Патенты автора Тваури Инга Васильевна (RU)

Изобретение относится к нанотехнологиям и наноструктурам, а именно к методам получения слоя рутила в виде пленки или пластинки.

Изобретение относится к электронной технике, в частности к конструкции структуры вторично-электронного умножителя, и может быть использовано в масс-спектрометрах времяпролетного типа и для регистрации слабых потоков импульсных заряженных частиц.
Изобретение относится к нанотехнологиям, в частности к методам осаждения наноразмерной пленки α-Al2O3 (0001) на металлические подложки α-Al2O3 (0001) в условиях сверхвысокого вакуума.
Изобретение относится к нанотехнологиям и наноструктурам, в частности к методам осаждения тонких пленок на металлическую подложку.

 


Наверх