К-1 и поперек прокатки (9,1-9,9)10-6⋅К-1, а у псевдосплава МД 30 (7,1-7,9)10-6⋅К-1 в любом направлении (Яе0.021.105 ТУ).

Были использованы рамки после термообработки при температуре рекристаллизации никеля 480-640°С и при температуре отжига никеля 750-900°С [5].

После пайки припоем ПСр-72В ТУ 48-1-329-89 была измерена неплоскостность опорной поверхности основания.

Результаты испытаний приведены в таблицах 1-9.

Неплоскостность опорной поверхности корпусов, соответствующих изобретению, после сборки с основанием высокотемпературной пайкой практически не увеличивалась.

Были изготовлены корпуса, в которых за счет допусков на внутренние размеры рамки и размеры выступа разница в размерах составляла 0,2 мм и 0,07 мм. В корпусах были собраны платы с несимметричными полосковыми линиями, соединенными с СВЧ разъемами, и измерены КСВ СВЧ трактов на частоте 20 ГГц. В первом случае зазор между выступом и рамкой не был заполнен припоем и КСВ СВЧ тракта составил 1,4-1,55. Во втором случае (при зазоре 0,07 мм) зазор был полностью заполнен припоем ПСр-72В и КСВ СВЧ тракта составил 1,2-1,25.

Источники информации

1. Colloq. Microwave Packag., London, 14 Apr. 1986. Electron. Div, PGE 12. London, 1986, стр. 7/4.

2. Патент РФ 2012172, МПК Н05K 5/06 от 30.04.1994.

3. Патент РФ 2494494, МПК H01L 23/02 от 27.09.2013.

4. Рот А. Вакуумные уплотнения. Пер. с англ. М., Энергия, 1971, стр. 69.

5. Справочник металлурга. Т. 2, стр. 448. М., .Машиностроение, 1976 г.

Конструкция корпуса мощной гибридной СВЧ интегральной схемы, включающая теплоотводящее основание и рамку с СВЧ вводами, соединенные высокотемпературным припоем, отличающаяся тем, что с целью обеспечения герметизации корпуса шовно-роликовой сваркой, снижения неплоскостности опорной поверхности теплоотводящего основания и повышения температуры монтажа активных и пассивных элементов интегральной схемы припоями до 450°C рамка выполнена из отожженного никеля, а теплоотводящее основание выполнено из псевдосплава молибден - медь с выступом, предназначенным для монтажа пассивных и активных элементов ГИС и имеющим размеры, соответствующие внутренним размерам рамки, причем разница в размерах выступа и соответствующих внутренних размеров рамки не превышает оптимальной толщины припоя.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано при разработке и производстве полупроводниковых приборов электронной техники СВЧ в миллиметровом диапазоне длин волн.

Изобретение относится к устройствам защиты электронных модулей (элементов) от тепловых и механических перегрузок в условиях аварийных ситуаций. Устройство защиты электронных модулей предусматривает предохранение электронных компонентов от тепловых перегрузок путем комбинации конструктивных слоев защиты, вложенных друг в друга.

Использование: для сборки трехмерных интегральных схем (ИС) 3D БИС. Сущность изобретения заключается в том, что способ изоляции при монтаже перевернутых кристаллов включает сборку, на которую поступают кристаллы с контактными столбиками и подложки с металлизацией на контактных площадках из припоя заданной толщины, между кристаллом и подложкой размещают клейкую ленту, имеющую отверстия, рисунок которых является зеркальным отображением расположения контактных столбиков на кристалле, при сборке контактные столбики кристалла через отверстия в ленте совмещают с припоем контактных площадок на подложке, затем проводят пайку в вакууме, при нагреве до температуры пайки и давлении на кристалл припой расплавляется, при этом происходит смачивание припоем всей поверхности контактных столбиков кристалла, в результате этого происходит заполнение зазора между контактными столбиками и отверстиями в клеящей ленте, а т.к.

Описывается архитектура создания гибких корпусов, которая подходит для искривленных форм корпусов. В одном примере корпус кремниевых кристаллов имеет некоторое множество кремниевых кристаллов, заделанных в гибкой подложке, гибкий прокладочный слой поверх заделанных кристаллов, тонкопленочный теплораспределительный слой поверх подложки, противоположный гибкому прокладочному слою, причем гибкой подложке с кристаллами и прокладкой придана искривленная форма и гибкая подложка отверждена так, что гибкая подложка сохраняет свою форму.

Использование: для полупроводниковых приборов СВЧ. Сущность изобретения заключается в том, что корпус для полупроводникового прибора СВЧ содержит высокотепло- и электропроводное основание, рамку по периметру одной из поверхностей высокотепло- и электропроводного основания со сквозными отверстиями для металлокерамических вводов/выводов, по меньшей мере одну металлическую контактную площадку на упомянутой поверхности высокотепло- и электропроводного основания для расположения и последующего соединения с ним по меньшей мере одного кристалла полупроводникового прибора, по меньшей мере два металлокерамических ввода/вывода, одни контактные площадки которых выходят внутрь, а другие - через сквозные отверстия в рамке наружу корпуса, при этом высокотепло- и электропроводное основание, рамка, металлокерамические вводы/выводы соединены пайкой, высокотепло- и электропроводное основание выполнено из композиционного материала, при этом по меньшей мере из двух компонентов - высокотеплопроводного керамического и электропроводного при их соотношении, мас.%, (90-70):(10-30) соответственно, термические коэффициенты линейного расширения которых обеспечивают согласование с термическим коэффициентом линейного расширения кристалла полупроводникового прибора.

Изобретение относится к системам термоэлектрического охлаждения. Система имеет горячую сторону с первой температурой и холодную сторону для размещения тепловой нагрузки.

Изобретение относится к радиоэлектронной технике, а именно к корпусам электрических приборов, в частности к герметичным корпусам, и может использоваться в конструкциях, к которым предъявляются высокие требования по герметичности и теплоотводу.

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления корпуса мощного полупроводникового прибора СВЧ включает изготовление высокотеплопроводного основания и рамки из металла или сплава металлов, изготовление выводов, совмещение рамки с выводами и высокотеплопроводного основания, герметичное соединение их высокотемпературной пайкой, последующее расположение в корпусе, по меньшей мере, одного кристалла активного элемента и, по меньшей мере, одной согласующей интегральной схемы, по меньшей мере, одного полупроводникового прибора и соединение их низкотемпературной пайкой.

Изобретение относится к силовому полупроводниковому модулю. .

Изобретение относится к области светотехники, в частности к светодиодным лампам с круговым обзорным освещением. .

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении мощных гибридных СВЧ интегральных схем повышенной надежности, герметизируемых шовно-роликовой или лазерной сваркой. Техническим результатом изобретения является обеспечение герметизации корпуса шовно-роликовой сваркой, повышение температуры монтажа активных и пассивных компонентов интегральной схемы припоями до 450°С и снижение неплоскостности опорной поверхности теплоотводящего основания корпуса. Указанный технический результат обеспечивается тем, что в корпусе мощной гибридной СВЧ интегральной схемы рамка выполнена из отожженного никеля, а теплоотводящее основание выполнено из псевдосплава молибден - медь с выступом, предназначенным для монтажа пассивных и активных элементов ГИС и имеющим размеры, соответствующие внутренним размерам рамки, причем разница в размерах выступа и соответствующих внутренних размеров рамки не превышает оптимальной толщины припоя. 5 ил., 9 табл.

Наверх