Способ изготовления источников диффузии фосфора

 

(19)RU(11)1292622(13)C(51)  МПК 6    H01L21/22Статус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: учтена за 1 год с 19.06.1993 по 18.06.1994

(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИСТОЧНИКОВ ДИФФУЗИИ ФОСФОРА

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к изготовлению твердых источников диффузии фосфора в кремниевые пластины диаметром 76 мм и выше. Целью изобретения является повышение срока службы источников диффузии фосфора на термостойкой кремниевой подложке из кремния. Сущность изобретения состоит в том, что при спекании таких источников в области границы раздела диффузант - кремний возникают механические напряжения значительно меньшей величины по сравнению с прототипом. Это обусловлено тем, что спекание диффузанта с кремниевой подложкой и самого диффузанта происходит благодаря образованию фосфорно-силикатного стекла (ФСС), которое при температурах спекания и эксплуатации находится в размягченном состоянии, а также проведению процесса спекания при более низких температурах (1000-1090оС) по сравнению с прототипом. ФСС возникает в процессе спекания по всей зернистой массе диффузанта на поверхности порошка кремния и кремниевой подложки вследствие разложения метафосфата алюминия, выделения Р2О5 и его взаимодействия с порошком кремния и кремниевой пластиной. Приготовляя диффузант, смешивая 80 мас.ч. порошка метафосфата алюминия с 15 мас.ч. порошка кремния. Приготовляют пасту диффузанта, добавляя к смеси порошков 5%-ный раствор поливинилового спирта. Наносят пасту диффузанта толщиной 0,7 мм на обе стороны пластин кремния диаметром 100 мм методом сеткографии, а затем сушат пластины в течение 30-45 мин при 200оС. Затем пластины загружают вертикально в кварцевую кассету и проводят спекание при 1000оС в течение 35 мин. Источники, изготовленные по предлагаемому способу, более термостойки и долговечны. Предлагаемый способ обеспечивает возможность нанесения диффузанта по всей поверхности пластины методом сеткографии, что улучшает воспроизводимость удельного поверхностного сопротивления легированных слоев в кремниевых пластинах, при длительном сроке эксплуатации источников.

Формула изобретения

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИСТОЧНИКОВ ДИФФУЗИИ ФОСФОРА на основе метафосфата алюминия, включающий приготовление диффузанта путем смешивания порошков метафосфата алюминия и наполнителя, нанесение диффузанта на термостойкую подложку и их спекание в инертной или окислительной среде, отличающийся тем, что, с целью повышения срока службы источников на термостойкой подложке из кремния, в диффузанте в качестве наполнителя используют порошок кремния в количестве 15-40 мас.ч., а спекание проводят при 1000-1090°С. 2.Способ по п.1, отличающийся тем, что размер зерен порошка кремния составляет 5-70 мкм.

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Дата прекращения действия патента: 19.06.1994

Извещение опубликовано: 10.10.2004        БИ: 28/2004




 

Похожие патенты:

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано как при разработке и изготовлении полупроводниковых интегральных микросхем, так и при разработке и изготовлении дискретных полупроводниковых приборов

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых тензочувствительных датчиков физических величин повышенной точности

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано как при разработке и изготовлении полупроводниковых диффузионных резисторов, так и при изготовлении полупроводниковых интегральных микросхем

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при создании СВЧ-транзисторов и интегральных схем на их основе

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых лазерных диодов и светодиодов

Изобретение относится к приборостроению и может применяться для изготовления конструктивных элементов микромеханических приборов на кремниевых монокристаллических подложках, а именно упругих элементов микромеханических датчиков, например подвесов чувствительных маятниковых элементов интегральных акселерометров

Изобретение относится к области проводящих полимеров, в частности полианилина, и может быть использовано для получения высокопроводящих полианилиновых слоев, волокон, проводящих элементов и устройств на их основе
Изобретение относится к устройствам, предназначенным для удержания кремниевых пластин во время диффузионной термообработки при изготовлении полупроводниковых приборов
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности может быть использовано для глубокой диффузии фосфора при формировании диффузионных кремниевых структур
Изобретение относится к технологии получения силовых кремниевых транзисторов, в частности для формирования активной базовой области
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС), в частности к способам диффузии фосфора
Наверх