Патенты автора Денисюк В.А.
СПОСОБ ДИФФУЗИИ ФОСФОРА ИЗ ТВЕРДОГО ИСТОЧНИКА ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ // 1829758
Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам диффузии фосфора при изготовлении силовых полупроводниковых приборов
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТВЕРДЫХ ПЛАНАРНЫХ ИСТОЧНИКОВ ДИФФУЗИИ ФОСФОРА НА ОСНОВЕ ПИРОФОСФАТА КРЕМНИЯ // 1780457
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, в частности к твердым планарным источникам фосфора (ТПДФ) на основе пирофосфата кремния, которые применяются для создания эмиттерных областей биполярных транзисторов, сток-истоковых областей МДП-транзисторов, подлегирования контактных окон, стабилизации окисленной поверхности кремния и других задачах диффузии в кремниевых пластинах диаметром 75 мм при температурах диффузии до 1050оС
ТВЕРДЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ИСТОЧНИК ДИФФУЗИИ ФОСФОРА // 1563507
Изобретение относится к технологии интегральных схем, в частности к конструкции твердых планарных источников диффузии фосфора, которые применяются для выполнения технологических процессов диффузии при создании эмиттерных областей активных элементов, стабилизации окисла фосфорно-силикатным стеклом, легирования сток-истоковых областей МДП-транзисторов, легирования поликремния и т.д
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к изготовлению твердых источников диффузии фосфора в кремниевые пластины диаметром 76 мм и выше
Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике, а также к системам автоматического управления и может найти применение в системах числового программного управления, в измерительных и вычислительных устройствах
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, интегральных микросхем, БИС и СБИС, в частности к регистрации поверхностных рекомбинационных или электрически активных дефектов (в дальнейшем дефектов) при получении фотоответного изображения полупроводниковой пластины в устройствах со сканирующим лазерным зондом
