Патенты автора Бородин Алексей Владимирович (RU)
Изобретение относится к аддитивным технологиям, позволяющим осуществлять послойную кристаллизацию трехмерных объектов заданной формы по CAD-модели из конгруэнтно плавящихся материалов, например металлов, сплавов, тугоплавких оксидов, в том числе и эвтектических композиционных материалов. В предлагаемом способе получения трехмерных изделий послойной кристаллизацией согласно CAD-модели, включающем подачу на базовую платформу из питателя исходного материала с энергетическим воздействием на исходный материал для его плавления, и перемещение по заданной траектории в трехмерном пространстве базовой платформы и питателя относительно друг друга, и кристаллизацию расплавленного материала на ранее закристаллизованном слое. При этом плавление исходного материала осуществляют непосредственно в питателе, создают слой расплава между ранее закристаллизованным слоем и питателем, форму поперечного сечения слоя расплава задают по линии раздела питатель - слой расплава - окружающая атмосфера, и в ходе послойной кристаллизации поддерживают сохранение слоя расплава путем регулирования мощности энергетического воздействия и скорости перемещения базовой платформы и питателя относительно друг друга, а также путем регулировки разницы давления газа над поверхностью расплава в питателе и над поверхностью слоя расплава между ранее закристаллизованным слоем и питателем. Технический результат – обеспечение возможности синтеза исходного материала непосредственно в питателе сплавлением исходных компонентов в виде кусков, слитков, дробленых кусочков. 12 ил.
СПОСОБ ОБРАБОТКИ СИГНАЛОВ В СКАНИРУЮЩИХ УСТРОЙСТВАХ С ОСТРОСФОКУСИРОВАННЫМ ЭЛЕКТРОННЫМ ПУЧКОМ // 2713090
Использование: для обработки сигналов в сканирующих устройствах с остросфокусированным электронным пучком. Сущность изобретения заключается в том, что сканируют электронным пучком поверхность объекта поперек топологического элемента, находящегося на этой поверхности, с одновременным изменением для каждой линии сканирования значения регулируемого параметра, получают вторичноэмиссионный сигнал, преобразуют этот сигнал в цифровую форму, определяют значение контраста сигнала, анализируют зависимость контраста от регулируемого параметра, определяют по этой зависимости однозначное соответствие между значением регулируемого параметра и положением точки фокусировки относительно объекта и выставляют точку фокусировки в требуемое положение, при этом в качестве регулируемого параметра используют потенциал электрода, расположенного у анода электронно-оптической системы РЭМ. Технический результат: повышение точности выставления плоскости фокусировки электронного пучка. 1 ил.
Изобретение относится к электронной промышленности, производству материалов и узлов для приборостроения, а конкретно к производству кристаллов, применяемых в электронике и оптической промышленности, выращиваемых из расплава методом Киропулоса. Способ включает затравливание кристалла 5 на затравочный кристалл 1, его вытягивание из расплава 2 с разращиванием и заужением для образования перетяжек, разращивание кристалла 5, выращивание и охлаждение кристалла 5, при этом на этапах затравливания, образования перетяжек и частично разращивания область контакта кристалла 5 с расплавом 2 ограждают сбоку от основной массы расплава экраном 7, при погружении нижнего торца экрана 7 в расплав 2 весь экран фиксируется в этом положении опорой его верхнего торца 8 на тигель 6, экран 7 выполнен в виде отрезка полого профиля, производят удаление экрана 7 из расплава 2 после того, как отношение диаметра разращиваемого кристалла к заданному диаметру кристалла достигает 0,1-0,5. Экран может быть подвешен за отводы либо приливы его верхнего контура с возможностью вертикального перемещения экрана вверх вместе с кристаллом 5, затравочным кристаллом 1, затравкодержателем 9 и верхним штоком при сохранении остальных элементов зоны кристаллизации неподвижными, при этом затравочный кристалл 1 проходит внутри экрана 7. Техническим результатом изобретения является достижение стабилизации процесса выращивания монокристалла, получение монокристалла однородных форм. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к области автоматизации управления технологическими процессами при выращивании кристаллов сапфира из расплава методом Киропулоса. Способ включает динамическое измерение веса выращиваемого кристалла и автоматическое регулирование мощности нагревателя, при этом вычисляют производную по времени измеренного веса, вычисляют ее рассогласование с опорным значением производной веса, задаваемым согласно функции от времени на основе данных, полученных экспериментально, или модели массопереноса процесса роста, входящими данными которой являются линейная скорость кристаллизации, форма фронта кристаллизации, геометрические размеры тигля, масса загрузки тигля шихтой, диаметр затравочного кристалла, плотности кристалла и расплава, коэффициент поверхностного натяжения расплава, угол роста кристалла, а выходными данными - форма выращиваемого кристалла и соответствующее ей опорное значение, формируют основной сигнал управления по каналу мощности нагревателя с применением регулятора с зоной нечувствительности, а дополнительное управление по каналу скорости вытягивания осуществляют при условии превышения рассогласования заранее установленного порогового значения. Техническим результатом изобретения является значительное улучшение качества монокристалла и увеличение количества годных изделий. 2 з.п. ф-лы, 6 ил.
Изобретение относится к электронной промышленности, а конкретно к производству кристаллов сапфира, применяемых в электронике и оптической промышленности. Установка содержит вакуумную кристаллизационную камеру 17, нагреватель, тигель с расплавом, теплоизоляцию нагревателя, вращаемый водоохлаждаемый шток 8 с затравочным кристаллом, шток 8 имеет фланец, соединенный с длинноходным сильфоном 16, нижний конец которого соединен герметично с кристаллизационной камерой 17, а также датчик веса 5 кристалла, при этом водоохлаждаемый шток 8 подвешен непосредственно к датчику веса 5, укрепленному вне камеры кристаллизации 17, и герметично отделен от него компенсационным сильфоном 9 и вакуумным вводом вращения 15, проходит через полый вал вакуумного ввода вращения 15 без контакта с внутренними стенками полого вала, водоохлаждаемый шток 8 приводится во вращение вместе с датчиком веса 5, охлаждающая вода поступает в шток 8 от ротационного соединения 1 протока воды, содержит токосъемник 2 в цепи электрического подключения датчика веса. Для подачи воды от ротационного соединения 1 в водоохлаждаемый шток 8 используют мягкие водяные шланги 6. Техническим результатом является повышение точности измерения веса кристалла и массовой скорости кристаллизации слитка. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к производству профилированных кристаллов из полупроводниковых материалов, применяемых в электронной промышленности
